Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Физические основы методов контроля и испытания. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
– 11 –
dl
R
R
R
R
R
R
l
l
R
R
l
R
Sl
R
l
R
l
d
d
R
R
d
R
d
l
d
R
d
R
d
222
32
2
dS
21
2122
K
l
l
l
l
l
l
d
d
l
l
R
R
Относительное изменение сопротивления складывается из отно­сительного сопротивления, связанного с изменением длины и с изме­нением диаметра проводника
так как
.
, (1.7)
, (1.8)
, (1.9)
Подставляя в (1.7) формулы (1.8) и (1.9) и применяя формулу (1.6), можно получить выражение для тензочувствительности:
. (1.10)
Большинство металлов имеет в диапазоне 0,25–0,35, при этом
К изменяется в пределах от 1,5 до 1,7. Однако сплавы, используемые для тензодатчиков, имеют коэффициент К между 2 и 5.
В полупроводниковых тензодатчиках давление вызывает дефор-
мацию кристаллической решетки (пьезоэлектрический эффект), при
этом наблюдается значительно большее изменение сопротивления,
чем в металлических датчиках, и коэффициент тензочувствительности лежит в пределах 50–200.
Проволочные тензодатчики. Ненаклеиваемый проволочный тен-
зодатчик обычно состоит из четырех проволочных секций, намотан-
ных на рамки. Рамки ориентируются так, что давление, нормальное к
их плоскости, будет вызывать наклон и увеличивать напряжение в
двух секциях, в то же время уменьшая его в двух других. Проволоч-
ные секции могут быть соединены так, что образуют четыре плеча
моста. Такое подключение тензодатчиков, обеспечивая увеличение
чувствительности и степени температурной компенсации. Давление 1000 кг/см2 будет вызывать деформацию порядка 0,1%.
ся перед использованием датчика. Второй вариант позволяет улуч-
Рис. 1.7. Проволочный тензодатчик: а – вид сверху, б – поперечное сечение
шить механический и тепловой контакты между датчиком и образцом, к которому он прикрепляется.
Длинный узкий датчик измеряет деформацию в основном только
в одном направлении, а петлеобразная конструкция увеличивает его
длину при малых габаритах. Однако концы петель чувствительны к
поперечной деформации, действие которой необходимо уменьшать.
Деформация может быть измерена в нескольких направлениях с по-
мощью конструкции в виде розетки. Она может быть многослойной,
т. е. состоять из отдельных элементов, наложенных друг на друга, или планарной – в этом случае элементы не перекрываются. На рис. 1.8 показаны два примера многослойных розеток.
Наклеиваемые проволочные тензодатчики имеют небольшую
площадь поверхности. Наклеиваемые тензодатчики выпускаются с
различными значениями сопротивления: 120, 350, 500, 1000 и 5000
Ом, что обеспечивает их согласование со стандартными мостами, ис­точниками питания и измерительными системами. Если малая пло-
– 12 –
Чувствительность ненаклеиваемых тен­зодатчиков меньше, чем наклеиваемых, они также имеют большие габариты.
Наклеиваемые тензодатчики изготавли­ваются из проволоки диаметром 0,0025 см
или меньше, которая располагается зигзаго­образно, как показано на рис. 1.7. Проволока
укреплена на держателе, который обеспечи-
вает механическую жесткость и постоянство размеров. Держатель может образовывать
постоянную часть датчика, в этом случае
датчик должен иметь толщину менее 0,0025
см и быть гибким, чтобы обеспечивать меха-
нический контакт с поверхностью, на кото-
рую он наклеивается. В другом варианте
держатель может быть временным и удалять-
– 13 –
а б
Рис. 1.8. Многокомпонентные наклеивае­мые проволочные тензодатчики в виде розетки: а – 90°, б – 60°
а б
Рис. 1.9. Тензодатчики из фольги: а – однокомпонентный, б – двух­компонентный с разворотом на– 90°
щадь не требуется, то
современные датчики
изготовляются из фольги.
Такие датчики более ста-
бильны в течение дли-
тельного периода экс­плуатации.
Фольговые тензо-
датчики. Тензодатчики
из металлической фольги изготовляются фототравлснисм тонких слоев толщиной 0,0005 см или меньше из отожженного металла. На рис. 1.9 показаны два примера
структуры таких датчиков. Концы петель имеют увеличенное попе-
речное сечение, чтобы уменьшить их сопротивление и снизить эффект
нежелательной поперечной деформации. Металлическая фольга мо-
жет быть наклеена на постоянный или временный держатель, или дат-
чик формируется путем нанесения слоя металла и фототравлением непосредственно на постоянном держателе.
