labs BVP / l_r_1

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України

Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара

Факультет фізики,електроніки і комп'ютерних систем

Кафедра електронних засобів телекомунікацій

Лабораторна робота 1

з дисципліни: Елементна база

варіант 10

Формування повної інтегрованої моделі діодів:

2Д115-1; 2Д239; КД413; 2Д703-С1; КЦ303; 2С591А

Виконав

студент групи КТ-09-1-10

Ломакін А.І.

Перевірив

Бондаренко В.П.

Дніпропетровськ, 2011

Об’єкт лабораторної роботи – загально визначене угрупування ВЕТ

Основний зміст роботи – побудова, формування повної інтегрованої нормативної моделі класифікаційного угрупування ВЕТ

Діоди: 2Д115-1; 2Д239; КД413; 2Д703-С1; КЦ303; 2С591А

Інтегрована нормативна модель

1. класифікаційні моделі ( ДКПП (Державний класифікатор продукції та послуг ДК016-96), УКНД – Клас 31 «Електроніка»)

2.ідентифікаційні моделі ( стандарти на продукцію – маркування; загальнотехнічні стандарти – позначення) підрозділяються на:

- системи – кодування ВЕТ ( абстрактні вербально – символьні моделі, літерно – цифрові коди)

- «фізичні» ідентифікаційні моделі ( маркування самих ВЕТ)

3.термінологічні моделі ( з ними пов`язані: загальна термінологічна система і параметрична термінологічна система) ГОСТ4.137-85 «Приборы полупроводниковые силовые. Номенклаткра показателей», ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров»

ГОСТ17465-80 «Диоды полупроводниковые. Основные параметры».

4.конструкційні моделі ( стандарти на продукцію – конструкція), пов`язані з графічними моделями, ГОСТ 2.710-81 «Правила выполнения схем ».

5.експлуатаційні моделі ( ГОСТ 21.964 , ГОСТ 15150 – 69 «Машины, приборы и другие технические изделия», ГОСТ 25467 «ГОСТ 25467-82 «Изделия электронной техники. Классификация по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам»)

6.електрично-параметричні моделі ( зв`язки з функціональними моделями) стандарти на продукцію – параметри та/або розміри, загальні технічні вимоги, загальні технічні умови)ГОСТ 17465-80 «Диоды полупроводниковые. Основные параметры», ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров», ГОСТ 18472-88 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры»

7.теплофізичні моделі ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення)ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим», ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

8.геометричні моделі ( стандарти на продукцію – параметри та/або вимоги, конструкція) ГОСТ 17465-80 «Диоды полупроводниковые. Основные параметры», ГОСТ 18472-88 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры»

9.часово-параметричні моделі (стандарти на продукцію – параметри та/або розміри, загальні технічні вимоги, загальні технічні умови) ГОСТ 17465-80»Диоды полупроводниковые. Основные параметры», ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров», », ГОСТ 18472-88 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры»

10.процедурні моделі вимірювання параметрів (стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення ; загальнотехнічні стандарти – методи; організаційно – методичні стандарти – порядок (чого-небудь)) ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим», ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

11.процедурні моделі щодо визначення основних параметрів (стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення ; організаційно – методичні стандарти – порядок (чого-небудь)) ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим», ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

12.моделі надійності ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення) ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим», ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

13. механічні моделі ( стандарти на продукцію - конструкція)

14.моделі якості ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення) ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим», ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

15. випробувальні моделі ( стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення) ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим», ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

16.графічно – символьні моделі ( стандарти на продукцію – технічні умови) підрозділяються на:

- схемні моделі ( електрично – принципова , функційна) ГОСТ 2.710-81 «Правила выполнения схем »

- кресленеві моделі ( габаритне креслення, вид загальний, збиральне креслення)

17.Математичні моделі (проектні моделі)

підрозділяються на :

- символьні ( аналітичні вирази, рівняння )

- характеристики ( графічні образи математичних залежностей )

18.Термінологічні моделі ( загальнотехнічні стандарти - терміни та визначення )

ГОСТ4.137-85 «Приборы полупроводниковые силовые. Номенклаткра показателей», ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

19.параметрично – числові моделі ( стандарти на продукцію - параметри та/або розміри) ГОСТ 17465-80«Диоды полупроводниковые. Основные параметры», », ГОСТ 18472-88 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры»

20. вимірювальна модель (стандарти на продукцію - методи контроля/випробування/аналіза/вимірювання/визначення ; загальнотехнічні стандарти – методи; організаційно – методичні стандарти – порядок (чого-небудь)) ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения»,ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока», ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока», ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости», ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения заряда восстановления», ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда», ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления», ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности», ГОСТ 18986.11-84 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь», ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления», ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока», ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости», ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Методы измерения добротности», ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецезионные. Метод измерения времени выхода на режим»,

ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временой нестабильности напряжения стабилизации», ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления», ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума», ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения»

Описание диодов:

2Д115 выпрямитель переменного тока и в импульсных устройствах

2Д239 выпрямительный диод средней мощности

Uоб/Uимп (В/В) - 100/100\

пр/Iимп (А/А) - 20/80

Uпр/Iпр (В/А) – 1.4/20

Cд/Uд (пф/В (T нс)) – (50)

Io(25) /Ioм (мА/мА) - 0.02/

Fmax (кГц) -  500

КД413 высокочастотный диод

Uоб/Uим (В/В) – 24/

Iпр/Iим (мА/мА) – 20/20

Uпр/Iпр (В/мА) - 1.0/20

Cд/Uд (пф/В (T нс)) – 0.7/0

2ДС807 импульсный диод

Uоб/Uим (В/В) – 40/60

Iпр/Iим (мА/мА) – 50/700

Tв/Qпк(Iп/Uо) нс/пк (мА/В) - /500( 50/10)

Uпр/Iпр (В/мА) - 1.0/50

Iо (мкА) – 5

КЦ303 диодный мост

2С591А стабилитрон

(Довідники з ВЕТ/Діоди/Козак В.Р. «Справочник по полупроводниковым диодам»)