Силовой MOSFET (SIPMOS

Siemens)

Схематичный разрез структуры IGBT

•При подаче достаточного положительного напряжения управления между затвором и истоком (MOС ПТ) или эмиттером (IGBT)

возникает инверсионный слой (проводящий канал) в р-области под затвором. Электроны

могут проводиться от истока или эмиттера к n- дрейфовой области через этот канал. В

противоположность идентичным структурам MOSFET и IGBT, включающих n- зону, различия в третьем электроде, который будет определять все последующие функции.

•При подаче на изолированный затвор

положительного смещения возникает проводящий канал в р‒области (на рисунке обозначен пунктирной линией) и включается

соответствующий МДП транзистор, обеспечивая открытие биполярного p-n-p

транзистора. Между внешними выводами ячейки ‒ коллектором и эмиттером начинает протекать ток. При этом ток стока МДП транзистора оказывается усиленным в (β+1) раз.

•При включенном биполярном транзисторе в n– область идут встречные потоки носителей (электронов и дырок), что ведет к падению сопротивления этой области и дополнительному уменьшению остаточного напряжения на приборе

•Хотя по сравнению с линейным сопротивлением MOSFET в открытом состоянии, IGBT имеет дополнительное пороговое напряжение на pn-переходе коллектора, но напряжение на открытом высоковольтном IGBT (более 400 В) меньше, чем у MOSFET из-за

обогащения основными носителями высокоомной n- зоны