11. Вимірювання параметрів діоду

Обладнання: Джерело постійної напруги G1 -1В і G2-50В, опори R1-1к R2 , реостат, вольтметр и амперметр постійного струму PA, PV, перемикачS1.

Схеми визначення зворотної та прямої характеристики діоду:

(А) (б) Рис1 Схема для визначення зворотньої(а) ;та прямої (б) характеристики діоду.

Ознайомлення з лабораторним макетом , вимірювальними приладами, призначенням перемикачів, вимикачів, потенціометрів.

Рис 2 Монтажна плата стенду для вимірювання ВАХ діоду.

Висновок: Вивчили прийоми вимірювання параметрів діоду, вимірювальними приладами різних систем.

12. Вимірювання параметрів транзисторів

Хід роботи:

Схема вимірювання заворотного струму коллектора транзистора п-р-п приведена на рис 1

Схема вимірювання заворотного струму коллектора транзистора п-р-п.

Для перевірки транзисторів р-п-р слід поміняти полярність живлення .

Струм транзисторів малої потужності складає одиниці або десятки мікроампер, а

транзисторів середьої потужності не більш одиниці мілліампер. В відповідності до

цього вибирають межу вимірювання .

Коефіцієнт підсилення транзисторів п-р-п за постійним струмом можна визначити по схемі , яка показана нижче:

Схема вимірювання коефіцієнта підсилення транзистора

Коефіцієнта підсилення транзистора вимірюють при струмі бази більше зворотного струму колектора звичайно

В цому разі загальний струм колектора пропорційний коефіцієнту підсилення

Коефіцієнт малої потужності вимірюється при Ік від 1до 10мА, а середньої і великої потужності при Ік від 100до 1000мА

При струмі Ік0 , який не виходить за межі допуску, який вказане у паспорті , перевіряє мий транзистор вважають працюючим. Для перевірки напівпровідникових приладів за відсутності спеціальних вимірювальних пристроїв можна скористатися міліамперметром постійного струму, що дозволяє визначити зворотний струм колектора I_к0 при нульовому струмі емітера і коефіцієнт посилення по струму β.

Схема вимірювання зворотного струму колектора транзисторів p-n-p-типу показана на мал. а. Для перевірки транзисторів n-p-n-типу повинна бути змінена полярність батареї GB.

Струм I_к0 справних транзисторів малої потужності складає одиниці або десятки мікроампер, а транзисторів середньої потужності – не більше одиниць міліампер. Відповідно до цього вибирають межу вимірювання приладу РА.

Коефіцієнт посилення транзисторів p-n-p-типу по постійному струму β можна визначити по схемі, показаній на мал. би. Для транзисторів n-p-n-типу полярність батареї GB слід змінити н зворотну. Коефіцієнт посилення вимірюють при струмі бази Iб, багато більшому зворотного струму колектора Iк0. Звичайно:

.

В цьому випадку загальний струм колектора пропорційний коефіцієнту посилення β, тобто

.

При постійності струму бази можна вважати, що:

.

Коефіцієнт посилення β транзисторів малої потужності вимірюється при Iк від 1 до 10 мА, а середньої і великої потужності – при Iк від 100 до 1000 мА. Відповідно до цього вибирають межу вимірювання використовуваного приладу.

При струмі I_к0, що не виходить за межі допуску, вказаного в паспорті, транзистор, що перевіряється, вважають справним, а при струмі або його збільшенні з часом – несправним.

Несправними звичайно вважають транзистори при . Проте відбирають транзистори не по максимальному значенню β, а по значенню, рівному або близькому вказаному в документації на схему, в якій вони повинні працювати. Для деяких схем потрібний, щоб окремі пари транзисторів мали однакові значення в. Слід також пам'ятати, що застосування транзистора, в який значно перевершує рекомендоване для даної схеми, може зажадати зміни деяких її параметрів.

Транзистори можна перевіряти також омметром, вимірюючи опір постійному струму їх колекторного і емітерного переходів в прямому і зворотному напрямах. Опір емітерного переходу вимірюють між виведеннями емітера і бази, а колекторного – між виведеннями бази і колектора. Не рекомендується вимірювати опір між виведеннями емітера і колектора при розімкненому ланцюзі бази, оскільки це може привести до відмови транзистора.

Опір переходу справного транзистора в прямому напрямі повинен складати десятки Ом, а в зворотному - десятки і сотні килом. Якщо опори хоч би одного переходу в обох напрямах однакові або відрізняються трохи, то це говорить про несправність транзистора. Така перевірка справності транзисторів p-n-p n-p-n – типів заснована на уявленні їх моделями у вигляді двох стрічно сполучених діодів (мал. в, г).

Висновок: Навчилися вимірювати параметри транзисторів( коефіцієнт і зворотній струм колектора)