Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
экзамен пром. электороника.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
11.07.2024
Размер:
112.1 Кб
Скачать

20. Описать структуру симисторов и сферу использования.

Структура состоит из слоев с p и n приводимостью и из контактов основного и управляющего воздействия. Всего содержится 5 слоев pn типа. Область между ними называются pn переходом, где минус это n слой, а плюс p слой и соответственно высокое значение сопротивление в обратном направлении. Пробой p-n перехода происходит при напряжении несколько тысяч вольт.

Использование симистора. Основное использование-применение в качестве твёрдотельного реле. Для него характерно малое напряжение пускательного тока для нагрузки с большими токами, также используется в качестве регулятора интенсивности освещения и управления скорости вращения электромотора.

21. Охарактеризовать тиристоры, их ВАХ и основные параметры.

Тиристор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами.

Тиристоры бывают:

1. Тиристор диодный (динистор)-имеет 2 вывода, не проводит ток в обратном направлении.

2. Тиристор триодный (тринистор)-имеет 3 вывода, не проводит ток в обратном направлении.

ВАХ всех тиристоров имеет участок отрицательного дифференциального сопротивления. Амплитуда максимальных токов некоторых тиристоров достигает десятков тысяч ампер, а напряжение анод-катод достигает нескольких киловольт.

Общие параметры тиристоров:

1. Напряжение включения-минимальное анодное напряжение, при котором тиристор включается.

2. Прямое напряжение-прямое падение напряжения при максимальном токе анода.

3. Обратное напряжение-максимально допустимое напряжение в закрытом состоянии.

22. Охарактеризовать динисторы, их ВАХ и основные параметры.

Динистор — полупроводниковый прибор с двумя выводами и представляющий собой полупроводниковую p-n-p-n-структуру.

Переходит в открытое состояние при повышение напряжения между его выводами. Имея 3 электронно-дырочного перехода.

Если к аноду приложить отрицательное напряжение, а к катоду положительно, то коллекторный переход будет открыт, а эмиттерный закрыт. Зоной p1, p2 не преодолеют поступающих из анода к катоду основные носители, а значит они не достигнут базы. В результате течения небольшой обратно ток неосновных носителей- динистор закрыт.

К аноду большое отрицательное напряжение, а к катоду большое положительное, кто произойдёт большой лавинный пробой что видно на ВАХ.

I – участок открытого состояния динистора, на котором его проводимость высока; II – участок отрицательного сопротивления; III – участок пробоя коллекторного перехода; IV – участок в прямом включении, на котором динистор заперт, и приложенное к его выводам напряжение меньше, чем необходимо для возникновения пробоя; V – участок обратного включения динистора; VI – участок лавинного пробоя.

Если от источника питания к аноду динистора приложим небольшое положительное напряжение, а к катоду незначительное отрицательное напряжение, то коллекторный переход будет закрыт, а эмиттерные переходы станут открыты. Носители зарядов поступают из области катода n2 в зону p2 (электроны), а из области анода p1 в зону n1 (дырки). В указанных зонах баз носители заряда уже станут неосновными, и в результате в этих зонах возникает рекомбинация носителей зарядов, и из-за неё концентрации свободных носителей зарядов станут меньше. Поле коллекторного перехода будет ускоряющим для ставших неосновными носителей заряда, которые ввиду инжекции его преодолевают и оказываются в зонах, где они вновь будут основными. В областях p1 и n2 эти носители зарядов снова станут неосновными и вновь рекомбинируют. По причине рекомбинаций носителей зарядов проводимость динистора на участке IV мала и протекающий через него обратный ток также мал.

Если начать увеличивать постоянное напряжение, прикладываемое к динистору в прямом включении, то возрастает ширина коллекторного перехода и скорость носителей заряда, и становятся меньше интенсивности рекомбинаций, а прямой ток через динистор медленно возрастает. Чем больше будет прямое напряжение, тем интенсивнее станет ударная ионизация, порождающая новые носители заряда, что при определённом напряжении включения приведёт к лавинному пробою коллекторного перехода. Пробой сопровождает резкое увеличение проводимости динистора в прямом включении. Динистор открывается, и на нём будет падать небольшое остаточное напряжение.