Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора. Учебное пособие
.pdf
51
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Носов Ю.Р. Математические модели элементов интегральной
электроники / Ю.Р. Носов, К.О. Петросянц, В.А. Шилин. – М.: Сов. Радио, 1976. – 304 с.
2. Process and Device Simulation Tools to Accelerate Innovation
[Электронный ресурс] // Synopsys [Официальный вебсайт компании]. –
URL: http://www.synopsys.com/TOOLS/TCAD/ (дата обращения:
06.02.2017).
3. Тихомиров П. Система SENTAURUS TCAD компании
SYNOPSYS. Новое поколение приборно-технологических САПР /
П. Тихомиров, П. Пфеффли, М. Зорзи // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2006. – № 7. – С. 89.
4. Базылев В.К. Расчёт биполярных транзисторов: учеб. пособие
/ В.К. Базылев. – Рязань: РГРА. 2004. – 68 с.
5. Березин А.С. Технология и конструирование интегральных мик-
росхем: учеб. пособие для вузов / А.С. Березин, О.Р. Мочалкина; под
общ. ред. И.П. Степаненко. – М: Радио и связь, 1983. – 232 с.
6. Крутякова М.Г. Полупроводниковые приборы и основы их про-
ектирования / М.Г. Крутякова, Н.А. Чарыков, В.В. Юдин. – М.: Радио и
связь, 1983. – 352 с.
7. Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – М.: Тех-
носфера, 2008. – 512 с.
8. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы ин-
тегральных микросхем: учеб.-метод. пособие. В 2 ч. Ч. 1: Расчёт и проектирование биполярных транзисторов / Б.С. Колосницын. – Минск:
БГУИР, 2011. – 68 с.
9. Применение пакета maxima при решении прикладных инженер-
ных и экономических задач / Б.А. Акишин [и др.]. – Ростов-на-Дону:
ДГТУ, 2016. – 83 с.
10. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: учеб. для вузов
/ Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. – М.:
Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
11. Брусенцов Ю.А. Маркировка материалов электронной техники:
учеб. пособие / Ю.А. Брусенцов, В.А. Пручкин, И.С. Филатов. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. – 80 с.
52
12. Ефимов И.Е. Микроэлектроника: проектирование, виды микро-
схем, функциональная микроэлектроника: учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов / И.Е Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. – М:
Высшая школа, 1987. – 416 с.
13. Лысенко А.П. Расчёт дрейфового планарно-эпитаксиального
транзистора / А.П. Лысенко. – М.: Из-во Мoск. гос. ин-та электроники и
математики, 2005. – 22 с.
14. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-
Бруевич, С.Г. Калашников. – М.: Наука, 1977. – 672 с.
15. Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы / С. Соклоф; пер. с
англ. А.Б. Переведенцева; под ред. В.Д. Вернера. – М.: Мир, 1988. – 583 с.
16. Кремниевые планарные транзисторы / В.Г. Колесников [и др.];
под ред. Федотова. – М.: Сов. Радио, 1973. 336 с.
17. Андреев А.П. Расчёт биполярных транзисторов и тиристоров /
А.П. Андреев, В.А. Миронов, Л.К. Чиркин. – Л.: Энергия, 1990. – 72 с.
53
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………
3
1. Параметры рассчитываемого транзистора………………………..
6
2. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора
7
3. Расчет профиля легирования………………………………………
10
4. Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и
эмиттерного слоев……………………………………………………..
17
5. Приближенный расчет коэффициента передачи тока базы …..…
20
6. Расчет толщин активной части базы, ширины высокоoмной области коллектора и эпитаксиального слоя. Соответствие ширины
базы граничной частоте……………………………………………….
25
7. Расчет функции
)(
zk
Uf
, определяющей границы коллекторной
ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения………………………………
27
8. Расчет функции
)(
ze
Uf
, определяющей границы ОПЗ и значение
удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости
от приложенного напряжения…………………………………………
33
9. Проверка базы на прокол…………………………………………...
36
10. Выбор топологии кристалла………………………………………
37
11. Расчет граничной частоты…………………………………………
44
Библиографический список……………………………………………
51
54
Учебное издание
Осипенко Игорь Александрович
Попова Инна Григорьевна
Благин Анатолий Вячеславович
ОСНОВЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
МНОГОЭМИТТЕРНОГО БИПОЛЯРНОГО
ТРАНЗИСТОРА
Редактор Г.В. Владимирова
Компьютерная обработка: О.И. Пушкина
________________________________________________________
В печать 17.07.2019.
Формат 60×84/16. Объем 3,4 усл. п. л.
Тираж 100 экз. Заказ 781. Цена свободная
________________________________________________________
Издательский центр ДГТУ
Адрес университета и полиграфического предприятия:
344000, г. Ростов-на-Дону, пл. Гагарина, 1
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]