Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Справочник по электронным приборам

..pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
52.02 Mб
Скачать

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с жесткими выводами.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до -£70° С. Проводимость р-п-р.

Срок службы не менее 5000 ч. Вес не более 4 г.

Условия эксплуатации

Запрещается использовать транзисторы в схемах, в которых цепь базы разомкнута по постоянному току.

При включении транзистора в схему, находящуюся под напряже­ нием, базовый вывод должен присоединяться первым и отключаться последним.

При эксплуатации транзисторов с теплоотводами, а также при испы­ таниях и измерениях параметров транзисторы должны быть вставлен и в конусное гнездо теплоотвода конусной частью корпуса, смазанной невысыхающим маслом, и жестко закреплены в нем.

Кремниевые диффузионные транзисторы типа 2Т301

Предназначены для усиления и генерирования электрических сиг­ налов до 60 Мгц.

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими вы­ водами. Вывод коллектора соединен с корпусом. Маркированы цвет­ ными метками.

Рис. 708. Основные размеры и схематическое изображение транзи­ сторов типа 2Т301.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до +120° С. Наибольшая температура корпуса 4H20QС, перехода-----Ь 150а С.

Проводимость п-р-п.

Срок службы не менее 5000 ч.

При эксплуатации транзисторов типа 2Т301 необходимо учитывать

возможность их

самовозбуждения,

как высокочастотного

элемента

с большим коэффициентом усиления.

 

Таблица 90

Маркировка транзисторов

типа 2Т301

 

 

 

 

2Т301

2Т301А

2Т301Б

2Т301В

2Т301Г

2Т301Д

2Т301Е

2Т301Ж

1

2

1

2

1

2

1

2

красная

красные

красная

красные

черная

черные

черная

черные

точка

точки

полоска

полоски

точка

точкп

полоска

полоски

Транзисторы типа 2T30I

 

 

 

 

 

Таблица

91

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

о

<

ш

я

Рч

g

и

к

о

о

о

о

о

о

и

 

со

со

со

со

СО

2

«о

 

см

СМ

СМ

см

СМ

г4

СМ

 

см

см

Коэффициент усиления

 

 

 

 

 

 

 

 

по току при напряже­

 

 

 

 

 

 

 

 

нии на коллекторе 10в,

 

 

 

 

 

 

 

 

токе эмиттера 3 ма:

20— 4 0 -

10—

20—

10—

2 0 -

40—

>80

на частоте 1000 гц . .

 

60

120

32

60

32

60

120

 

»» 20 М гц (не

менее) .......................

1

1

1

1

1,5

1,5

1,5

1,5

Наибольшая частота ге-

 

 

 

 

 

 

 

 

нерации при напряже-

 

 

 

 

 

 

 

 

ниина коллекторе 10 в

 

 

 

 

 

 

 

 

и токе эмиттера 3 жа,

30

30

30

30

60

60

60

60

М гц

(не менее) . . .

Обратный ток коллекто-

 

 

 

 

 

 

 

 

ра:

напряжении

на

 

 

 

 

 

 

 

 

при

 

 

 

 

 

 

 

 

коллекторе

20 в

и

40

40

40

40

40

40

40

40

+20QС, м ка

(не более)

при

напряжении

на

 

 

 

 

 

 

 

 

коллекторе

10 в

и

100

’ 100

100

100

100

100

100

100

+120° С, м ка (не более)

Обратный ток эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

 

при напряжении меж­

 

 

 

 

 

 

 

 

ду эмиттером и базой

50

50

50

50

50

50

50.

50

3 <?,

м ка (не более)

Выходная проводимость

 

 

 

 

 

 

 

 

при

напряжении

на

 

 

 

 

 

 

 

 

коллекторе 10 вч токе

 

 

 

 

 

 

 

 

эмиттера 3 м а, на

ча­

 

 

 

 

 

 

 

 

стоте 1 кгц, сим (не бо­

зх

ЗХ

Зх

зх

зх

Зх

зх

зх

лее) ...........................

Емкость коллектора при

Х10-6

хЮ -6

ХЮ’6

хЮ -6

ХЮ’ 6

ХЮ"6

ХЮ"6

ХЮ-6

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжении

на кол­

 

 

 

 

 

 

 

 

лекторе 10 в на часто­

10

10

10

10

10

10

10

10

те 5 Мгц, пф (неболее)

Наибольшее

обратное

 

 

 

 

 

 

 

-

напряжение

между

3

3

3

3

3

3

3

3

эмиттером и базой, в

|Наибольший

ток эмит-

10

10

10

10

10

10

10

Ю

1 тера,

м а ...................

