Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
экзамен пром. электороника.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
11.07.2024
Размер:
112.1 Кб
Скачать

14. Биполярные транзисторы: строение, классификация.

Строение: эмиттер-это слой, который сильно легирован, чтобы вводить большое количество носителей заряда (электронов или дырок) в базу. База- тонкий слой с малой концентрацией легирующих примесей, через который проходит основной ток носителей заряда. Коллектор-слой, который собирает носители заряда, прошедшие через базу, и часто имеет большую площадь для эффективного сбора заряда.

Биполярные транзисторы классифицируются по нескольким признакам:

По типу проводимости: NPN (состоит из слоя p-типа между двумя слоями n-типа), и PNP (состоит из слоя n-типа между двумя слоями p-типа).

По мощности:

Маломощные: применяются в схемах с низкими токами и напряжениями.

Среднемощные: используются в устройствах средней мощности.

Высокомощные: применяются в схемах с высокими токами и напряжениями.

По частотному диапазону: низкочастотные, высокочастотные,

По области применения: усилительные, ключевые.

15. Описать лазерные, лавинные PiN-диоды.

Лазерные диоды: лазерные диоды используются для генерации когерентного света. Они состоят из полупроводникового материала с п- и n- областями, между которыми образуется активная зона, где происходит излучение света под действием инжектированных электронов и дырок.

Лавинные диоды: лавинные диоды являются усовершенствованными фотодиодами, усиливающими электрический сигнал. Они используют принцип внутреннего умножения, где фотон вызывает каскад ионизации в активной области, увеличивая ток и улучшая чувствительность.

PiN-диоды: их применяют для высокочастотных и высоковольтных приложений, таких как выпрямление переменного тока и детекторы, благодаря хорошей переносимости электронов и дырок и высокой прозрачности для высоких частот.

16. Охарактеризовать режим работы биполярного транзистора.

Режим работы

1. Активны-эмиттерный переход смещен в прямом направлении (открытый), а коллекторный в обратном (закрыты).

2. Режим отсечки-оба перехода смещены обратном направлении (закрытый).

3. Режим насыщения-оба перехода открыты в прямом направлении.

4. Инверсный режим-коллектор смещён в прямом направлении, а эммитер в обратном. При инверсном включении параметры транзистора существенно отличается от параметров в нормальном состоянии.

17. Дать понятие полевого транзистора. Описать основные его виды.

Полевым транзистором (ПТ) называется полупроводниковый радиокомпонент, используемый для усиления электрического сигнала. Полевой транзистор делится на: транзистор с управляющим p-n переходом и транзистор с изолированным затвором. И те и другие могут быть n канальные и p канальные, к затвору первого нужно прикладывать положительное управляющее напряжение, а ко вторым-отрицательная относительно истока.

18. Охарактеризовать схемы включения и режимы работы полевых транзисторов.

Схемы включения

1. С общим стоком. Используется чаще всех, дает усиление по току и мощности.

2. С общим затвором. Редко используется. Низкое входное сопротивление.

3. С общим истоко. Усиление напряжения прямо пропорциональным входному сопротивлению.

Режимы работы

Рабочий режим транзистора при напряжении либо 0, либо обратное. За счет нулевого можно прикладывать, используется в усилениях класса А и других схемах, где нужна плавная регулировка. Режимы отсечки наступает, когда напряжение будет напряжению отсечки. Для каждого транзистора оно будет своё, но в любом случае прикладывается обратно.

19. Дать определение симисторов, строение и принцип действия.

Симистор — полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока.

Управляющий электрод выводится на ту же сторону что и катод. Анод служит основанием устройства. Выглядит как шестеренка на крепежной шпильке на которой нарезана резьба. Катод и управляющий электрод отделены от основания изоляции. Благодаря особенностей проводимости электрического тока в обе стороны, симистор может выполнять функции трёх электродного полупроводникового прибора. Может переходить из закрытого положения в открытое и работать при обеих полярностях напряжения. В соответствии с устройством полупроводниковой структуры при включении в основную цепь переходит в состояние проводимости. При поступлении на управляющий электрод положительного напряжение в обоих направлениях.