Фольговый тензодатчик прочный, обладает отличной линейно-
стью и малым гистерезисом. Он имеет меньшую чувствительность (значение К ниже), чем кремниевые датчики, но лучше противостоит ударам, вибрации и температурным вариациям. Чтобы уменьшить
температурные эффекты, обычно используют два одинаковых датчика
в соседних плечах измерительного моста. Оба датчика находятся при
одной температуре, но только один из них подвергается действию
– 14 –
Рис. 1.10. Тензодатчик, применяе­мый в акселерометрах
Рис. 1.11. Наклеиваемый кремние­вый тензодатчик
натяжения. Удлинение датчиков изменяется от 0,5 %, когда ис-
пользуется покрытие из металло-
керамики для работы при высо­ких температурах, до 5 %, когда
покрытие изготовляется из гиб­кого полиимида или бумаги.
На рис. 1.10 показан тензо-
датчик, используемый в акселе-
рометре. Отклонение груза при-
водит к деформации консоли, которая измеряется датчиком. Для
большей чувствительности могут быть использованы два датчика, один монтируется над консолью, другой – под ней; датчики подсое­диняются к противоположным плечам измерительного моста.
Полупроводниковый тензодатчик. Полупроводниковые тензо-
датчики изготавливаются из кремниевых кристаллов, нарезанных в
виде волокна. Применяются как наклеиваемая, так и диффузная кон-
струкции. Наклеиваемый полупроводниковый датчик по конструкции
подобен наклеиваемому металлическому датчику и дает на выходе
порядка 15 мВ на 1 В возбуждения. Диффузный полупроводниковый
датчик изготовляется путем диффузии материала датчика в поверх-
ность диафрагмы, которая представляет собой тонкий срез монокри­сталла кремния. Он имеет более высокую линейность (0,05 %) и меньший гистерезис (0,01 %),чем наклеиваемые типы, но уровень вы­ходного сигнала ниже (10 мВ/В). На рис. 1.11 показана структура,
используемая для наклеиваемого кремниевого тензодатчика.
Полупроводниковые тензо-
датчики намного чувствительнее
металлических датчиков, но ме-
нее линейны и имеют более вы-
сокую температурную чувстви-
– 15 –
Рис. 1.12. Основная магниторези­стивная характеристика
тельность. Поэтому они обычно используются с компенсационными
цепями, которые либо наносятся методом диффузии на ту же крем­ниевую основу, либо монтируются в той же гибридной упаковке.
1.4.3. Магниторезисторы
Магниторезисторные преобразователи действуют за счет силы Лоренца. Под действием этой силы в магнитном поле носители заряда движутся по искривленным траекториям, т. е. удлиняя путь тока и
увеличивая сопротивление материала. Степень отклонения электро-
нов зависит от подвижности носителей заряда; она максимальна в
полупроводниках. Магниторезисторы изготовляют из антимонида индия (= 78000 см2/В) или арсенида индия(= 24000 см2/B·с).
Магниторезисторы чувствительны к общему магнитному полю, а
не к скорости его изменения. Это важно для переносных датчиков, которые могут двигаться с неопределенной скоростью.
На рис. 1.12 показана магниторезистивная характеристика. Здесь H0 – эффективное поле анизотропии в металле, которое представляет
собой сумму размагничивающего поля анизотропии и поля анизотро-
пии, возникающего в элементарном процессе осаждения материала. В отсутствие внешнего поля вдоль элемента длины в точке 0 образуется
доменная намагниченность. С ростом поля сопротивление возрастает до тех пор, пока на участке b элементы не повернутся на 45° относи-
тельно элемента длины. Дальнейшее нарастание поля приводит к на-
сыщению на участке с. Магниторезистор может работать в точке 0 или на участке b с помощью
внешнего магнита, создающего смещение. На участке b прибор
обладает линейной характери­стикой.
Магниторезистивный эф-
фект возрастает с уменьшением
отношения длины к ширине (l/w) прибора (рис. 1.13). Для
получения высокого внутренне-
– 16 –
Рис. 1.13. Магниторезистивные кривые для приборов различной геометрии
Рис. 1.14. Линии тока в растровом маг­ниторезистивном элементе: а – без магнитного поля, б – в магнитном поле
го сопротивления при от-
сутствии магнитного поля
и большого изменения со-
противления с ростом маг-
нитного поля несколько
приборов с низкими отно­шениями l/w могут соеди­няться последовательно.