672

Электрические данные

Н аибольш ий

ток базы,

м а .....................................

 

Н аибольш ая

рассеивае­

м ая мощ ность при тем­

пературе

корпуса до

+ 6 0 ° С, м вт ...................

 

 

 

 

Продолжение табл.

91

 

 

 

 

 

'

 

 

2Т301

2Т301А

2Т301Б

2Т301В

2Т301Г

2Т301Д

2Т301Е

2Т301Ж

 

 

1

 

 

 

 

 

10

10

10

10

10

10

10

10

150

150

150

150

150

150

150

150

П р и м е

ч а н и е . При температуре корпуса (7*к ) от 4-60 до

+ 1 2 0 ° С

наи больш ая

рассеиваемая мощ ность определяется по формуле

 

 

150— Г к

 

 

Р наиб — 0 ,6 м в т '

 

 

Германиевые сплавные транзисторы типа

ГТ108

Рис. 709.

Основные размеры и

схематическое изображение транзи­

 

 

 

 

сторов типа ГТ108.

П редназначены д л я у си л ен и я

и генерирования электри ческих сиг­

налов в м иниатю рны х радиоэлектронны х устройствах.

 

 

В ы пускаю тся в м еталлическом герм етичном корпусе

с гибким и вы ­

водам и. В ы вод базы соединен

с

корпусом . Ц ветн ая м етка со

стороны

эм иттера.

 

 

 

 

 

 

Работаю т п р и

тем пературе

окруж аю щ ей среды от •—20 до

*^55QС.

П роводим ость

р-п-р.

 

 

 

 

С рок служ бы

не менее 5000 ч.

 

 

Вес не более

0,5 г.

 

 

 

 

П ри вклю чении транзисторов в схем у, находящ ую ся

под н ап р я ж е ­

нием, базовы й

вы вод долж ен

подклю чаться первым и

отсоединяться

последним .

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

 

 

 

 

(общие д л я всех

транзисторов

типа ГТ108)

 

 

О братны й ток ко л л екто р а при н ап р яж ен и и на коллекторе

 

5 в и токе эм иттера, равном 0, мка (не более) . . . .

10

О братны й ток эм иттера при н ап р яж ен и и м еж ду эмиттером

 

и базой

5 в и токе ко л л екто р а, равном 0, мка (не бо­

 

лее)

......................................................................................................

 

 

 

 

15

1U 628

С73

В ы ходная проводимость п ри н ап р яж ен и и м еж ду ко л л ек ­

тором и базой 5 вутоке эм дттера 1 ма на частоте 270 гц,

мксим (не б о л е е ) .............................................................................

3,3

П остоян ная врем ени цепи обратной связи

при н ап р яж е ­

нии на коллекторе 5 в, токе эм иттера 1 ма на частоте

 

465 кецу псек (не б о л е е ) ...............................................................

 

 

коллекторе 5 в

3500

 

Е м кость

к о л л ек то р а

при н ап р яж ен и и

на

 

 

 

на частоте 465 кгц, пф (не б о л е е ) ...........................................

 

 

 

30

 

Н аибольш ее нап ряж ен и е м еж ду коллектором и базой, в .

15

 

Н аибольш ий ток к о л л екто р а, м а .................................................

 

 

 

50

 

Н аи бо л ьш ая рассеи ваем ая мощ ность при тем пературе до

 

 

 

-h 2 0 QС, мет

...................................................................................П ри тем пературе окруж аю щ ей среды

75

 

П р и м е ч а н и е .

) о т + 2 0

до + 5 5 ° С

наи больш ая

рассеи ваем ая мощ ность определяется по

фор­

муле

 

 

 

 

 

 

 

80 - Т

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рнаиб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,8

 

 

Таблица

92

Транзисторы типа ГТ108

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

ГТ108А

ГТ108Б

ГТ108В

ГТ108Г

Коэффициент

усиления

по то­

 

 

 

 

 

 

к у

В при

напряж ен ии

меж ­

 

 

 

 

 

 

ду

коллектором и

эмиттером

 

 

 

 

 

 

5 <?, токе

эм иттера

1 ма, на

 

 

 

 

 

 

частоте

270 гц при

темпера­

 

 

 

 

 

 

туре + 2 0 9 С

............................

