Министерство Образования и Науки Российской Федерации

Новосибирский Государственный Технический Университет

Курсовая работа по твердотельной электронике

Биполярный транзистор (БТ-2)

Факультет: РЭФ

Группа: РНТ1-12

Выполнил: Поляков А.В.

Проверил: Макаров Е.А.

Новосибирск 2013

Новосибирский государственный технический университет

Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники

Задание на курсовую работу

Студент_____________________________________Код_____________Группа___________

фамилия, инициалы

1. Тема: Расчет параметров биполярного транзистора

2. Срок предоставления работы к защите

«___»_____________200 г.

2. Исходные данные для проектирования

3.1. Глубины залегания эмиттерного и коллекторного переходов.

3.2. Толщина эпитаксиальной пленки коллектора и параметры скрытого слоя и разделительной диффузии.

3.3. Концентрация примесей в подложке, базе и эмиттере.

3.4. Концентрация примеси и истока и стока.

3.5. Размеры канала.

По заданным концентрациям и глубинам залегания переходов рассчитать нормальный,

инверсный коэффициенты передачи тока и коэффициент передачи тока в подложку.

Рассчитать начальные токи.

По модели Эберса – Молла рассчитать входные и выходные характеристики транзистора в режиме IE =1 мА и Uc =5 В.

4. Содержание пояснительной записки курсовой работы:

Титульный лист и лист задания на курсовую работу.

Расчеты профилей распределения примесей, начальных токов переходов и основных электрических параметров.

Емкости переходов и частотные свойства транзисторов.

Вольтамперные характеристики.

4. Перечень графического материала

5.1.Физическая структура транзистора с обозначениями областей и глубин залегания слоев и переходов.

5.2.Профили распределения примесей в активной области транзистора под эмиттером.

5.3.Топология транзистора.

5.4.Входные характеристики транзистора в схеме ОБ для напряжения на коллекторе 0 В и 5 В.

5.5.Три выходных характеристики в схеме ОБ для входных токов 0.5 мА, 1 мА и 2 мА.

Зависимости нормального коэффициента передачи от глубины залегания эмиттерного перехода.

Руководитель работы Макаров Е.А.

подпись, дата инициалы, фамилия

Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2013 г.

подпись

План курсовой работы

1. Исходные данные для проектирования

2. Структура биполярного транзистора

3. Топология биполярного транзистора

4. Расчёты с помощью MathCad

5. Графический материал

6. Рассчитанные параметры транзистора

7. Вывод

8. Список литературы

Исходные данные для проектирования

Глубина залегания эмиттерного перехода =0,7 (мкм)

Глубина залегания коллекторного перехода =1.5 (мкм)

Концентрация доноров на поверхности эмиттера =3*10²⁰ (см^-3)

Концентрация акцепторов на поверхности базы =5*10¹⁸ (см^-3)

Концентрация доноров в эпитаксиальной пленке коллектора =10¹⁶ (см^-3)

Поверхностная концентрация доноров в скрытом слое =3*10¹⁴ (см^-2)

Толщина эпитаксиальной пленки коллектора =2,5 (мкм)

Время жизни электронов в базе =80 (нс)

Скорость поверхностной рекомбинации =2*10³ (см/с)

Диффузионная длина в эпитаксиальной пленке =0,1 (мм)

Площадь эмиттера =10 (мкм²)

Используемые константы:

= 3,14

q = 1,610^-19 Кл

T = 300 К

kТ/q = 0,025

_= 8,8510^-14 Ф/см

Предложенные данные:

В

Носители заряда
электроны	65	1265	8.5.1016	0.76
дырки	47.7	447	6.3.1016	0.72