ЭБНЭ_full
.pdf
Масочные ЗУ [ROM(M)]
Устойчивая работа (хранение заряда) |
Маски: И-НЕ ИЛИ-НЕ |
Невозможно перезаписать |
|
– Область диффузии
– Поликремний
– Металл 1
– Область контакта
а |
б |
в |
Ячейка памяти ROM (ИЛИ-НЕ) с программированием слоя контакта
Масочные ЗУ [ROM(M)] |
|
Устойчивая работа (хранение заряда) |
Маски: И-НЕ ИЛИ-НЕ |
Невозможно перезаписать |
|
- Область диффузии |
|
- Поликремний |
|
- Металл 1 |
|
– Область контакта |
|
- Область имплантации |
|
а |
б |
Ячейка памяти ROM (ИЛИ-НЕ) с активным программированием, данные закодированы пороговым уровнем транзистора
Масочные ЗУ [ROM(M)] |
|
Устойчивая работа (хранение заряда) |
Маски: И-НЕ ИЛИ-НЕ |
Невозможно перезаписать |
|
-Область диффузии
-Область имплантации
-Поликремний
а |
б |
Ячейка памяти ROM (И-НЕ) с активным программированием, данные закодированы пороговым уровнем транзистора
Масочные ЗУ [ROM(M)] |
|
Устойчивая работа (хранение заряда) |
Маски: И-НЕ ИЛИ-НЕ |
Невозможно перезаписать |
|
- Область диффузии |
|
- Поликремний |
|
- Металл 1 |
|
– Область контакта |
|
а |
б |
Ячейка памяти ROM (И-НЕ) с металлическим программированием слоя, информация закодирована «обходом» транзистора
Типы запоминающих устройств
программирования ИС - 50 70 %. восстановление металлических перемычек в процессе эксплуатации
Постоянная память
EPROM UVEPROM, EEPROM, Flash
Intel 1971 г.
Постоянная память
EPROM UVEPROM, EEPROM, Flash
Управляющий затвор
Оксид |
|
|
Сток |
Исток |
Toshiba 1973 г. |
|
1977 г. Intel
Подзатворный |
Плавающий затвор |
Постоянная память
EPROM UFEPROM, EEPROM, Flash
Постоянная память
UVEPROM
слой окисла между плавающим затвором и подложкой ~50 нм
Постоянная память
UVEPROM
-10 мкС >103