Slides_OEVM_final

Лекция 8. Внутренняя память: структурная организация п/п ЗУ

Для получения требуемой емкости ЗУ необходимо использовать несколько банков памяти меньшей емкости. ОЗУ чаще всего строят по блочному принципу, т.е. с использованием нескольких банков.

При использовании N банков памяти адрес А слова ОП преобразуют в пару (n, a), где n – номер банка, а – адрес ячейки внутри банка.

Существуют три основные схемы распределения адресных разрядов между n и a.

241

© С. Г. Мосин, 2007

Лекция 8. Внутренняя память: структурная организация п/п ЗУ

Схема блочно-циклического расслоения памяти

Каждый банк состоит из нескольких модулей, адресуемых по круговой схеме. Адреса между банками распределены по блочной схеме. Здесь адрес ячейки разбивают на три части: номер банка, адреса ячейки в модуле и модуля в банке.

244

© С. Г. Мосин, 2007

Лекция 8. Внутренняя память: структурная организация п/п ЗУ

Временные диаграммы работы микросхем памяти DRAM

245

© С. Г. Мосин, 2007

Лекция 8. Внутренняя память: структурная организация п/п ЗУ

Параметры оценки быстродействия DRAM

tRAS – минимальное время от перепада сигнала RAS (1 → 0) до

момента появления считанных данных на выходе ИС памяти (время доступа Tд ≈ 60 нс);

tRС – минимальное время от начала доступа к одной строке

микросхемы до момента доступа к следующей строке (длительность цикла памяти TЦ ≈ 110 нс);

246

© С. Г. Мосин, 2007

Лекция 8. Внутренняя память: структурная организация п/п ЗУ

Параметры оценки быстродействия DRAM

tСAS – минимальное время от перепада сигнала СAS (1 → 0) до

момента появления считанных данных на выходе ИС памяти

(tСAS ≈ 15 нс);

tPС – минимальное время от начала доступа к одному столбцу

микросхемы до момента доступа к следующему столбцу

(tPС ≈ 35 нс);

247

© С. Г. Мосин, 2007