Это может быть сделано
нанесением металлической пленки на длинный кусок полупроводника
и травлением части ее поверхности до образования растра с коротко­замыкающими проводящими перемычками (рис. 1.14, а). Когда при-
кладывается магнитное поле, токовые линии поворачиваются на хол-
ловский угол
проводников эквипотенциальны, ток возвращается по ним к противо-
положной стороне кристалла, а в каждой следующей полупроводни-
ковой секции вновь течет под углом . Внутреннее сопротивление
устройства можно менять в широких пределах выбором отношений
l/w.
Вместо короткозамыкающих проводящих перемычек, располо-
женных поперек полупроводника, чаще применяется структура с па-
раллельно–ориентированными кристаллами металлического антимо-
(см. рис. 1.14, б). Так как поверхности металлических
нида никеля. Эти кристаллы
действуют как внутренние
короткозамыкающие пере-
мычки. Без магнитного поля
линии тока располагаются
под прямым углом к экви-
потенциальным поверхно-
стям металлических кри-
сталлов, но под действием
приложенного поля линии
– 17 –
Рис. 1.15. Полупроводник с внутренними короткозамыкающими металлическими кристаллами: а – путь тока в отсутствие магнит­ного поля; б – путь тока в магнитном поле (масштаб увеличен)
Рис. 1.16. Влияние направления магнит­ного поля на магнито­резистор: а и б – на­правления поля, в – кривая сопротивления
тока поворачиваются на холловский угол ные траектории в материале (см. рис. 1.15).
Магниторезисторы получаются осаждением пленки толщиной около 25 мкм из антимонида индия – антимонида никеля на подложку
толщиной 0,1 мм. Пленка имеет форму меандра; сопротивление при
отсутствии магнитного поля может варьиро-
ваться изменением размеров этого меандра и числа петель.
Пленка изолируется от подложки, кото-
рая может быть изготовлена из магнитного
материала с тонким изолирующим покрытием
из немагнитного материала, например кера­мики или пластмассы.
Сопротивление зависит от направления магнитного поля, как показано на рис. 1.16.
Максимальное изменение сопротивления
имеет место, когда кристаллы антимонида
никеля параллельны друг другу, а магнитное
и электрическое поля направлены под углом
друг к другу. Температурный отклик магни-
торезисторов зависит от материала легирую-
щих примесей. Как правило, сопротивление
уменьшается с температурой и падение со-
противления происходит быстрее после при-
ложения магнитного поля, так что отношение
и образуют зигзагообраз-
– 18 –
сопротивления в магнитном поле к сопротивлению в отсутствие поля уменьшается с температурой.
Магниторезисторы имеют низкие шумы, если только в материа-
ле не возникают трещины из–за ошибочного монтажа. Так как уст-
ройство обладает объемным сопротивлением, оно не подвержено воз-
действию поверхностных эффектов и характеризуется очень малым
старением. В основном старение происходит из–за порчи эпоксидных
смол, применяемых, чтобы заключить устройство в корпус или при­крепить полупроводник к подложке.
1.4.4. Фотосопротивления
В основе фоторезистивных датчиков используется принцип ге-
нерации электронно-дырочных пар в материале при его освещении,
при этом электроны переходят из валентной зоны в зону проводимо­сти, уменьшая объемное сопротивление.
Материалы, наиболее часто используемые для видимого света, –
это керамическая подложка из окиси алюминия, покрытая слоем сульфида кадмия CdS или селенида кадмия CdSe. Приборы изготов-
ляют различными методами, например, с помощью спекания, обжига,
осаждения из газовой фазы, вакуумного напыления, химического
осаждения. Они делаются с большой чувствительной поверхностью,
при этом необходимо высокое отношение темнового и светового со-
противлений, которые обычно изменяются от 10 МОм до 10 кОм.
Спектральная чувствительность сульфида кадмия лежит в области 0,6 мкм, а для селенида кадмия – 0,72 мкм. Эти два материала можно
смешивать, чтобы получить чувствительность в области 0,66 мкм. Для инфракрасного диапазона можно использовать сульфид свинца РЬS или селенид свинца РЬSе, которые имеют максимум спектральной
чувствительности в области 2,2 мкм. Спектральная кривая селенида
свинца имеет относительно плоский участок в диапазоне от 1,8 до 3,6 мкм [2].
