- •Курсовая работа по дисциплине: «Элементная база электроники»
- •Новосибирский государственный технический университет пояснительная записка
- •Теоретические сведения.
- •Конструкция и принципы работы мдп-транзисторов с индуцированным каналом.
- •Рис 1. Структура n-канального мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •Топология.
- •Передаточные вах.
- •Основные формулы для расчётов
- •Параметры мoп - транзистора:
- •Физические константы
- •18 Список литературы
Министерство образования Российской Федерации
Новосибирский государственный технический университет
Кафедра ПП и МЭ
Курсовая работа по дисциплине: «Элементная база электроники»
Расчет параметров МОП-транзистора
Выполнил: Зубрик М.В.
Факультет: РЭФ
Группа: РНТ1-11
Проверил: Макаров Е.А.
Дата защиты: « » 2013
Отметка о защите:
Новосибирск
2013
Министерство образования и науки Российской Федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ
Студент Зубрик М.В Код021201103 Группа РНТ1-11
фамилия, инициалы
1. Тема: Расчет параметров МОП-транзистора. Вариант №7
Срок представления работы к защите
«___»_____________2013 г.
Исходные данные для проектирования
Затвор |
Тип |
SiПК |
|
Толщина диэлектрика |
300 | ||
Фиксированный заряд |
1010 | ||
Концентрация примеси | |||
Подложка |
Тип |
|
р |
Концентрация примеси |
3*1016 | ||
Исток-сток |
Концентрация примеси |
3*1018 | |
Глубина залегания |
0.5 | ||
Канал |
Подвижность |
700 | |
Длина |
4 | ||
Ширина |
30 |
Содержание пояснительной записки курсовой работы:
Теоретические сведения
Основные электрические параметры, исходные данные, константы
Расчет параметров транзистора
Графический материал
Рассчитанные значения
Список литературы
5. Перечень графического материала Выходные вольтамперные характеристики, передаточная характеристика транзистора, зависимости параметров от концентрации примеси в подложке, зависимости параметров от толщины диэлектрика.
Руководитель работы Макаров Е.А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2013г.
подпись
Министерство образования и науки Российской Федерации
Новосибирский государственный технический университет пояснительная записка
к курсовой работе по дисциплине «Элементная база электроники»
наименование учебной дисциплины
на тему: Расчет параметров МОП-транзистора. Вариант №7
Автор Зубрик М.В._________
подпись, дата, инициалы, фамилия
Специальность 222900 Нанотехнологии и микросистемная техника
номер, наименование
Факультет РЭФ группа РНТ1-11
Руководитель __________________ Макаров Е.А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Работа защищена ____________________ Оценка_______________________
дата
г. Новосибирск, 2013 г.