Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Справочник по электронным приборам

..pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
52.02 Mб
Скачать

Германиевые плоскостные транзисторы типа П8—1111

Предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре: П9А — в схемах усиления низкой частоты с низким уровнем шумов; П10, ПИ, П11А — в схемах усиления промежуточной частоты; П10А, П10Б — в схемах переключения при повышенном напряжении на коллекторе.

—-0//,5-----

Г !

Оэ Т " ‘ «L

V. t

 

- 5 ,5 -

40

 

Р и с . 7 1 4 . О с н о в н ы е р а з м е р ы и с х е м а т и ч е с к о е и з о б р а ж е ­

н и е

т р а н з и с т о р о в

т и п а

 

118 —

П И .

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими

вы­

водами. Вывод базы соединен с корпусом.

 

 

до 4-70

G.

Работают при температуре окружающей среды от —60

Проводимость /г-р-тг.

 

 

 

 

 

 

 

 

Срок службы не менее 5000 ч.

 

 

 

 

 

 

 

Вес не более

1,1 а.

 

 

 

 

Таблица 99

Транзисторы типа П8—П11

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Э л е к т р и ч е с к и е

д а н н ы е

П 8

1П 9 А |

1110 |

н ю а |

ш н б |

Г111

П 1 1 А

Наибольшая частота усиления

 

 

 

 

 

 

 

 

по току в схеме с общей ба­

 

 

 

 

 

 

 

 

зой при напряжении на кол­

 

 

 

 

 

 

 

 

лекторе 5 в, токе эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

 

1 ма и температуре +20° С,

1

1

1

1

1

2

 

2

Мгц (не

б о лее)...................

 

Коэффициент усиления по то­

 

 

 

 

 

 

 

 

ку

В при напряжении на

 

 

 

 

 

 

 

 

коллекторе 5

 

токе эмит­

 

 

 

 

 

 

 

 

тера

1 леа, на

частоте 1 кгц:

>10

15— 15— <15- (25— 25— 45—

рри

+20* С .......................

ь

+70* G (не

менее)

 

45

30

30)1)

50)1)

50

90

 

15

15

151)

251)

25

 

45

»

—60° С (не

менее)

6

6

61)

101)

10

 

18

Обратный ток коллектора:

 

 

 

 

 

 

 

 

при напряжении на коллек­

 

 

 

 

 

 

 

 

торе

15

в

и температуре

30

30

30

 

1002)

30

 

30

+20° С, мка (не более)

ЗО2)

 

при напряжении на коллек­

 

 

 

 

 

 

 

 

торе

10

в и температуре

250

250

2503)

2508)

250

250

+70° С, мка (не более)

х)

При напряжении на коллекторе 15

а.

 

 

 

 

 

2)

»

 

v

»

»

30 в.

 

 

 

 

 

8)

»

 

»

»

»

20 в.

 

 

 

 

 

4>

»

 

*

»

*

30 в

 

 

 

 

 

ю -н /н -1/**

681

Продолжение табл. 99

Электрические данные

 

П8

П9А

т о

ШОА ШОБ

пи

ПИА

Обратный

ток

эмиттера при

 

 

 

 

 

 

 

температуре

-f20Q С, мка

30

 

 

 

 

 

 

(не б о л е е ) ...........................

 

 

 

30

30

304)

30*)

30

30

Сопротивление базы на часто­

 

 

 

 

 

 

 

те 500 кгц при напряжении

 

 

 

 

 

 

 

на коллекторе 5 *,токе эмит­

 

 

 

 

 

 

 

тера

5

ма

 

и температуре

 

 

 

 

 

 

 

+20° С, ом (не более) . .

. 150 150 150 150 150 150

150

Выходная

проводимость при

 

 

 

 

 

 

 

напряжении на коллекторе

 

 

 

 

 

 

 

5 в, токе

эмиттера 1 ма, на

 

 

 

 

 

 

 

частоте 1000 гц и температу­

 

 

 

 

 

 

 

ре +20QС, мксим (не более)

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

Емкость коллектора

на часто­

 

 

 

 

 

 

 

те 500 кгц, пф (не более)

 

65

60

60

60

60

50

60

Транзисторы типа П8—ПП

 

 

 

 

 

Таблица

100

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельно допустимые

 

П8

П9А

т о

П10А

П10Б

пи

ПИА

электрические величины

 

Наибольший

ток

коллектора

 

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в режиме

усиления, ма

. .

