
- •1. Электронная теория проводимости. Осн. Понятия и соотношения.
- •2.Электронная теория проводимости. Классификация веществ по проводимости.
- •5.Основные методы измерения удельного сопротивления. Условия применения 2-х зондового метода.
- •7 Основные методы измерения удельного сопротивления. Условия применения четырехзондового метода.
- •13 Измерение тока Холла.
- •15 Виды диэлектриков и диэлектрическая проницаемость различных веществ.
- •16 Измерение диэлектрической проницаемости методом баллистического гальванометра.
- •17 Измерение диэлектрической проницаемости мостовым методом.
- •18. Измерение диэлектрич.Св-в жидкостей
- •19 Измерение диэлектрической проницаемости жидкостей абсолютным методом.
- •20.Измерение диэлектрич. Проницаемости порошков методом погружения.
- •21.Измерение диэлектрич.Проницаемости порошков. Метод прямого измерения.
- •24. Эффект Зеебека и его практическое применение.
- •25.Эффект Пельте и его практическое применение
- •26 Определение коэф-та теплопроводности абсолютным методом
- •27 Определение коэффициента теплопроводности относительным методом.
- •28 Схемы измерения интегральной и дифференциальной термо-эдс.
- •30 Электрохимические преобразователи и их виды.
- •31.Радиактивные преобразователи. Дифферинциальный, фотоионизац и газоразрядный радиочастотный преобразователи.
- •32Радиоактивные преобразователи. Преобразователь с термоэлектронной эммисией и пламенно-ионизационный преобразов
- •33. Химические сенсоры. Область применения, принцип работы.
- •34. Сенсоры на основе твердых электролитов. Область применения, принцип работы
- •38. Устройство аналоговых электронных приборов. Их отличие от неэлектронных приборов. Электронного вольтметра.
- •43 Устройство и принцип действия электромагнитных измерительных механизмов.
- •45 Принцип действия индукционного, вибрационного, биметаллического и теплового измерительных механизмов.
- •46 Измерение температуры терморезисторами и термопарами.
13 Измерение тока Холла.
Режим измер. тока Холла (ТХ) имеет место при холловском поле Ez=0, т.е холловские грани образца закорочены. Теоретически это выпол-ся в бесконечном образца практически реализ-ся в диске Карбино (один электрод размещен в центре диска в виде оси, а второй- по ободу диска в виде кольца). Носители заряда под действием силы Лоренца откл-ся вдоль оси z . Векторы результ-го тока и результ-го поля Ez откл-ся в разные стороны относ-но оси х. В режиме ТХ прим-ся м-ды измер. jz в разрыве токов электрода, в дан. сл. измер-ные вел-ны Ux,Ix,Iz.пропорц-ны произвед. размеров a*b*jz. Прод. и поперечн. токи = сумме токов, протек-щих вдоль токовых контактов и через них. Ix= Ix1+Ix2, Iz= Iz1+Iz2 σ-уд. провод-сть и μ-подвижность.
d-
толщина образца. М-д ТХ позв-ет проводить
измерение на более высокоомных материалах,
чем м-д ЭДС Холла. (рисунок на листе)
14 Измерение подвижности методом магнитосопротивления. Для определения концентрации и подвижности носителей заряда необходимо измерить проводимость образца и постоянную Холла. Измерения обычно проводят следующим образом: на верхней грани образца размещают два зонда 1 и 2 вдоль направления линий тока, а со стороны нижней грани устанавливают зонд 3, встречный одному из них. С помощью зондов 1 и 2 измеряют проводимость образца по двухзондовому методу, а зонды 1 и 3 служат для измерения холловской разности потенциалов.
Ez=Uн/b
– холловское электрическое поле
j=I/S=I/bd – плотность тока
Метод
магнитосопротивления:
на исслед. образец наносятся омические
контакты большой площади и через них
протекают электрический ток Ix
(вдоль
оси х).
В
поперечном МП
(вдоль оси z)
в образце возникает холловский ток Iy.
В
данном случае холловский ток не
компенсируется холловской разностью
потенциалов, так как токовые контакты
закорачивают холловское поле.
Результирующий ток в образце будет
направлен под некоторым углом
к току Iх,
что
приведет к изменению сопротивления μ
образца вдоль оси х.
μm=1/B*
- магниторезистивная подвижность
где
В – индукция МП; Метод магнитосопрот
использ для определ мехнизм рссеянияносителей
заряда.
15 Виды диэлектриков и диэлектрическая проницаемость различных веществ.
Диэлектрические измерения – определение диэлектрических хар-тик материалов (диэлпрониц, диэлектрич. потери).Применяться в аналит химии содержания влаги, чистоты соединений. Явления, происходящие в помещенных в ЭП вещ-ве м б описаны двумя теор: электротехнич и молекулярной. Электротехническая теория. Идеальный конденсатор без потерь хар-ся сдвигом по фазе на 90° между током и напряжением. Конденсатор представляет собой в общем случае две металлические пластины, разделенные слоем диэлектрика и его емкость С = ε ε0S/d (ε = С/С0), где εε0 – абсолютная диэлектрическая проницаемость вещ-в, ε- отн диэл прон в-ва, ε0 – диэл прон вак,S-площ пласт,d-расст м/у пласт. В реальных диэлектриках набл активные потери энергии, а угол сдвига фаз между током и напряжением меньше 90°. Для хар-ки потерь используют понятие угла потерь θ, который равен 90° - θ, где θ – угол сдвига между током и напряжением для конденсатора с потерями. Молекулярная теория. Различные вещ-ва в зависимости от их молекул строения можно разд на две молекул группы: неполярные соединения (вещ-ва, у кот. при отсутствии внешнего ЭП центры + и – зарядов не совпадают) и полярные (центры + и – зарядов совпадают). При наличии внешнего ЭП в неполярных вещ-вах происходит деформац поляризация или поляризация сдвига, а в полярных вещ-вах – ориентац поляризация. Активная и реативная сост-ие зависят от частоты (графики). Активная составляющая при постоянном токе или низких частотах сохраняет некоторое квазистатическое значение. При дальнейшем росте частоты, когда период ЭП становится соизмерим со временем релаксации, диэл прониц умен (начало области аномальных дисперсий). При дальнейшем росте частоты она приближается к новому постоянному значению (высокочастотной диэл.прониц).В области высоких частот ориент поляр пропадает и остается лишь деформац поляризация. Коэф.диэлектрич.потерь в области низких и высоких частот незначителен. Он резко возрастает в области аномальной дисперсии и достигает max в точке перегиба дисперсионной кривой. Время, в течение которого ориентационная поляризация уменьш-ся в ε раз после выключения поля, называется временем релаксации.
область
аномальной дисперсии