Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации Тв эл / 1 Основные понятия твердотельной электроники.ppt
X
- •Электронный учебно- методический комплекс
- •1 Основные понятия
- •Зависимость энергии от квазиимпульса в InSb
- •Температурная
- •Упрощенная
- •Упрощенная энергетическая
- •Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •Статистика Максвелла- Больцмана
- •эффективная плотность
- •Эффективная плотность
- •Уравнение
- •собственная
- •Зависимость собственной
- •Донорный полупроводник
- •Акцепторный
- •Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях
- •Коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью и напряженностью электрического поля называют подвижностью носителей заряда
- •Влияние
- •Закон Ома в дифференциальной форме:
- •Рассеяние – мгновенные события, внезапно меняющие скорость электронов. Экспериментальные исследования температурной
- •Рассеяние на решетке
- •Рассеяние на заряженной примеси
- •Электропроводность
- •Неравновесное состояние полупроводника
- •Квазиуровень Ферми
- ••В равновесном состоянии скорость
- •Влияние внешних условий
- ••Скорость, с которой протекает рекомбинация, определяется
- •Уравнение
- •Уменьшение концентрации носителей, определяемое процессом линейной рекомбинации имеет вид:
- •Механизмы
- •Энергетические диаграммы
- •Диффузионные и дрейфовые токи
- •jjдр jдиф ,
- •Для одномерного случая полный ток равен:
- •Уравнение Пуассона
- •Уравнение непрерывности тока
- •Уравнение
- •Граничные условия
- •Граничные условия
- •Плотность дырочного тока при :
- •Контактные явления
- •Eвак F
- •Барьер на границе металла с полупроводником (барьер Шоттки)
- •Контакт металл-
- •Выпрямление тока на контакте металла с полупроводником
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Соотношения между
- •Прямое смещение p-n- перехода
- •Обратное смещение
- •Энергетические
- •Изотипные и анизотипные гетеропереходы
- •Схема двойного гетероперехода
- •МДП–структура
- •МДП-структура
- •Энергетиче
Акцепторный
полупроводник
F Eс Ea kT ln gN |
||
2 |
2 |
Na |
p Na
np ni2
Na
Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях
vдр q E E
m*n
Коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью и напряженностью электрического поля называют подвижностью носителей заряда и обозначают μ [см2/(В∙с)].
n vдр
E q
mn*
p vдр
q
m*p
Влияние
электрического поля |
|
j n q vдр , |
I U R J S, |
|
|
U |
|
l, |
|
|
|
||
E |
R l S , |
1
Закон Ома в дифференциальной форме:
jn n |
jp p . |
n q n n
p q p p
Рассеяние – мгновенные события, внезапно меняющие скорость электронов. Экспериментальные исследования температурной
зависимости подвижности показывают, что при низких температурах преобладает рассеяние на ионах примеси, а при более высоких –
рассеяние на тепловых колебаниях решетки
Рассеяние на решетке
nr T n r T0 T
T0 3
2
Рассеяние на заряженной примеси
ni T ni T0 T
T0 3
2
Электропроводность
материала
n p
q n n q p pq n n p p
n T q n T n T
Соседние файлы в папке Презентации Тв эл
