Работа при обратном напряжении (закрытый канал )

Работа при обратном напряжении (открытый канал и малое отрицательное напряжение VСИ )

Работа при обратном напряжении (открытый канал и большое отрицательное напряжение VСИ )

Устройство и особенности работы

•IGBT – полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком

Структура БТИЗ-

транзистора

Структура БТИЗ-транзистора (со смыканием)

•IGBT сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления).

IGBT с планарной NPT (не смыкаемой) структурой затвора

Процесс включения IGBT

•можно разделить на два этапа: после подачи положительного напряжения между затвором

и истоком происходит открытие полевого транзистора (формируется n-канал между

истоком и стоком). Движение зарядов из области n в область p приводит к открытию биполярного транзистора и возникновению тока от эмиттера к коллектору. Таким образом, полевой транзистор управляет работой биполярного

•Необходимо отметить, что названия противоречат физическим принципам прибора