Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации Тв эл / 1 Основные понятия твердотельной электроники.ppt
Статистика Максвелла- Больцмана
|
|
E |
F |
|
fn (E) exp |
|
|
|
|
kT |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ec |
||
n0 N(E) fn |
(E)dE N(E) exp |
kT |
||||
Ec |
Ec |
|
|
|
||
|
|
|
F |
E |
|
|
f p (E) exp |
|
|
|
|
|
|
kT |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
F |
|
|
Ec |
F |
dE Nc |
exp |
kT |
|
|
|
|
|
|
|
Ev |
|
Ev |
|
|
|
F Ev |
|
F Ev |
||
|
|
|
|
|
|||||||
p |
|
|
|
|
dE NV exp |
|
|
||||
|
|
|
|
||||||||
N(E) f p (E)dE |
|
N(E) exp |
kT |
kT |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
эффективная плотность
состояний в зоне проводимости
|
2 m* |
kT 3/ 2 |
||
|
|
n |
|
|
Nc 2 |
|
|
|
|
h |
2 |
|
||
|
|
|
|
|
Nc 2,7 1019 m*n 
m0 3
2 T
300 3
2
Эффективная плотность
состояний для валентной зоны
|
|
|
|
|
* |
|
3/2 |
N |
|
2 |
|
2 m p |
kT |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
2 |
|
|
|||
|
|
|
h |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
N |
|
1,05 1019 |
|
T |
3/ 2 |
|
|
|
|
||
|
|
||||
|
|
|
|
300 |
|
|
|
|
|
Уравнение |
|
|
||
электронейтральности |
|
|||
q n q p 0 |
n p |
|
||
q n q Na |
q p q Nd |
0 |
||
n Na |
p Nd |
|
||
собственная
концентрация
ni |
|
|
|
Eg Т |
|
|
|||||
Nc Т N Т exp |
|
|
|||
|
|
|
|
2kT |
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость собственной
концентрации от обратной температуры
Донорный полупроводник
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
* |
F |
Ec E |
|
kT |
ln |
N |
E |
|
|
3 kT ln |
mp |
|
|
|
|
m* |
||||||
2 |
2 |
|
Nc |
|
i |
|
4 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
tg i Eg |
2kT |
tg пр Eа |
kT |
|
|
Ti |
|
|
Eg |
|
|
Ts |
|
Ec Ed |
|
|
k ln Nc |
|
|
|
|
|
|
||||
N |
2 |
k ln Nc |
Nd |
|
||||||
|
|
Nd |
|
|
||||||
ni2 n0 p0
pn ni2 
nn , nn Nd , pn ni2 
Nd