усиления

20— 50

35—80

' 60— 130

110— 250

Н аибольш ая

частота

 

 

 

 

 

 

по

току

при

токе

эмиттера

 

 

 

 

 

 

1

ма и

тем пературе

- f 20° С,

 

 

 

 

 

 

к г ц ...................................................

 

 

 

 

 

 

500

1000

1000

1000

Германиевые сплавные транзисторы типа ГТ109

 

 

П редназначены д л я

усилен ия и генерирования электри ческих

сиг­

налов

в м иниатю рны х

радиоэлектронны х

устройствах.

 

 

В ы пускаю тся в м еталлическом

герметичном корпусе с гибким и вы­

водами. Ц ветн ая

м етка

со стороны коллектора.

 

 

 

Работаю т

при тем пературе окруж аю щ ей

среды

от — 20 до

-4- 55° С.

Рис. 710. Основные размеры и схематическое изображение транзи­ сторов типа ГТ109.

674

П роводимость

р-п-р.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С рок служ бы

не менее 5000

ч.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вес не более 0,1 г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П ри вклю чении транзисторов в схем у, находящ ую ся

под н ап р яж е ­

нием,

базовы й

вы вод

долж ен

 

подклю чаться

 

первы м и

о ткл ю ч аться

последним .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 93

Т ранзисторы типа ГТ109

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

 

 

ГТ 109А

ГТ109Б

ГТ109В

ГТ109Г

К оэф фициент

усиления

по то­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ку

при

напряж ении

 

на кол­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лекторе

5 в и

токе

эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 ма ..............................................

 

 

 

 

 

 

 

 

20—50

35—80

60—130 110—250

Электрические данны е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(общие

д л я

всех

транзисторов

 

типа

 

ГТ109)

 

 

 

 

 

О братны й ток к о л л ек то р а при н ап р яж ен и и на коллекторе

 

 

5 в, мка (не более)

....................

 

 

 

 

..................................................

 

 

 

 

 

 

5

О братны й ток эм иттера при н ап р яж ен и и на эм иттере 5 в,

 

мка (не б о л е е ) ...................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

Н аи бо л ьш ая

частота

усиления

по

 

току

при

н ап р яж ен и и

 

на коллекторе 5 в и токе эм иттера 1 ма, М

г ц ....................

 

1

П остоян ная

врем ени

цепи

обратной связи

п р и н ап р яж е ­

 

 

нии на кол л екто р е 5 в, токе эм иттера 1 ма, на частоте

 

 

465 кгц, л е е к ........................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3500

В ы ходная проводим ость

при

н ап р яж ен и и

на коллекторе

 

 

5 в, токе эм иттера

1 ма, на

частоте

270

гц, мксим

(не

 

 

более)

..................................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5 в,

3,3

Е м кость

кол л екто р а

 

при

н ап р яж ен и и на коллекторе

 

 

на частоте 465 кгц, пф (не более)

.......................................

 

 

и базой, в,

30

Н аибольш ее н апряж ен ие

м еж ду

коллектором

15

Н аибольш ее н ап р яж ен и е м еж ду коллектором и эмиттером

 

 

п р и

сопротивлении

м еж ду

базой

и

эм иттером

до

 

 

200 ком, в

.............................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

Н аибольш ий ток к о л л ек то р а, м

а

.................................................

 

 

 

 

 

 

20

Н аи бо л ьш ая тем пература

коллекторного

перехода,

°С

+ 8 0

Н аи бо л ьш ая

 

м ощ ность,

рассеи ваем ая

коллектором

при

 

 

тем пературе до + 2 0 ° С, м е т

......................................................

 

 

 

 

 

 

 

30

П р и м е ч а н и е .

П ри тем пературе окруж аю щ ей среды Тс

от + 2 0

до + 5 5 ° С

н аибольш ая

рассеи ваем ая

мощ ность

определяется

по фор­

муле

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

 

 

__Т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пер

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р наиб _

 

 

Л с

мет.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,8

 

 

 

 

г1% f 1/*

628

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

675

Германиевые диффузионные транзисторы типа ГТ309

П редназначены д л я усиления и генерирования электри ческих коле­

баний в

миниатю рной радиоаппаратуре.

 

В ы пускаю тся

в металлическом герметичном корпусе с гибким и

вы­

водами.

Вывод

коллектора соединен с корпусом . Ц ветн ая метка

со

стороны

эм иттера.

 

Рис. 711. Основные размеры

и

схематическое

изображение транзи­

сторов типа ГТ309.