20

20

20

20

20

20

20

Наибольший

 

ток

коллектора

 

 

 

 

 

 

 

в режиме переключения (при

 

 

 

 

 

 

 

насыщении)

 

или

в импульс­

150

150

150

150

150

150

150

ном режиме,

м а ...................

 

на

Наибольшее

напряжение

 

 

 

 

 

 

 

коллекторе в схеме с общей

 

 

 

 

 

 

 

базой:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

до -г 50° С, в

...........................

 

 

15

15

15

30

30

15

15

выше +50° С, в ...................

 

на

10

10

10

20

20

10

10

Наибольшее

напряжение

 

 

 

 

 

 

 

коллекторе в схеме с общим

 

 

 

 

 

 

 

эмиттером:

 

 

 

 

25

25

25

30

30

25

25

до +50° С, в

...........................

 

 

выше +50° С ,в .......................

 

 

10

10

10

20

20

10

10

Наибольшее

обратное напря­

 

 

 

 

 

 

 

жение

между эмиттером

и

 

 

 

 

 

 

 

базой:

 

 

 

 

 

 

15

15

15

30

30

15

15

до +50° С, в

...........................

 

 

выше -f50° С, в ...................

 

 

10

10

10

20

20

10

10

Наибольшая

мощность, рассе­

 

 

 

 

 

 

 

иваемая транзистором в клю­

 

 

 

 

 

 

 

чевом

или

импульсном

ре­

 

 

 

 

 

 

 

жиме,

при

 

температуре

до

150

150

150

150

150

150

150

-f-50° С, м ет

...........................

 

 

682

П р и м е ч а н и е . Мощность, рассеиваемая в ключевом или им­ пульсном режиме при температуре окружающей среды (Тс) выше +50 °С, рассчитывается по формуле

85—Гс

Р наиб - 0,2° С/мет мет

Германиевые сплавные транзисторы тина П13—П15

Предназначены для усиления и генерирования электрических сиг­ налов в диапазоне частот до 2 Мгц. Транзистор П13Б может работать с низким уровнем шумов во входных малошумящих каскадах микро­ фонных и магнитофонных усилителей.

Ряс. 715. Основные размеры и схематическое изображение транзи­ сторов типа П13 — П15.

Таблица 101

Транзисторы типа П13 — П15

Предельно допустимые

П13

П13Г

пм

П14А

П14Б

П15

П15А

электрические величины

 

 

 

 

 

 

 

Наибольший ток коллектора:

20

20

20

20

20

20

20

в режиме усиления, ма . .

в режиме переключения при

 

 

 

 

 

 

 

насыщении или в импульс-

150

150

150

150

150

150

150

ном режиме, м а ...............

Наибольшее напряжение меж­

 

 

 

 

 

 

 

ду коллектором

и базой:

15

15

15

30

30

15

15

до +40° С,

в .......................

 

выше +40° С, в ...................

 

10

10

10

20

20

10

10

Наибольшее напряжение меж­

 

 

 

 

 

 

 

ду коллектором и эмиттером:

15

15

15

30

30

15

15

до +409 С, в .......................

 

выше +40° С, в ...................

 

10

10

10

20

20

10

10

Наибольшая

рассеиваемая

 

 

 

 

 

 

 

мощность

при

температу­

150

150

150

150

150

150

150

ре до +55° С, мет . . . .

