книги / Справочник по электронным приборам

Таблица

123

Транзисторы

типа П416

Электрические данные

П416

П416А

П416Б

Коэффициент усиления по току в схеме с об­

щим эмиттером при напряжении на коллек­

торе 5 в и

токе эмиттера 5 ма на

частоте

60—

100—

1000 гц .

.

.

- .................................................

25—80

125

200

Модуль коэффициента усиления по току в схе­

ме с общим эмиттером при напряжении на

коллекторе

5 *, токе

эмиттера 5 ма на ча-

3

4

стоте 20 Мгц (не менее)..................................

2

Обратный ток коллектора при напряжении на

коллекторе

10 в:

3

3

3

при +20QС,

мка (не более).......................

»

+70° С,

мка (не б олее).......................

90

90

90

»

—60° С,

мка (не б о л е е).......................

3

3

3

Обратный ток коллектора при напряжении на

коллекторе

15 в и температуре -f-20° С, мка

6

6

(не более)

.........................................................

6

Обратный ток эмиттера при напряжении на

эмиттере 2 в и температуре +20° С, мка (не

200

100

б о л е е )................................................................

100

Статический

коэффициент усиления

по току

в схеме с общим эмиттером при скважности

60—

100—

2 и температуре +20° С ...............................

25—

100

140

260

Обратное

напряжение

эмиттерного

перехода

У

при

токе

эмиттера

ОД ма и температуре

+20° С,

в

.........................................................

2

2

2

Выходная проводимость прп напряжении на

коллекторе 5 в а токе эмиттера 5 ма, на

частоте 1000 гц и температуре +20° С, мксим

5

5

(не б о л е е ) .........................................................

5

Постоянная времени цепи обратной связи на

частоте 5 Мгц и температуре +20° С, мкмксек

500

500

(не более)

.........................................................

500

Время рассасывания при токе эмиттера 50 ма,

токе

базы

4,4 ма

на

частоте 10 кгц и тем­

1

1

пературе -f-20° С,

мксек (не более)...............

1

Емкость коллектора на частоте 5 Мгц при

напряжении на коллекторе 5 в и температу­

8

8

ре 4-20° С,

пф (не б о л ее)..............................

8

Падение напряжения в режиме насыщения

при

токе эмиттера 50 ма и токе базы 3 ма%в

1,7

и

(не более'

.........................................................

2

Предельно

допустимые

(общие для транзисторов типа П416).

Наибольший ток коллектора в режиме усиления, ма . . .

.1 5

Наибольший ток коллектора в импульсе или режиме пере­

120

ключения,

ма

т .

............................

Наибольший

средний ток коллектора

при рассеиваемой

120

мощности 100 м е т , м а ....................................................

Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером:

15

при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы, в

»

запертом эмиттере, в

................................................базы

не

более 1000 ом, в

20

»

сопротивлении в цепи

12

Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и

3

базой, в

...................................................................

Наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором,м е т

100

Наибольшая мощность в импульсе при рассеиваемой тран­

250

зистором мощности ................................100 м е т , м е

т

Наибольшая температура коллекторного перехода, °С

+85

П р и м е ч а н и е .

окружающей

среды выше

45° С наибольшая рассеиваемая

мощность

определяется

по формуле

85 — Тс

■ б;'4

Мвт'

(общие для транзисторов типа 11420 — П423)

Наибольший ток коллектора, м а ............................................

25

Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером

при сопротивлении в цепи базы не более 1000 ом, в

12

Наибольшая температура коллекторного перехода, °С

+70

Наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором в диапа­

100

зоне температур от —20 до 420° С, м е т ........................

Транзисторы типа П420 — П423

Таблица

124

Электрические данные

П420

П421

П422

П422А

П423

П423А

Наибольшая

частота

гене­

рации при токе

эмиттера

5 ма и температуре +20° С,

30

30

60

60

120

120

Мгц (не м енее)...............

Коэффициент

усиления по

току в схеме с общим

эмиттером при токе эмит­

тера

5

ма в

диапазоне

частот 50—1000 гц\

12

15

30—

15

30—

15

при +20° С ...................

»

+55° С

.

___

100

.

100

_

200

200

»

—20° С ...................

цепи

10

12

18

12

18

12

Постоянная

времени

обратной

связи

на часто­

те 5 Мгц

и токе эмитте­

5000

3500

1000

1000

500

500

ра 5 ма,

мкмксек . .

