- •Конспект лекций (Основы электроники)
- •2014Г. Оглавление
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •2 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •2.1 Назначение областей транзистора
- •2.2 Принцип работы транзистора
- •Iэ б iк
- •2.3 Схемы включения транзисторов
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •2.4 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3 Усилительные устройства
- •3.1 Структурная схема усилителя
- •3.2 Амплитудно-частотная характеристика. Полоса пропускания усилителя
- •3.3 Эмиттерная стабилизация режима работы усилителя
- •Принцип работы:
- •3.4 Анализ ачх широкополосного усилителя (шпу)
- •Рассмотрим область верхних частот
- •Рассмотрим область нижних частот
- •Литература
2.3 Схемы включения транзисторов
В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзисторов:
а) Общий эмиттер ( n-p-n)

Как расставляются знаки у источников питания?
n – p – n
Э Б К
ЭП (UПР)

КП (UОБР)
ЭП должен находиться под прямым напряжением. При прямом напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны совпадать. Эмиттер – это n-область, основными носителями заряда являются электроны, поэтому на эмиттер должен быть подан «минус» источника питания Есм, а на базу, соответственно, - «плюс».
КП должен находиться под обратным напряжением. При обратном напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны быть противоположны. Коллектор – это n-область, основными носителями заряда являются электроны, поэтому на коллектор должен быть подан «плюс» источника питания Еп.
б) Общая база (n-p-n) в) Общий коллектор (n-p-n)

2.4 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об

Входные
характеристики транзистора ОБ
- это
зависимость входного тока от входного
напряжения при постоянном выходном
напряжении, т.е.
при
,
гдеf
- это
функция.
IЭ,
mA


UКБ=5В
UКБ=0


0
1
UЭБ,В

Если использовать выходное напряжение UКБ>5В, то входные характеристики незначительно сместятся влево, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при UКБ=0 и при UКБ=5В. При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
Выходные
характеристики транзистора
ОБ -
это
зависимость выходного тока от выходного
напряжения при постоянном входном
токе, т.е.
при


насыщение




















0






Статические вах транзистора оэ

Входные
характеристики транзистора ОЭ
- это
зависимость входного тока от входного
напряжения при постоянном выходном
напряжении, т.е.
при
IБ,m
UКЭ
=0
UКЭ=5В





0 1 UБЭ, В
Если использовать
выходное напряжение
>5В,
то входные характеристики незначительно
сместятся вправо, (пойдут кучно), поэтому
чтобы не загромождать рисунок,
ограничиваются двумя характеристиками:
при
и при
.
При этом погрешность будет незначительной,
ею можно пренебречь.
Выходные
характеристики транзистора ОЭ
- зависимость
выходного тока от выходного напряжения
при постоянном входном токе, т.е.
при
IК, mA
IБ3





насыщение
IБ2




IБ1
IБ3
> IБ2
> IБ1


IКЭОIБ=0




отсечка UКЭ,
В