П р и м е ч а н и е . Наибольшая рассеиваемая мощность при тем­ пературе окружающей среды (Т0 ) выше + 5 5 в С рассчитывается по фор­

муле

р

__ 8 0 - Г с

наиб

0,3° C/jнет

683

Таблица 102

Транзисторы типа П13—П15

Электрические данные

 

П13

П13Б

П14

П14А

П14Б

П15

П15А

Наибольшая

частота

усиле-

 

 

 

 

 

 

 

ния

по току в схеме с об­

 

 

 

 

 

 

 

щей базой при напряжении

 

 

 

 

 

 

 

на коллекторе 5 <?, токе эмит-

 

 

 

 

 

 

 

тера

1

ма и

температуре

0,5

0,5

1

1

1

2

2

+20® С,

Мгц (не менее)

 

Коэффициент усиления по току

 

 

 

 

 

 

 

В при

напряжении на кол­

 

 

 

 

 

 

 

лекторе

5

токе эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

1 ма, на

частоте 1000 гц\

 

 

 

 

 

 

 

при

+20° С .......................

>12

20—

20— 20— 30— 30— 50—

ь

+55° С (не менее)

 

12

60

40

40

60

60

100

 

20

20

20

30

30

50

Обратный ток коллектора:

 

 

 

 

 

 

 

при +20° G и

напряжении

 

 

 

 

 

 

 

на коллекторе 5 *• мка (не

15

15

15

15

15

15

15

б о л е е ) ..................................

при +20° G и напряжении

 

 

 

 

 

 

 

на коллекторе 30 <?, мка (не

 

 

30

30

50

 

 

более)

 

• • • • • • • • ■ »

 

 

 

 

при

+20° С и напряжении

 

 

 

 

 

 

 

на коллекторе

15 в, мка (не

30

 

20

 

 

30

30

более) ..................................

при +70° С и при напряже­

 

 

 

 

 

 

 

нии на коллекторе 20 в, мка

 

100

100

 

(не б о л е е ) ...........................

 

Обратный

ток

эмиттера при

 

 

 

 

 

 

 

' напряжении на эмиттере 5 в:

30

30

30

30

30

30

30

при

+20° С,

мка (не более)

»

+55° с ,

мка (не более)

250

250

250

250

250

250

250

Сопротивление базы на высо­

 

 

 

 

 

 

 

кой частоте при температу­

150

150

150

150

150

150

150

ре +20® С, ом (не более)

Емкость

коллектора

при на­

 

 

 

 

 

 

 

пряжении на коллекторе 5 в,

 

 

 

 

 

 

 

токе

эмиттера

1 ма на

ча­

50

50

50

50

50

50

50

стоте

500хг1Ь пф (не более)

Выходная

проводимости

при

3,3

3,3

3,3

 

3,3

3,3

3,3

температуре

+20° С, мксим

з ,з

Коэффициент шумов в схеме с

 

 

 

 

 

 

 

общим эмиттером при напря­

 

 

 

 

 

 

 

жении на коллекторе 1,5 в,

 

 

 

 

 

 

 

токе в цепи эмиттера 0,5 ма

 

 

 

 

 

 

 

и на

частоте

1000

ец,

дб

 

12

 

 

 

 

(не б о л е е ) ...........................

—-

684

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими вы­ водами.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до ^80® С. Срок службы не менее 5000 ч.

Проводимость р-п-р. Вес не более 1,2 г.

Германиевые сплавные транзисторы типа П16

Предназначены для работы в триггерных схемах и схемах переклю­ чения.

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими вы­ водами.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до -Ь70"С. Проводимость р-п-р.

Срок службы не менее 5000 ч. Вес не более 1 г.

Рис. 716. Основные размеры и схематическое изображение транзисторов типа П16.

Для повышения надежности работы рекомендуется эксплуатировать транзисторы при напряжении на коллекторе до 10 в при мощности, рас­ сеиваемой на коллекторе, не более 75 мет.

Предельно допустимые

электрические

величины

 

 

 

(общие для всех транзисторов типа П16)

 

 

 

Ток переключения в режиме насыщения, ма

....................

150

 

Ток закрытого транзистора в статическом режиме при на­

 

25

пряжении на коллекторе 15 в, мка (не б о л е е ) ................

 

Ток закрытого транзистора в импульсном режиме при на­

 

 

пряжении на коллекторе 12 в и токе коллектора 10 лея,

 

мка (не более)

....................................................................

