5. Компенсационные стабилизаторы напряжения непрерывного действия, схема, принцип действия.

Для получения высококачественного напряжения питания электронных блоков при изменении напряжения сети и других источников энергопитания, а также при изменении тока нагрузки, применяются компенсационные стабилизаторы напряжения. В настоящее время широко используются стабилизаторы напряжения в интегральном исполнении - интегральные стабилизаторы напряжения (ИСН).

1- задатчик, с помощью которого устанавливается заданное выходное напряжение;

2- датчик обратной связи, контролирующий действительное выходное напряжение стабилизатора;

3- усилитель сигналов рассогласования между заданным и действительным напряжением стабилизатора;

4- регулирующий элемент, с выхода которого снимается напряжение необходимой мощности. Регулирующий элемент, включенный по схеме эмиттерного повторителя, передает изменение входного напряжения непосредственно на выход с коэффициентом передачи К_п1, близким к единице.

В процессе работы стабилизатор все время стремится устранить (скомпенсировать) разницу между заданным (входным) и действительным (выходным) напряжением. Поэтому подобные схемы стабилизаторов называют компенсационными СН.

Принцип действия: допустим, что по каким-то причинам напряжение на выходе стабилизатора увеличивается (например, возросло U_вх). Тогда увеличивается напряжение на выходе регулирующего элемента и резистивного делителя R1, R2. Это изменение выходного напряжения поступает на инвертирующий вход дифференциального усилителя сигналов рассогласования 3. Сигнал с выхода усилителя уменьшается, что призакрывает регулирующий элемент и уменьшает напряжение на выходе.

6. Р-n-p и n-p-n транзисторы, устройство, принцип действия биполярного транзистора.

Транзистором называется полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрических сигналов по мощности.

Биполярный транзистор имеет трехслойную полупроводниковую структуру и содержит два p-n перехода. В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n. Рассмотрим в качестве примера транзисторную структуру p-n-p типа, выполненную по сплавной технологии. Пластина полупроводника n-типа является основанием или базой конструкции. Два наружных p-слоя создаются путем диффузии в них акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из слоев называется эмиттерным, а другой- коллекторным. Такие же названия носят и p-n переходы, создаваемые этими слоями со слоем базы, а также внешние выводы от этих слоев

Рассмотрим в качестве примера транзисторную структуру p-n-p типа, выполненную по сплавной технологии. Пластина полупроводника n-типа является основанием или базой конструкции. Два наружных p-слоя создаются путем диффузии в них акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из слоев называется эмиттерным, а другой- коллекторным. Такие же названия носят и p-n переходы, создаваемые этими слоями со слоем базы, а также внешние выводы от этих слоев.

Основное назначение эмиттерного перехода - инжектирование (эмиттирование) зарядов в базу, назначение коллекторного перехода – сбор носителей заряда, прошедших через базовый слой. Площадь коллекторного перехода делают больше площади эмиттерного перехода: это позволяет более полно собирать носители, инжектированные эмиттером и прошедшие через базовый слой.

Принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управлении выходным током за счет изменения входного тока. Следовательно, биполярный транзистор управляется током.