ЭБНЭ_full
.pdf
Эволюция систем хранения данных
1928 г. Перфокарты IBM |
1930-е г. конденсаторы 1940-е г. Вакуумные лампы 1946 г. селектрон |
1948 г. «Трубка Уильямса» 1950 г. Магнитный барабан |
1955 г. Память на |
1955 г. Память на |
|
основе плавких |
|
|
ферритовых |
|
|
перемычек |
|
|
сердечниках |
|
|
|
1956 г. Жесткий магнитный диск1967 г. Гибкие магнитные диски1969 г. Полупроводниковая память1979 г. Оптический дис
Полупроводниковая память
Управляющ ПодзатворныПлавающи |
Плавающи |
Управляющ |
||||
ий затвор |
й диэлектрик й затвор |
|
й затвор |
ий затвор |
||
|
|
|
|
Подзатворны |
диэлектр |
|
Сто |
Исто Сто |
Исто |
|
Сто |
Исто ик |
|
к |
к |
|
к |
й диэлектрик |
к |
|
к |
|
к |
||||
1969 г.
Полупроводниковая
память
1972 г. Память на основе |
1973 г. Память на основе |
|
транзистора с плавающим |
транзистора с двумя |
|
|
затвором |
затворами |
|
Затвор |
|
|
Плавающ |
|
|
ий затвор |
|
Сто |
Исток |
|
к |
|
|
Размер ячейки 2Т
1979 г. EEPROM |
1984 г. Flash-память |
|
энергозависимые
временное хранение данных, возникающих в процессе функционирования устройства
ОЗУ (оперативные запоминающие устройства)
Статические
SRAM
при наличии питающего напряжения, может сохранять записанную информацию как угодно долго без всяких обращений к ней.
Динамическ ие DRAM
требует
постоянной <регенерации>, то есть считывания и повторной записи в соответствующ ие ячейки.
микросхемы памяти
энергонезависимые
константы, таблицы, не меняющиеся или редко меняющиеся данные
ПЗУ (постоянные запоминающие устройства).
по способу занесения информации и по способу ее стирания
Однократно |
Программируемые |
||
программируемая |
|||
электрическим током PROM |
|||
(С масочным |
|||
(Programmable Read Only |
|||
программированием) |
|||
Memory) |
EPROM |
||
(ROM (Read Only |
|||
OTP(One Time |
(Erasable |
||
Memory)) |
Programmable) |
||
Programmable |
|||
|
|
||
|
|
Read Only |
|
|
Стираемые |
Memory). |
|
|
ультрафиолетом |
|
|
UV-EPROM Электрически стираемые
EEPROM
Типы запоминающих устройств
Статические ОЗУ (SRAM)
меньшие непроизводительные затраты (для некоторых типов) более
высокая скорость чтения
меньшие непроизводительные затраты (для некоторых типов) более высокая
скорость чтения ед. нс
> 1016
– Область диффузии
– – Поликремний
Типы запоминающих устройств
Динамические ЗУ (DRAM)
высокая скорость записи – ед. нс малые размеры ячеек памяти (высокая плотность для хранения) > 1016
Типы запоминающих устройств
Динамические ЗУ (DRAM)
высокая скорость записи малые размеры ячеек памяти (высокая плотность для
Типы запоминающих устройств
Масочные ЗУ [ROM(M)]
Элементами связи могут быть диоды, биполярные транзисторы, МОП-транзисторы. Программируются с помощью одной из масок при изготовлении ЗУ.
Диодные ЗЭ
Типы запоминающих устройств
Масочные ЗУ [ROM(M)]
Элементами связи могут быть диоды, биполярные транзисторы, МОП-транзисторы. Программируются с помощью одной из масок при изготовлении ЗУ.
Матрица МОП-транзисторных элементов
Масочные ЗУ [ROM(M)] |
|
Устойчивая работа (хранение заряда) |
Маски: И-НЕ ИЛИ-НЕ |
Невозможно перезаписать |
|
– Область диффузии
– Поликремний
– Металл 1
– Область контакта
Размер ячейки 1Т
а |
б |
|
Ячейка памяти ROM (ИЛИ-НЕ) с активным программированием, логическое состояние закодировано присутствием или отсутствием транзистора