. .

Выходная

проводимость на

частоте

1000 гц

при

токе

эмиттера 5 ма,

мксим (не

6

5

5

5

5

5

более)

коллектора..............................на ча­

Емкость

20

15

10

10

10

10

стоте 5 Мгц, пф (не более)

П р и м е ч а н и е .

Все данные таблицы приведены при напряже­

нии па коллекторе 5 в.

Наибольшее напряжение на коллекторе:

для

П504

и

П504А,

в ........................................................

30

для

П505

и

П505А,

в ........................................................

20

Наибольшее напряжение между эмиттером и базой, в

,

2

Наибольший ток коллектора в режиме усиления, м а . . .

10

Наибольший ток коллектора в режиме переключения, м а

20

Наибольшая рассеиваемая мощность до +60° С, м ет . . .

150

»

_

150-

Го

. _

Т абли ца

126

Транзисторы типа П504 и П505

Электрические данные

П504

П504А

П505

П505А

Коэффициент усиления по току в схеме

с общим эмиттером при

напряжении

на коллекторе 10

токе эмиттера 5 ма

в диапазоне частот 50—1000 гц:

10—35 25—80

40— 20—60

при +20° С

..........................................

»

+120° С

10—

25—

150

20—

......................................

40—

»

—60° С

105

240

450

180

..........................................

—

10—80

16— 8—60

Обратный ток коллектора

при темпера­

150

туре

+20° С

и

напряжении

на

кол­

2

2

лекторе 30 в ,

мка (не более) . . . .

при

напряжении

на

коллекторе 20 в,

_

_

2

2

мка (не б о л е е ).......................

при

...темпера­

Обратный ток коллектора

туре

+120° С

и

напряжении

на

150

150

150

150

коллекторе 15 в, мка (не более) .

. .

Обратный ток эмиттера при напряжении

20

20

20

20

на эмиттере 20 в, мка (не более)

. .

Выходная проводимость при напряжении

на

коллекторе

10

в ,

токе

эмиттера

5 ма на частоте до 1000 гц, мксим (не

2

2

2

2

б о л е е ).....................................................

при

напряжении

Емкость

коллектора

на

коллекторе

10

в,

токе

эмиттера,

равном. 0, на

частоте

1

Мгц, пф

(не

7

7

7

7

б о л е е ).....................................................

л

Таблица 127

Транзисторы типа П601 и П602

Электрические данные

П601

11601А П601Б

П602

И602А

Статический

коэффициент

уси­

ления по току в схеме с общим

эмиттером

при напряжении на

коллекторе 10 в и токе коллек­

тора 500 ма:

>20

40—

80— 40—

80—

при +20° С

...............................

»

+70° С

<250

100

200

100

200

...............................

40— <250

40— <250

»

—60° с . .................................

>10

100

<100

100

<100

<50

<50

Коэффициент

усиления

по

мощ­

ности в схеме с общим

эмитте­

ром при напряжении на коллек­

торе

10

в,

токе

коллектора

500

ма,

отдаваемой

мощности

в нагрузке

1

вт

на

частоте

2 Мгц, дб (не м енее)...............

10

10

10

10

10

Обратный ток коллектора при на­

пряжении на коллекторе 10 в:

при +20° С,

мка (не более)

200

100

130

100

130

»

+70° С, ма (не более)

6

6

6

6

6

Предельно допустимые электрические величины

(общие для транзисторов типа П601 и П602)

Наибольший ток коллектора, а ............................................

1

Наибольшее напряжение между коллектором и базой:

для П601, П601Б и П602А,

в ....................................

25

»

П601А и П602,

в

....................................................

30

Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером

при сопротивлении в цепи базы не более 500 ом:

25

для П601, П601Б и П602А, в ....................................

для П601А и П602, а

............................................................

30

Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и ба­

зой, в ....................................................................................

0,5

Тепловое сопротивление, ° С / в т ........................................

2

Наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором, без

дополнительйого теплоотвода при ф20° С, вт . . .

1

Наибольшая мощность, рассеиваемая с дополнительным

алюминиевым теплоотводом, имеющим поверхность

не менее 300 см2 толщиной 5 мм при ф 20° С, вт

5

Наибольшая температура коллекторного перехода, РС

«ф85

Наибольшее сопротивление насыщения при токе 1 а, ом

1

Предельно

допустимые электрические величины

(общие для транзисторов типа П604)

Наибольшее напряжение на коллекторе при короткозамкну­

тых выводах базы и эмиттера и температуре окружающей

среды от —10 до 4-50° С, в .......................................

