6.6 Анализ пленок

Анализ пленок, полученных на установке «CarolineD12A» методом импульсного магнетронного напыления проводился различными способами. Например, измерение скорости роста осаждаемых пленокAl,CuилиCrсводилось к измерению их толщин и контролю времени самого процесса напыления. Измерение толщин, полученных слоев проводилось, как на традиционном микроинтерферометре МИИ-4, так и на более современном приборе – профилографе – профилометре типа (KLATencorP-16⁺» по известным методикам.

Равномерность распределения толщины конденсата контролировалась в различных точках поверхности подложки цифровым измерителем удельного поверхностного сопротивления (ЦИУПС) работа которого основана на использовании известного четырехзондового метода.

Кроме этого качество поверхности, а так же структура пленок, получаемых на установке «Caroline D12A» методом импульсного магнетронного распыления, контролировалась с использованием растрового электронного микроскопа «Supra-25» (Германия).

Заключение

В промышленное производство тонкопленочных элементов ИС интенсивно внедряется метод магнетронного распыления материалов, который становится одним из важнейших техно­логических методов получения пленок.

В одной из обзорных статей это устройство названо «прекрасным образцом долгожданного высокоско­ростного источника распыления». Делая замечания о том, что основа этого принципа исходит из работ Пеннинга (1939 г.), автор упомянутой статьи Р. Вейте пишет: «Конструкция плос­кого магнетронного распылительного устройства являет со­бой пример ошеломляюще очевидного решения технологиче­ской проблемы, которая не поддавалась решению и осущест­влению в течение более чем 30 лет».

Идея создания планарного магнетрона, витала в воздухе еще в начале 70-х годов и именно тогда, была предложена конструкция такого устройства с использованием локализации разрядной плазмы магнитным полем арочной конфигурации с замкнутым дрей­фом электронов.

К настоящему времени накоплен значительный опыт раз­работки и использования магнетронов для решения различ­ных технологических задач. Однако следует считать, что магнетроны находятся в начальной стадии своего развития, и потому предоставляют широкий простор для технической фантазии исследователей и инженеров.

Многие вопросы, связанные с физическими процессами, происходящими в магнетроне, еще не ясны. Это объясняется мно­гообразием и сложностью взаимосвязанных и труднораздели­мых для аналитических и экспериментальных исследований процессов, происходящих в магнетроне, несмотря на его, от­носительно конструктивную простоту.

Перспективная значимость магнетронов оправдывает ши­рокое развертывание исследовательских и конструкторских работ, направленных на создание новых модификаций например импульсных МРС [13], а так­же на совершенствование и оптимизацию этих устройств. Не трудно предвидеть, что в тонкопленочной технологии ближай­шего будущего магнетроны серьезно потеснят другие тради­ционные методы нанесения тонких пленок, особенно в про­мышленных установках полунепрерывного и непрерывного действия.