 

 

500

 

Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с общим

15

эмиттером, в ...................................................................

 

 

 

.

Наибольший ток коллектора в режиме переключения при

 

насыщении и в импульсном режиме, м а ........................

ма . . .

300

50

Наибольшее среднее значение тока эмиттера,

.

Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре

 

окружающей среды до -^45° G, м е т ................................

 

200

 

П р и м е ч а н и е .

При температуре окружающей среды (Гс ) выше

* > 4 5 ° С наибольшая

рассеиваемая

мощность

рассчитывается по

формуле

 

 

 

 

 

п85 - Г с

Р наиб - 0 i2 9 C jм е т М ет '

685

Таблица 103

Транзисторы типа П16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

 

 

 

П16

П16А

П16Б

Наибольшая

частота усиления по току

в схе­

 

 

 

ме с общей базой при напряжении на коллек­

 

 

 

торе

5

в и токе

эмиттера

1

ма,

Мгц (не

1

1

2

м е н е е ).................................................................

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по току В при напря­

 

 

 

жении

на

коллекторе

1 в и токе коллекто­

 

 

 

ра 10 ма:

 

 

 

 

 

 

20—60 30—90 45—135

при +20° С ...............

 

 

 

 

 

»

+70QC (не менее)

 

 

 

 

20

30

45

»

—609 С (не менее) ..................................

 

 

 

 

10

15

23

Время переключения

при напряжении на кол­

 

 

 

лекторе

15 в и сопротивлении

в цепи кол­

 

 

 

лектора

1500 ом:

 

 

 

 

 

2

 

 

при сопротивлении в цепи базы 9800 ом, мксек

1,5

ь

 

ь

ь

 

13 ком,

мксек

ь

 

ь

»

 

18 ком,

мксек

1

Напряжение

между коллектором и эмиттером

 

 

 

в режиме насыщения при напряжении на

 

 

 

коллекторе

15 в и

сопротивлении

в

цепи

0,1

0,15

0,2

коллектора

1500 ом, в ...................(не более)

 

 

Напряжение между базой и эмиттером в режи­

 

 

 

ме насыщения при напряжении на коллек­

 

 

 

торе

15 в

и сопротивлении

в цепи коллек-'

0,3

0,35

0,4

тора

1500 ом, в (не более) ...........................

 

 

 

 

Германиевые сплавные транзисторы типа П21

Предназначены для работы в импульсных и электронных устройст­ вах в схемах усиления и переключения.

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими выводами.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до +-70° С. Проводимость р-и-р.

Срок службы не менее 5000 ч. Вес не более 1 е.

Рис. 717. Основные размеры и схематическое изображение транзисторов типа П21.

686

При включении транзисторов в схему коллекторный вывод должеп присоединяться последним и отключаться первым.

Таблица 104

Транзисторы типа П21

 

 

 

 

 

. Электрические данные

П21

П21А

П21В

Наибольшая частота усиления по току в схе­

 

 

 

ме с общей базой при напряжении на кол­

 

 

 

лекторе 5 в, токе коллектора 5 ма и темпе­

1

1

1

ратуре +20° С,

Мгц (не м ен ее)...................

Коэффициент усиления по току В при напря­

 

 

 

жении на коллекторе 5 в и токе коллек­

 

 

 

тора

25 ма:

 

 

50—150 20—60 50—150

при +20° С .........................................................

 

 

»

+70° С .........................................................

 

 

50—200 20—75 50—200

»

—60° С .........................................................

коллектора при напряжении

25—150 15—60 15—150

Обратный

ток

 

 

 

на коллекторе 70 в:

50

50

50

при

-{-20° С,

мка (не б олее)...........................

»

4*70QС, мка (не б олее)...........................

300

300

300

»

—60° С,

мка (не б олее)...........................

50

50

50

Обратный

ток

эмиттера при напряжении на

50

50

50

эмиттере 50 в, мка (не б о л е е ).......................

Сопротивление

насыщения при токе коллек­

1

2

1

тора

300 мау

ом (не б о л е е )...........................

