Топология биполярного транзистора
Исходным материалом служит кремниевая подложка p-типа с удельным сопротивлением порядка 5…20 Ом*см. Основные процессы, используемые для изготовления n–p–n транзисторов со скрытым слоем:
на поверхность подложки p–типа методом селективной диффузии создается скрытый слой n+-типа;
создается кремниевая пленка n–типа толщиной 1-3 мкм;
проводится глубокая диффузия акцепторной примеси, обеспечивающая электрическую изоляцию этих элементов (этот процесс наиболее сложен);
выполняется диффузия донорной примеси для создания сильно легированной области n+-типа под коллекторным электродом;
диффузионным способом формируется база и эмиттер;
создаются контактные окна;
завершающими процессами являются металлизация, проводимая для получения токоведущих дорожек, и пассивирование.
Сюда входят классические процессы обработки кремния: фотолитография, диффузия и/или ионная имплантация, эпитаксия, высокотемпературная оксидирование, металлизация, отчистка поверхности, травление и нанесение из газовой фазы защитной пленки (пассивирование).
На рисунке 5 изображена топология биполярного транзистора:
Рис. 5 Физическая структура и топология биполярного интегрального транзистора.
ЭД – эмиттерная диффузия; ЭО – эмиттерное окно;
БД – базовая диффузия; БО – базовое окно;
РД – разделительная диффузия; КО – коллекторное окно;
СС – скрытый слой; ПО –окно к контакту подложки;
М – металлизация
Расчёты с помощью MathCad
Расчёт основных параметров
Нормальный
коэффициент передачи 
Контактная разность потенциалов
Градиент концентрации примеси в коллекторном переходе
Ширина
ОПЗ коллекторного перехода с одним
градиентом 
Граница ОПЗ коллекторного перехода со стороны коллектора
Характеристическая длина диффузии акцепторов
Концентрация доноров в коллекторе
Контактная разность потенциалов в эмиттере
Градиент концентрации примеси в эмиттерном переходе со стороны базы
Градиент концентрации примеси в эмиттерном переходе со стороны эмиттера
Ширина
ОПЗ эмиттерного перехода с двумя
градиентами 
Граница ОПЗ коллекторного перехода со стороны базы
Ширина базы
Коэффициент диффузии электронов
Время диффузии сквозь базу
Параметры
для расчёта 
Поверхностная концентрация акцепторов в базе
Характеристическая длина диффузии доноров
Параметры
для расчёта 
Поверхностная концентрация доноров в эмиттере
Площадь коллектора
Нормальный коэффициент передачи
Инверсный
коэффициент передачи
Поверхностная концентрация доноров в эмиттере
Инверсный коэффициент передачи
Коэффициент
передачи в подложку 
Расчёт начальных токов
Диффузионный
ток эмиттерного перехода 
Диффузионный
ток коллекторного перехода 
Диффузионный
ток скрытого слоя 
Ёмкости переходов
Предельная частота коэффициента передачи тока
Дифференциальное сопротивление эмиттера
Дифференциальное сопротивление базы
Дифференциальное сопротивление коллектора