 

 

 

Работаю т при

тем пературе

окруж аю щ ей среды от — 20 до -р55° С.

П роводимость

р-п-р.

 

 

 

Срок служ бы

не

менее 5000

ч.

 

Вес

не более

0,1

г.

 

 

 

П ри

вклю чении транзисторов

в схем у, находящ ую ся под н ап р яж е ­

нием, базовы й вы вод долж ен

подклю чаться

первы м и отклю чаться

последним .

 

 

 

 

 

Транзисторы типа ГТ309

Электрические данные

Таблица 94

ГТ309А

ГТ309Б

ГТ309В

ГТ309Г

ГТ309Д

ГТ309Е

Коэффициент усиления по то­

 

 

 

 

 

 

ку на частоте 1000 гц:

2 0 -

 

 

 

 

 

при -f 20QС . .......................

60—

2 0 -

60—

20—

6 0 -

 

 

 

 

ТО

180

ТО

180

70

180

»

+ 5 5 ° С ............................

 

20—

60—

20—

60—

20—

60—

»

—20° С

 

140

360

140

360

140

360

 

16—

30—

1 6 -

3 0 -

1 6 -

30—

М одуль

коэффициента ^ уси­

70

180

ТО

180

ТО

180

 

 

 

 

 

 

ления

по току на

частоте

 

 

 

 

 

 

20

Мгц при 4-209 С . . . .

6

6

4

4

2

2

Коэффициент ш умов на часто­

 

 

 

 

 

 

те

8 кгц при -f 20° С, дб . .

10

10

П р и м е ч а н и е .

Д анны е

таблицы приведены д л я

реж им а: на­

пряж ение

на коллекторе 5 <?, ток эм иттера

1 ма.

 

 

 

Электрические данные

(общие д л я

всех

транзисторов

типа

ГТ309).

 

 

 

 

 

 

 

О братны й

ток

коллектора

при

н ап р яж ен и и

на

коллекторе

 

5 в и токе эм иттера, равном 0:

 

 

 

 

 

 

 

 

при

+ 2 0 ° С,

мка (не

более)

.................................................

 

 

 

 

 

 

5

»

+

55° С,

мка (не

б о л е е ) .........................................................

 

 

 

 

 

 

120

 

»

—20° С,

мка (не

более)

 

.....................................................

 

 

 

 

 

 

5

Обратны й

ток

эм иттера

при

нап ряж ен и и

на

эмиттере

 

5 в, мка (не б о л е е ) .............................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

Н аи больш ая

частота усиления по току при токе эмиттера

 

1 ма,

н апряж ен ии на коллекторе 5 в, в

схеме

с общей

 

базой,

Мгц (не менее)

...............................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Е м кость коллектора при н ап р яж ен и и на коллекторе 5 в, то­

 

ке

эм иттера,

равном

0,

на

частоте 5

Мгц

 

и

тем пера­

 

туре

+ 2 0 °

С,

пф (не

б о л е е ) .....................................................

 

 

 

 

 

 

10

П остоянная

времени

цепи обратной связи при напряж ен ии

 

на коллекторе 5 в, токе эм иттера 5 ма, на частоте 5 Мгц

 

и

тем пературе + 2 0 °

С,

псек (не более)

.............................

 

 

 

500

 

В ы ходная проводимость

 

при

н ап р яж ен и и

на

 

коллекторе

 

5

в, токе

эм иттера 5

ма, на частоте 50— 1000 гц и тем ­

 

пературе

4 -20° С,

м к с и м ..........................................................

 

 

 

 

 

 

 

5

Н аибольш ее

напряж ен ие м еж ду коллектором и эмиттером

 

при сопротивлении в цепи базы не более

1

ком, в

в

10

Н аибольш ее

н апряж ен ие

м еж ду

коллектором

и

базой,

15

Н аибольш ее

н апряж ен ие меж ду коллектором и эмиттером

 

при сопротивлении меж ду базой и эмиттером до 200 ком, в

б

Н аибольш ий

ток

коллектора, м

а .................................................

 

 

 

 

 

 

10

Н аибольш ая

рассеиваем ая

мощ ность при

тем пературе

до

 

+ 2 0 °

С,

мет ..................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

перехода, °С

 

50

Н аибольш ая

тем пература

коллекторного

 

+ 7 0

П р и м е ч а н и е .