Предельно допустимые электрические величины

 

 

 

(общие для всех транзисторов типа П21).

 

 

 

Наибольший ток коллектора в импульсе при скважно­

300

сти

2, ма

................................................................................

 

 

Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером, в

30

Наибольшее напряжение запертого транзистора в схеме с

 

общей базой:

 

 

50

для

П21 и

П21Б, в ...........................................................

 

 

для

П21А,

в .......................................................................

 

 

70

Наибольшая рассеиваемая мощность при напряжении

 

между коллектором и базой не более 35 в и температуре

150

-J-200 С, мет ............................................................................

 

 

Пр и м е ч а н и е . При температуре окружающей среды (Тс ) выше

+35QС наибольшая рассеиваемая мощность рассчитывается по фор­ муле

85 — Тс

Рнаиб = 0,33е С/ м е т М в т '

687

Германиевые сплавные транзисторы типа П25—П26

'Предназначены для работы в триггерных и переключающих схемах и схемах усиления электрических сигналов.

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими вы­ водами.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до +70° С. Проводимость р-п-р.

Срок службы не менее 5000 ч. Вес не более 1 г.

Рис. 718. Основные размеры и схематичес­ кое изображение транзисторов типа П25.

Германиевые сплавные транзисторы типа П 27 и П 28

Предназначены для усиления электрических колебаний низкой ча­ стоты в схемах с низким уровнем шумов.

Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими вы­ водами.

Работают при температуре окружающей среды от —60 до +70° С. Проводимость р-п-р.

Срок службы не менее 10 000 ч. Вес не более 1 г.

Рис. 719. Основные

размеры и схемати­

ческое

изображение

транзисторов

типа

П27 и П28.

 

 

Предельно допустимые электрические

величины

 

 

(общие для транзисторов типа П27 и П28).

 

 

Наибольший ток коллектора в диапазоне рабочих темпера­

 

тур, м а ....................................................................................

 

 

6

Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с общей

 

базой и в схеме с общим эмиттером в диапазоне рабочих

 

температур, в .......................................................................

 

 

5

Наибольшее сопротивление в цепи базы в схеме с общим

 

эмиттером при температуре выше ф30° С, ом (не более)

500

Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре от

 

—60 до +55° С, мет ........................................................

 

 

30

П р и м е ч а н и е . Наибольшая рассеиваемая мощность при тем­ пературе выше +55° С рассчитывается по формуле

Рнаиб = 85 — Те мет.

688

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица

105

Транзисторы типа П25 — П26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрические данные

 

 

П25 П25А П25Б П26 П26А

П26Б

Наибольшая

частота

усиления но

 

 

 

 

 

 

току в схеме с общей базой при

 

 

 

 

 

 

напряжении на коллекторе 20 в,

 

 

 

 

 

 

токе

эмиттера

1,5

ма и темпе­

200

200

500

200

200

500

ратуре +20° С, кгц

(не менее)

 

Коэффициент усиления по току В

 

 

 

 

 

 

при

напряжении на коллекторе

 

 

 

 

 

 

70 *, токе эмиттера 1,5 ма, на

 

 

 

 

 

 

частоте 1000 гц\

 

 

 

 

10— 20— 30— 10— 20— 30—

при +20° С

...............................

 

 

 

 

»

+70® С (не менее) . . .

25

50

80

25

50

80

10

20

30

»

—60® G (не менее) .

.

.

7

10

15

Обратный

ток

коллектора

при

 

 

 

 

 

 

напряжении на коллекторе 100 в

 

 

 

 

 

 

и температуре

+20® 6,

мка

(не

150

150

150

150

150 150

б о л е е ).............................................

ток

коллектора

при

Обратный

 

 

 

 

 

 

напряжении на коллекторе 70 в

 

 

 

 

 

 

и температуре

+70° С,

мка (не

 

 

 

600

600

600

б о л е е )..........................................

 

эмиттера

при на­

 

 

 

Обратный ток

 

 

 

 

 

 

пряжений на

 

эмиттере

100 в

и

 

 

 

 

 

 

температуре

+20° С,

мка

(не

150 150 150 150 150 150

б о л е е )..........................................

