- •Глава 1. Введение. Классификация волоконно-оптических измерительных систем.
- •Глава 2 . Физические эффекты, используемые в оптических измерительных системах.
- •1. Электрооптический эффект.
- •2. Упруго-оптический эффект или эффект фотоупругости.
- •3. Магнитно-оптический эффект Фарадея.
- •4.Эффект электрогирации.
- •5.Эффект Саньяка.
- •6. Эффект электроабсорбции ( эффект Франца – Келдыша ).
- •7.Температурная зависимость ширины запрещённой зоны полупроводника.
- •8. Температурная зависимость излучения абсолютно чёрного тела.
- •9. Изменение спектра люминесценции или времени затухания люминесценции.
- •10. Изменение интенсивностей спектральных компонент рамановского рассеяния.
- •11.Эффект Допплера.
- •Глава 3. Параметры и характеристики волоконно-оптических измерительных систем.
- •1. Измерительная характеристика.
- •2. Чувствительность датчика.
- •Глава 4 . Амплитудные датчики.
3. Магнитно-оптический эффект Фарадея.
Суть магнитооптического эффекта состоит в повороте плоскости поляризации линейно поляризованного света, проходящего через магнитоактивный оптический материал, находящийся в продольном магнитном поле напряженностью H . Угол поворота Φ зависит от напряжённости магнитного поля, длины магнитоактивной среды L и параметров материала :
Φ = V H L
где V – постоянная Верде, описывающая свойства магнитоактивной среды. Магнитооптический эффект в той или иной мере проявляется в большинстве оптических материалов – в оптических стёклах и ряде оптических монокристаллов. Поворот плоскости поляризации далее может быть преобразован в изменение интенсивности излучения на выходе чувствительного элемента. Таким образом, оптический датчик на основе эффекта Фарадея также может быть отнесён к классу поляризационных датчиков или датчиков с модуляцией интенсивности. Эффект Фарадея используется для создания датчиков магнитного поля и датчиков - измерителей тока.
4.Эффект электрогирации.
Суть эффекта электрогирации состоит в повороте плоскости поляризации линейно поляризованного света, проходящего через оптический материал, находящийся в продольном электрическом поле напряженностью Е . Угол поворота Φ зависит от напряжённости поля, длины электрогирационной среды L и параметров материала. По сути дела эффект электрогирации является электрическим аналогом эффекта Фарадея и может быть использован для создания датчиков электрического поля и датчиков - измерителей напряжения. Проявляется в монокристаллах определённой группы симметрии.
5.Эффект Саньяка.
Суть эффекта Саньяка заключается в том, что оптическая волна, распространяющаяся по замкнутому вращающемуся контуру ( например, внутри кольцевого резонатора ) приобретает набег фазы, величина которого зависит от длины оптического пути, угловой скорости вращения контура и направления вращения. Для волны, распространяющейся в направлении вращения, набег фазы больше, чем для волны, распространяющейся против направления вращения контура. Разность фаз между двумя встречными волнами, таким образом, зависит от угловой скорости вращения контура Ω:
Φ = (8π A / cλ) Ω
где с - скорость света, λ – длина волны излучения, А – площадь, охватываемая контуром. Интенсивность излучения, образующегося после сложения двух встречных волн, зависит от взаимной разности фаз интерферирующих волн. Датчик такого типа является фазовым датчиком и может быть использован для измерения угловой скорости вращения и вычисления на этой основе угла поворота оптического контура, то есть является оптическим гироскопом.
6. Эффект электроабсорбции ( эффект Франца – Келдыша ).
Суть эффекта электроабсорбции ( эффекта Франца – Келдыша ) состоит в уменьшении ширины запрещенной зоны Eg в полупроводниковом монокристалле при приложении к кристаллу внешнего электрического поля. Это изменение сложным образом зависит от напряжённости приложенного поля и типа полупроводника. Для монокристалла арсенида галлия GaAs уменьшение ширины запрещённой зоны может быть выражено, как :
Δ Eg = 3/2 (m*)-1/3 (e0 ħ Eмод)2/3
где m* - эффективная масса электрона в кристаллической решётке GaAs ,
Eмод – напряжённость внешнего электрического поля.
Уменьшение ширины запрещённой зоны приводит к увеличению показателя поглощения α оптического излучения, распространяющегося по кристаллу чувствительного элемента и, соответственно, к уменьшению выходной интенсивности Iвых излучения :
Iвых = I вх exp ( - α d )
где d – длина чувствительного элемента.
Датчик такого типа является амплитудным датчиком и может быть использован для измерения напряжённости электрического поля и электрического напряжения.