Преобразователи на фоторезисторах относительно дешевы, ра-
ботают при любом направлении тока и могут выдерживать высокое
напряжение и высокий уровень рассеиваемой мощности. Их основной
– 19 –
3
0
)
100
)(1
100
()1
100
)(
100
()1(
1 tttt
R
R
t
t
недостаток состоит в инерционности: постоянная времени для селе­нида кадмия составляет около 10 мс, для сульфида кадмия – около 100 мс, для селенида свинца – около 10 мкс и для сульфида свинца –
около 500 мкс. Фоторезисторы обладают также гистерезисом. Это
означает, что проводимость ячейки зависит от интенсивности и про-
должительности предыдущего облучения. Эффект гистерезиса наибо-
лее заметен при низких световых уровнях. Благодаря низкой стоимо-
сти и высокой чувствительности фоторезисторы нашли применение
для включения уличного освещения, в фотоэкспонометрах и низко­скоростных промышленных счетчиках.
1.4.5. Термометры сопротивления
Уравнение Коллендара для температурных измерений в провод­нике было представлено в 1924 г. ван Дузеном в виде
, (1.11)
где Rt – сопротивление при t °C; R0 – сопротивление при 0°С, а , ,  – константы, найденные путем измерений сопротивления при темпе­ратурах, соответствующих точкам кипения воды (100 °С), затвердева­ния цинка (419,58 °С) и кипения кислорода (– 182,96 °С) соответст­венно.
Термометры сопротивления обычно делают из проволоки, намо-
танной на каркас, хотя в случаях, когда требуется более высокое бы-
стродействие, используется металлическая фольга. Материал должен
иметь высокий температурный коэффициент сопротивления, высокое
удельное сопротивление (для достижения большого сопротивления
при малых физических размерах), стабильные характеристики, испы-
тывающие малые изменения при многократных нагревании или охла-
ждении и во времени, хороший отклик, устойчивость к ударам и виб­рации. Отожженая платиновая проволока высокой чистоты – наиболее
часто используемый материал. Он характеризуется линейной зависи-
мостью сопротивления в широком диапазоне температур. Платиновый
термометр сопротивления используется в качестве эталонного прибо-
ра для международной термометрической шкалы в диапазоне от точки
– 20 –
кипения жидкого кислорода (– 182,96 °С) до точки плавления сурьмы (630,74 °С).
Температура для платинового термометра сопротивления может
быть найдена по уравнению (1.11). Ошибка меньше ±0,1 °C при тем­пературах ниже 500 °С, но может достигать ± 1 °С при температурах более 550 °С. Платиновый термометр сопротивления имеет хорошую
долговременную стабильность, высокую точность и воспроизводи­мость измерений. Его калибровочный дрейф менее 0,1°/год.
Никель и никелевые сплавы также используются в термометре
сопротивления. Их температурный коэффициент сопротивления при-
мерно в два раза выше, чем у платины, так что они более чувстви-
тельны. Температурный коэффициент сопротивления никеля порядка 0,0062 Ом/°С.
Медь имеет температурный коэффициент сопротивления не-
сколько более высокий, чем у платины. Она может работать в диапа­зоне от –200 до +150 °C, так как медь окисляется при более высоких температурах. Из-за низкого удельного сопротивления меди должна
использоваться тонкая проволока, чтобы ограничить размеры прибора
и улучшить его время отклика. Медь имеет линейный температурный коэффициент сопротивления в диапазоне от – 50 до +150 °С, и иногда
ее использование предпочтительнее платины для измерений при тем-
пературах, близких к температуре окружающей среды. Иногда ис-
пользуется вольфрам; он имеет хороший температурный коэффициент
сопротивления, но трудно поддается обработке и слишком хрупок, что снижает надежность приборов.
Преимуществами термометров сопротивления являются хорошая
воспроизводимость, стабильность, точность и линейный выход. Их недостатки – относительно большие размеры, значительное время
отклика и высокая стоимость. Они, как правило, имеют сопротивле­ние 100Ом при 0 °C, которое изменяется на 0,3 Ом/°С. Провода, со-
единяющие датчик и измерительный прибор, могут иметь сопротив-
ление несколько десятых ома, поэтому нужно использовать метод
измерений четырехполюсника, чтобы уменьшить ошибки за счет со­единительных проводов.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]