
labs BVP / l_r_4
.docМіністерство освіти і науки, молоді та спорту України
Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара
Факультет фізики,електроніки і комп'ютерних систем
Кафедра електронних засобів телекомунікацій
Лабораторна робота 4
з дисципліни: Елементна база
варіант 10
Формування повної інтегрованої моделі напівпровідникових приладів
Д7А; КЦ403А; 1П18Б-Ж; КС191А; ГТ108Б; КВ102В
Виконав
студент групи КТ-09-1-10
Ломакін А.І.
Перевірив
Бондаренко В.П.
Дніпропетровськ, 2011
Об’єкт лабораторної роботи – загально визначене угрупування ВЕТ
Основний зміст роботи – побудова, формування повної інтегрованої нормативної моделі класифікаційного угрупування ВЕТ
Напівпровідникові прилади: Д7А; КЦ403А; 1П18Б-Ж; КС191А; ГТ108Б; КВ102В
Інтегрована нормативна модель
1. класифікаційні моделі ( ДКПП (Державний класифікатор продукції та послуг ДК016-96))
2.ідентифікаційні моделі ( стандарти на продукцію – маркування; загальнотехнічні стандарти – позначення) підрозділяються на:
- системи – кодування ВЕТ ( абстрактні вербально – символьні моделі, літерно – цифрові коди)
- «фізичні» ідентифікаційні моделі ( маркування самих ВЕТ)
ГОСТ 10862-72 «Полупроводниковые приборы. Условные обозначения»
ГОСТ 2.730-73 «ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.
Приборы полупроводниковые.»
Диод
варрикап
Диодный мост
Диод светоизлучающий
Оптотиристор
3.термінологічні моделі ( з ними пов`язані: загальна термінологічна система і параметрична термінологічна система) ГОСТ4.137-85 «Приборы полупроводниковые силовые. Номенклаткра показателей», ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров»
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
ГОСТ 25529-82 Приборы полупроводниковые. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров.
4.конструкційні моделі ( стандарти на продукцію – конструкція), пов`язані з графічними моделями, ГОСТ 2.710-81 «Правила выполнения схем ».
5.експлуатаційні моделі
ГОСТ 25467-82 «Изделия электронной техники. Классификация по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам».
ГОСТ 11.336.907.0-81 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению.
Общие положения.
ГОСТ 11.336.907.1-81 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные.
Руководство по применению.
ГОСТ 11.336.907.5-81 Варикапы. Руководство по применению.
ГОСТ 11.336.907.6-81 Диоды выпрямительные, столбы высоковольтные.
Руководство по применению.
ГОСТ 20859-79 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические
условия.
6.електрично-параметричні моделі ( зв`язки з функціональними моделями) стандарти на продукцію – параметри та/або розміри, загальні технічні вимоги, загальні технічні умови)
ГОСТ 17465-80 «Диоды полупроводниковые. Основные параметры».
диоды
варикапы
ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».
7.теплофізичні моделі ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення)
8.геометричні моделі ( стандарти на продукцію – параметри та/або вимоги, конструкція)
ГОСТ 18472-88 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры»
9.часово-параметричні моделі (стандарти на продукцію – параметри та/або розміри, загальні технічні вимоги, загальні технічні умови)
10.процедурні моделі вимірювання параметрів (стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення ; загальнотехнічні стандарти – методи; організаційно – методичні стандарти – порядок (чого-небудь))
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения
и испытаний.
ГОСТ 18986.0-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
электрических параметров. Общие положения.
ГОСТ 18986.1-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного тока.
ГОСТ 18986.2-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного напряжения.
ГОСТ 18986.3-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
постоянного прямого напряжения и постоянного прямого
тока.
ГОСТ 18986.4-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости.
ГОСТ 18986.5-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
выключения.
ГОСТ 18986.8-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
обратного восстановления.
ГОСТ 18986.9-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
импульсного прямого напряжения.
ГОСТ 18986.10-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
индуктивности.
ГОСТ 18986.11-84 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
последовательного сопротивления потерь.
ГОСТ 18986.12-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения отрицательной проводимости перехода.
ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения пикового тока, тока впадины, пикового
напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора.
ГОСТ 18986.14-85 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
дифференциального и динамического сопротивления.
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы
измерения среднего значения прямого напряжения и
среднего значения обратного тока.
ГОСТ 18986.18-76 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента
ёмкости.
ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности.
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Методы измерения мощности излучения.
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Метод измерения временных параметров импульса
излучения.
