ЭБНЭ_full

Постоянная память

EPROM UFEPROM, EEPROM, Flash

Память

Постоянная память

3D Flash

Планарная память структуры NAND

«Samsung» V-NAND

GAA-gate-all-around

Плавающий затвор обладает способностью удерживать заряд в течение длительного времени.

При уменьшении техпроцесса заряд может перетекать из одной ячейки в другую. Для решения этой проблемы Samsung использует технологию 3D Charge Trap Flash, что в переводе с английского означает «ловушка заряда».

Si3N4, являясь, по сути, диэлектриком, этот материал способен хранить заряд, что позволяет использовать его в качестве запоминающей ячейки.

По сравнению с диоксидом кремния (SiO2), бОльшая концентрация электронных и дырочных ловушек нитрида кремния как раз и позволяет использовать материал для хранения данных.

При этом такой параметр, как диэлектрическая проницаемость у нитрита кремния (Si3N4) выше, чем у диоксида кремния - 7 против 3.9, что позволяет снизить токи утечки и более надежно хранить заряд.

Samsung,V-NAND

Трехмерная ячейка 3D V-NAND представляет собой цилиндр, внешний слой которого является управляющим затвором, а внутренний – изолятором. Ячейки располагаются друг над другом и формируют стек, внутри которого проходит общий для всех ячеек цилиндрический канал из поликристаллического кремния. Количество ячеек в стеке эквивалентно количеству слоев флешпамяти.

3D V-NAND память также может похвастаться более высокой скоростью работы. Этого удалось достичь за счет упрощения алгоритма записи в ячейку – теперь вместо трех операций выполняется всего одна. Упрощение алгоритма стало возможным благодаря меньшей интерференции между ячейками.

В случае с планарной памятью из-за возможных помех между соседними ячейками

требовалсядополнительныйанализперед

записью. Вертикальная память свободна от этой проблемы, и запись выполняется за один шаг.

3D V-NAND память значительно меньше подвержена износу благодаря тому, что для записи информации в ячейку не требуется высокого напряжения.

Постоянная память

3D Flash

BiCS 3D NAND использует U-образные строки (линий). Это означает, что ячейки группируются не в ряд, а в имеющую форму буквы U последовательность. По словам Toshiba, такой подход позволяет добиться

максимальной надежности и скорости работы.

Это стало возможным благодаря тому, что в U- образном дизайне переключающий транзистор и линия истока располагаются в верхней части последовательности (а не в нижней, как при «рядном» дизайне) и не подвергаются высокотемпературному воздействию, вследствие чего уменьшается количество ошибок при чтении и записи. Также такая конструкция не требует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолете.

Постоянная память

3D Flash

Создание структуры SGVC 3D NAND по технологии для

GAA