П ри

 

тем пературах

 

выше

 

+ 2 0 ° С

мощ ность,

рассеи ваем ая

транзистором ,

 

определяется

по формуле

 

 

Германиевые диффузионно-сплавны е транзисторы типа ГТ310

П редназначены дл я

усиления и генерирования электри ческих сиг­

налов в миниатю рной

радиоаппаратуре.

В ы пускаю тся

в м еталлическом герметичном корпусе с гибким и вы­

водам и. Ц ветная

м етка со стороны коллектора.

Рис. 712. Основные размеры и схематическое изображение транзи­ сторов типа ГТ310.

*/*—•/**

677

Работаю т при

тем пературе окруж аю щ ей среды от — 20 до -f5 5 ° С.

П роводимость

р-п-р.

С рок служ бы

не менее 5000 ч.

Вес не более 0,1 г.

Электрические данные

(общие д л я всех транзисторов типа ГТ310).

О братны й ток коллектора

при н ап р яж ен и и

на

к оллекторе

 

5 в:

+ 2 0 ° С, мка (не боЛее) . . . ............................................

 

при

5

»

4 -55° С, мка (не более)

......................................................

 

 

 

 

 

120

В ходное сопротивление при н ап р яж ен и и

на

ко л л екто р е’ 5 в

и токе эм иттера 1 ма, ом (не б о л е е ) ............................................

 

 

 

 

 

38

Н аибольш ее нап ряж ен и е

меж ду

коллектором и

эмиттером:

 

при сопротивлении меж ду базой и эмиттером

10

ком,

в

10

»

»

»

»

»

»

200

кому

в

6

Н аибольш ее н апряж ен ие м еж ду коллектором и базой, в

 

12

Н аибольш ий ток ко л л екто р а, ма

.................................................

 

 

 

 

 

10

Н аибольш ая тем пература

коллекторного

перехода,

РС,

 

-^75

Н аибольш ая рассеи ваем ая мощ ность до - f3 0 ° С, мет

 

20

П р и м е ч а н и е .

П ри

тем пературе выше

4^30QС рассеиваем ая

мощ ность

определяется

ио формуле

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 95

Транзисторы типа ГТ310

Электрические данные *

ГТ310А

ГТ310Б

гт зю в

г т з ю г

г т зю д

ГТ310Е

Коэффициент усиления по току при

2 0 -

60—

2 0 -

60—

20—

60—

токе эмиттера 1 м а ............................

 

 

ТО

180

ТО

180

70

180

М одуль коэфф ициента усиления по

 

 

 

 

 

 

току при токе эмиттера

5 ма, на

 

 

 

 

 

 

частоте 20 Мгц (не менее) . . . .

8

8

6

8

4

4

Коэффициент шумов при токе эмит­

 

 

 

 

 

 

тера 1 ма, на частоте

1,6 Мгц, дб

3

3

4

4

4

4

П остоянная времени цепи

обратной

 

 

 

 

 

 

связи при токе эмиттера

5 ма, на

 

 

 

 

 

 

частоте

5 Мгц, псек............................

на

.частоте

300

300

300

300

500

500

Емкость

коллектора

 

 

 

 

 

 

5 Мгц,

пф (не б о л е е ) .......................

 

4

4

5

5

5 ;

5

* При

напряж ении

на

коллекторе 5 в.

 

 

 

 

 

678

Германиевые сплавные мощные транзисторы типа П4

П редназначены дл я работы в

схем ах переклю чения, в вы ходны х

каскад ах усиления мощности низкой частоты

и в преобразователях

постоянного н а п р я ж ен и я /

 

 

В ы пускаю тся в м еталлическом

герметичном

корпусе с гибким и вы­

водами. Вывод коллектора соединен с корпусом .

Рис. 713. Основные размеры и схематическое изображение транзисторов типа П4.

Работаю т при тем пературе окруж аю щ ей среды от — 60 до + 7 0 e С.

П роводимость р -л -р .

Срок служ бы не менее 5000 ч. Вес не более 14,5 г.

Величина базового тока не долж на превыш ать 1,2 а.

 

П ри токе коллектора более 2 а ток в цепи б аза —эмиттер

не доп ускает­

ся при отсутствии

коллекторного

нап ряж ен и я .

Таблица 96

Т ранзисторы типа

П4 (1 режим)

 

 

 

Электрические данные

П4А П4Б П4В

П4Г П4Д

Н апряж ение на коллекторе,

в . . . ♦ —26 —26

Ток коллектора, а .....................................