45

Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером

при сопротивлении в цепи база — эмиттер не более 100 ом

при

-f70° С,

в ............................... .......................................

20

Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и базой

при токе коллектора, равном 0, и температуре окружаю­

щей среды от —10 до + 5 0 9 С, в ........................................

15

Наибольший ток коллектора в режиме-переключения при

длительности импульса 10 мксек, скважности не менее 2

и температуре окружающей среды от —10 до +50° С, ма

500

Наибольший ток эмиттера в режиме переключения при дли­

тельности импульса 10 мксек, 'скважности не менее 2 и

температуре окружающей среды от —10 до +50° С, ма

550

Наибольшая мощность рассеиваемая транзистором в режи­

ме

переключения:

до

+25° С,

м е т .......................................................................

400

»

+50° С,

м е т .......................................................................

300

»

+70° С,

м е т .........................................................................

100

Электрические данные

П604

П604А

П604Б

Коэффициент усиления по току в схеме с об­

щим эмиттером при напряжении на коллек­

>10

20—50

40—

торе

1 в и токе коллектора 200 ма . . . .

Режим переключения:

100

. . . у

1,5

0,8

0,8

время включения, мксек (не более)

время выключения, мксек (не более) . .

3

2

2

Начальный ток коллектора при напряжении

на коллекторе 45 в:

50

50

50

при +20° С, мка (не более).......................

»

-f50QС, мка (не более).......................

500

500

500

Ток в цепи коллектора при токе базы, равном

0 и напряжении на коллекторе 30 в,

ма (не

2

2

2

б о л е е ) ................................................................

Остаточное напряжение на базе в режиме на­

сыщения в схеме с общим эмиттером при

токе

базы 30 ма и токе коллектора

200 леа,

1,5

1,5

1,5

в (не

более)............... ........................................

Остаточное напряжение на коллекторе в режи­

*

ме насыщения в схеме с общим

эмиттером

при

токе базы 30 ма и токе

коллектора

0,5

0,5

0,5

200 ма, в (не более) ......................................

Таблица

129

Транзисторы типа П605 и П606

П редельно допустимые электрические величины

П605

П605А

П606

П606А

Наибольшее напряжение

между коллектором и эмит­

тером при сопротивлении в цепи база—эмиттер 100 ом

25

и температуре 4-20° С, в

.................................................

Наибольшее напряжение между коллектором и эмитте­

ром при сопротивлении в цепи база—эмиттер 10 ом:

40

при +20QC, в ................................................................

15

»

+70° С, в ..............................................................................

между коллектором и эмит­

20

Наибольшее напряжение

45

35

тером закрытого транзистора при температуре 4*20° С, в

Наибольшее напряжение между эмиттером и базой:

1

0,5

при

+20° С, в ................................................................

»

+70° С, в ................................................................

между коллектором и базой

1

0,5

Наибольшее напряжение

при температуре 4-20° С, в ..........................................

45

35

Наибольшая амплитуда импульса тока коллектора:

при 4-20° С, л .................................................................

1,5

1,5

»

+70° С, а ................................................................

1,5

1,5

Наибольшая амплитуда импульса тока базы:

при

4-20° С, а ................................................................

0,5

0,5

»

4-70° С, а ................................................................

0,5

0,5

Наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором:

без

дополнительного

теплоотвода, в т ...................

0,5

0,5

с дополнительным

теплоотводом

при температуре

3

3

4-20° С, в т ....................................................................

теплоотводом

при температуре

с дополнительным

+70° С,

в т ....................................................................

0,5

0,5

Наибольшая

температура коллекторного перехода, °С

+85

+85

П р и м е ч а н и я .

1. При температуре окружающей

среды

выше

«4-20° С наибольшая

рассеиваемая

мощность уменьшается

на 0,16 вт

при

увеличении температуры на каждые 10° С.

рассеивае­

мой

2. При окружающей «температуре +20° С и наибольшей

мощности 3 вт

необходимо

применять теплоотвод

с

площадью

не менее 300 см*.

3. При температуре окружающей среды (7с ) выше +20° С и площади

теплоотвода 300 см*

наибольшая

рассеиваемая мощность

транзистора

рассчитывается по формуле

рнаиб —

вгги