11.процедурні моделі щодо визначення основних параметрів (стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення ; організаційно – методичні стандарти – порядок (чого-небудь))
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения
и испытаний.
ГОСТ 18986.0-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
электрических параметров. Общие положения.
ГОСТ 18986.1-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного тока.
ГОСТ 18986.2-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного напряжения.
ГОСТ 18986.3-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
постоянного прямого напряжения и постоянного прямого
тока.
ГОСТ 18986.4-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости.
ГОСТ 18986.5-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
выключения.
ГОСТ 18986.8-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
обратного восстановления.
ГОСТ 18986.9-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
импульсного прямого напряжения.
ГОСТ 18986.10-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
индуктивности.
ГОСТ 18986.11-84 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
последовательного сопротивления потерь.
ГОСТ 18986.12-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения отрицательной проводимости перехода.
ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения пикового тока, тока впадины, пикового
напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора.
ГОСТ 18986.14-85 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
дифференциального и динамического сопротивления.
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы
измерения среднего значения прямого напряжения и
среднего значения обратного тока.
ГОСТ 18986.18-76 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента
ёмкости.
ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности.
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Методы измерения мощности излучения.
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Метод измерения временных параметров импульса
излучения.
12.моделі надійності ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення)
13. механічні моделі ( стандарти на продукцію - конструкція)
14.моделі якості ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення)
ГОСТ 20859-79 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические
условия.
15. випробувальні моделі ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення)
16.графічно – символьні моделі ( стандарти на продукцію – технічні умови) підрозділяються на:
- схемні моделі ( електрично – принципова , функційна) ГОСТ 2.710-81 «Правила выполнения схем »
- кресленеві моделі ( габаритне креслення, вид загальний, збиральне креслення)
17.Математичні моделі (проектні моделі)
підрозділяються на :
- символьні ( аналітичні вирази, рівняння )
- характеристики ( графічні образи математичних залежностей )
18.Термінологічні моделі ( загальнотехнічні стандарти - терміни та визначення )
ГОСТ4.137-85 «Приборы полупроводниковые силовые. Номенклаткра показателей», ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
19.параметрично – числові моделі ( стандарти на продукцію - параметри та/або розміри) ГОСТ 17465-80«Диоды полупроводниковые. Основные параметры», », ГОСТ 18472-88 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры»
20. вимірювальна модель (стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення ; загальнотехнічні стандарти – методи; організаційно – методичні стандарти – порядок (чого-небудь))
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения
и испытаний.
ГОСТ 18986.0-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
электрических параметров. Общие положения.
ГОСТ 18986.1-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного тока.
ГОСТ 18986.2-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного напряжения.
ГОСТ 18986.3-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
постоянного прямого напряжения и постоянного прямого
тока.
ГОСТ 18986.4-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости.
ГОСТ 18986.5-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
выключения.
ГОСТ 18986.8-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
обратного восстановления.
ГОСТ 18986.9-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
импульсного прямого напряжения.
ГОСТ 18986.10-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
индуктивности.
ГОСТ 18986.11-84 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
последовательного сопротивления потерь.
ГОСТ 18986.12-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения отрицательной проводимости перехода.
ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения пикового тока, тока впадины, пикового
напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора.
ГОСТ 18986.14-85 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
дифференциального и динамического сопротивления.
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы
измерения среднего значения прямого напряжения и
среднего значения обратного тока.
ГОСТ 18986.18-76 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента
ёмкости.
ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности.
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Методы измерения мощности излучения.
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Метод измерения временных параметров импульса
излучения.
Описание полупроводниковых приборов
Д7А
Uобр.,В = 10
Iпр. max,A = 0.09
Iобр.max,мкА = 250
Fdmax,кГц = 100
КЦ403А
Среднее прямое напряжение короткого замыкания при /вп,ср = /вп.ср.макс, не более:
при Т < +25°С 4 В
при Т = —40 °С 4,5 В
Средний обратный ток холостого хода при Uобр.и. = Uобр.и.макс не более:
при Т < + 25°С 125 мкА
при Т = +85°С 250 мкА
КС191А
Мощность рассеяния,Вт 0.125
Минимальное напряжение стабилизации,В 13
Номинальное напряжение стабилизации,В 15
Максимальное напряжение стабилизации,В 16
Статическое сопротивление Rст.,Ом 70 при токе I ст,мА 2
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С 0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В 1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА 0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА 8.3 Рабочая температура,С -60...125