•Прибор введён в силовую цепь выводами биполярного транзистора E

(эмиттер) и C (коллектор), а в цепь управления ‒ выводом G (затвор). Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор.

БТИЗ сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:

•высокое входное сопротивление,

низкий уровень управляющей мощности ‒ от полевых транзисторов с изолированным затвором

•низкое значение остаточного

напряжения во включенном состоянии ‒ от биполярных транзисторов.

силовые сборки (модули)

•Коммерческое использование IGBT началось с 80-х годов и уже претерпела четыре стадии своего развития (по другим данным к 2010 году уже появились шесть поколений БТИЗ)

•Рабочие показатели БТИЗ с переходом от поколения к поколению меняются следующим образом (список улучшаемых рабочих показателей не претендует на полноту):

–увеличивается коммутируемое напряжение;

–растут допустимые токи для БТИЗ в модульном исполнении;

–увеличивается частота коммутации (время включения/выключения уменьшается);

•уменьшается прямое падение напряжения на приборе.