 

 

 

 

 

 

 

Обратный ток эмиттера при на­

 

 

 

 

 

 

пряжении на

эмиттере

60

в

и

 

 

 

 

 

 

температуре

 

+50° С,

мка

(не

150

150

150

150

150

150

более) ..........................................

 

 

базы

на

низких

Сопротивление

 

 

 

 

 

 

 

частотах

при

напряжении

 

на

 

 

 

 

 

 

коллекторе

35 в , токе эмиттера

 

 

 

 

 

 

1,5

ма VL

температуре

+20° С,

500

500

500

 

500

500

ом (не более)...............................

на высокой

8

Сопротивление

 

базы

 

 

 

 

 

 

частоте

при

напряжении

 

на

 

 

 

 

 

 

коллекторе 35 в, токе

эмиттера

 

 

 

 

 

 

1,5 ма и

температуре

+20° С,

150

150

150

150

150

150

ом (не более)...............................

 

при

на­

Выходная проводимость

 

 

 

 

 

 

пряжении

на коллекторе 35

*,

 

 

 

 

 

 

токе эмиттера 1,5 ма, частоте

 

 

 

 

 

 

1000 гц и

температуре

+20° С,

3,5

3,5

3,5

3,5

3,5

3,5

мксим (не б о л е е ).......................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продолжение табл.

105

Электрические данные

П25

П25А

П25Б

П26

П26А

TI26F

Емкость

коллектора

на

частоте

 

 

 

 

 

 

500 кгц при напряжении на кол­

 

 

 

 

 

 

лекторе 35 вчтоке эмиттера 1,5 ма

 

 

 

 

 

 

И температуре

+20° С,

пф (не

70

70

70

50

50

50

б о л е е )..........................................

Время переключения при напря­

 

 

 

 

 

 

жении на коллекторе 30 в, токе

 

 

 

 

 

 

эмиттера

2,5 лса, сопротивлении

 

 

 

 

 

 

нагрузки

1000 ом и температуре

1,5

1,5

1,5

1,5

1,5

1,5

+20* С,

мксек

(не более)

. . .

Электрическая прочность

коллек­

 

 

 

 

 

 

торного

 

перехода

при

пульси­

 

 

 

 

 

 

рующем

 

токе

на

частоте 50 гц

60

60

60

100

100

100

и температуре +20® С, в . . .

Транзисторы

типа

1125 — П26

 

 

 

Таблица

106

 

 

 

 

 

 

Предельно допустимые электри­

П25

П25А

П25Б

П26

П26А

П26Б

 

ческие величины

 

Наибольший ток коллектора в ре­

 

 

 

жиме

переключения

при насы­

 

 

 

щении или в импульсном режи­

400

400

400

ме, м а ..........................................

напряжение

400

Наибольшее

между

 

 

 

коллектором

и

базой,

эмитте­

 

 

 

ром и базой и коллектором и

 

 

 

эмиттером при сопротивлении в

 

 

 

цепи пазы не более 500 ом:

60

60

100

до +35° С, в ...........................

 

 

 

60

выше +35° С, в

.......................

 

40

40

40

70

Наибольшее

напряжение

между

 

 

 

коллектором и базой и

коллекто­

 

 

 

ром и эмиттером

при

сопротив­

 

 

 

лении

в

цепи

базы

не более

 

 

 

500 ом, рассеиваемой мощности

 

 

 

не более 100

мет

и температу­

100

100

100

ре до +50® С, в

 

........................

 

100

Наибольшая

мощность,

рассеива­

 

 

 

емая

транзистором в ключевом

 

 

 

или

импульсном

режиме, при

200

200

200

температуре до +35° С, мет . . 200

оо

400

 

100 100

70 70

100 100

200 200

П р и м е ч а н и е . Наибольшая рассеиваемая мощность транзи­ стора в ключевом или импульсном режиме при температуре выше 4* 35° С рассчитывается по формуле

75 - Тс РвавЪ — 0,2е С/мет

6S0

Соседние файлы в папке книги