1

1

Коэффициент усиления по току при то­

 

ке коллектора 2 а в схеме с зазем лен ­

 

ным эмиттером

в режиме

усиления

 

класса А при внутреннем сопротивле­

 

нии источника

сигнала 15 ол, сопро­

 

тивлении нагрузки 25 ом на частоте

сЗ 1 00

1000 гц

.................................................

 

 

5

П олезная

мощность, отдаваем ая в на­

 

грузку,

вт (не

м е н е е ) ............................

10

10

Коэффициент

усиления по

мощности,

 

дб (не менее)

 

..............................................

20

23

Обратный

ток

коллектора,

ма (не бо-

0,4

лее) .................................................................

 

 

 

0,5

Коэффициент

нелинейны х искаж ений,

10

°/о .........................................................

 

 

 

15

- 2 6

—26

—26

1

1

1

10 15—30 >30

10 10 10

___ 20 30

0,4 0,4 0,4

10 10 1 ю

П р и м е ч а н и я .

1. П ри тем пературе корпуса

+ 5 0 а С мощ ность,

рассеиваем ая на коллекторе

не долж на превы ш ать

20 вт.

2. В режиме класса

В в двухтактной схеме с общим эмиттером при

токе коллектора от 1,5 до 2

а и н ап р яж ен и и на коллекторе — 26 в на

нагр у зке 200 ом транзисторы

отдаю т мощ ность не менее 30 вт.

22+ lA+V* 628

 

 

679

Транзисторы типа П4 (2 режим)

 

 

 

 

Таблица

97

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

 

 

Ш А

П 4Б

П4В

 

П4Г

Коэффициент

усиления

по

току

В

при

 

 

 

 

напряжении на коллекторе —10 е, токе

 

 

 

 

коллектора

2 а ,

сопротивленип нагрузки

 

 

 

 

5

о м ,

сопротивлении источника сигнала

 

 

 

 

5

о м ,

на

частоте 1000

ец

и температуре

 

 

 

 

+20* С

.........................................................

 

 

 

 

 

 

 

5

15—40

10

15—30

Обратный ток коллектора при напряжении

 

 

 

 

на коллекторе —10 в,

м к а

(не более)

 

500

400

400

400

Начальный ток коллектора:

 

50

 

 

 

 

 

при

напряжении

на

коллекторе

в,

 

 

 

 

м а

 

(не б о л е е ) .............................................

на

коллекторе

60

в,

 

 

 

20

при

напряжении

 

_

 

_

м а

 

(не б о л е е )..............................................

на

коллекторе

35

_

20

 

при

напряжении

в,

 

 

 

 

м а

 

(не

б о л е е ).............................................

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

Напряжение между коллектором и эмит­

 

 

 

 

тером в

режиме насыщения при токе кол­

 

 

 

 

лектора 2 а , токе

базы

300 м а и

темпе­

 

 

 

 

ратуре

+20° С, в

(не б о л е е )...................

 

 

0,5

0,5

 

0,5

Транзисторы типа П4

 

 

 

 

 

 

 

Таблица

98

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П р е д е л ь н о д о п у с т и м ы е в е л и ч и н ы

 

 

П4А

Г14Б

П4В

П4Г

Наибольший ток коллектора, а ...................

 

 

5

5

5

 

5

Наибольший ток базы, а

..............................

 

 

 

1,2

1,2

1,2

 

1,2

Наибольшее напряжение на коллекторе:

60

70

40

 

60

в схеме с общей базой, в

.......................

 

 

 

ъ

 

ь

» общим эмиттером, в ...................

 

 

50

60

35

 

50

»

 

»

» общим коллектором, в . . .

 

. 40

50

25

 

40

Наибольшая

мощность, рассеиваемая с до­

 

 

 

 

полнительным теплоотводом:

 

 

20

25

25

 

25

при температуре корпуса +409 С, вт

 

 

»

 

 

»

 

»

 

+50° С,

вт

 

15

20

20

 

20

Наибольшая

мощность,

рассеиваемая

без

 

 

 

 

дополнительного

теплоотвода при темпе­

3

3

 

3

ратуре до +40* С, в т

..............................

 

 

 

 

2

 

Наибольшая температура коллекторного пе­

+90

+90

+90

рехода,

° С

....................................................

 

 

 

 

 

 

+90

П р и м е ч а н и е . При температуре корпуса (JTK ) транзистора выше +40° С наибольшая рассеиваемая мощность рассчитывается по фор­ муле

п

9 0 - 7 * к

Рнаиб - 2° С /в т вт ‘

680

Соседние файлы в папке книги