ЭБНЭ_full

КНИ-структура "кремний ни на чём"

Технологии многозатворных МОПТ

Технология КНИ является естественным шагом для перехода от чисто планарного принципа интеграции к объемной (3D) интеграции. Одна из главных целей объемной интеграции – подавление геометрических короткоканальных эффектов – реализуется в технологиях многозатворных МОПТ.

Структуры КНИ многозатворных (multiple gate) транзисторов: (А) планарный транзистор с двойным затвором (double-gate −DG); (Б) FinFET; (В) тройной (П- затвор); (Г) круговой затвор

Нанотранзисторные структуры

транзисторы с двойным затвором

Double Gate

Примеры двухзатворной МОП-структуры: A: DELTAМОП-транзистор; B: FinFET.

Первым изготовленным двухзатворным КНИ МОПтранзистором был «полностью обедненный тонкоканальный транзистор (DELTA)». Прибор создан в возвышающемся узком кремниевом островке, называемым «пальцем», «ногой» или «плавником». FinFET структура подобна DELTA, за исключением наличия диэлектрического слоя, называемого «твердой маской» на верхушке кремниевого плавника. Твердая маска используется для предотвращения образования паразитных инверсионных каналов в верхних углах прибора.

многозатворные МОПТ

транзисторы с двойным затвором

Главный недостаток подобных структур – усложнение технологии производства. Планарная технология совершила в свое время революцию, сделав изделия микроэлектроники доступными именно вследствие своей простоты и относительной дешевизны в массовом производстве. Технология изготовления FinFET транзисторов существенно сложнее, но она вполне совместимы с уже существующей планарной технологией.

Нанотранзисторные структуры