книги / Транзисторы
..pdfТранзисторы германиевые р-п-р
сплавные низкочастотные МП42—МП42Б
А. Общие и конструктивные данные
/. О сн овн ое н а з н а ч е н и е
Применение в переключающих схемах радиотехнической аппа ратуры и аппаратуры связи широкого применения.
2. Г а б а р и т н ы й ч ер т еж
Эмиттер
Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.
|
|
3 . К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е |
|
|
Еес транзистора |
(макс.) |
|
2 г |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
5.6м м |
|
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
12 |
» |
Длина выводов |
(мин.) |
40 |
» |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
0,5 |
* |
|
Транзистор заключен в металлический герметичный корпус с гибкими выводами.
4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и
Категорически запрещается эксплуатация транзисторов даже при кратковременном превышении предельно допустимых значении мощности, напряжений, токов, температуры.
5 . |
У ст ой ч и вост ь п р о т и в в н е ш н и х |
|||
Диапазон |
температур |
окружающей |
среды |
|
Атмосферное |
давление |
|
||
Относительная |
влажность при температуре |
|||
+40±2°С |
|
|
|
|
Термоциклирование в |
диапазоне |
температур |
||
Постоянные ускорения |
(макс.) |
|
||
Многократные |
удары |
(макс.) . |
|
|
Вибрация |
в диапазоне |
5-5-2000 гц |
(макс.) |
|
в о зд е й с т в и й
—60 -4- +70° С от 2,7-103 доЗ-104 н/м 2
9 5 - 4 - 3 9 6
—60 -г- +70° С 150^ 150^
12*
6. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы
Наименование параметра
Время включения
Коэффициент передачи тока в схеме с об щим эмиттером
Обозна |
Един. |
Величина для транзисторов |
||
|
|
|
||
чение |
изм. |
МП42 |
МП42А |
МП42Б |
|
|
|||
^вкл |
мксек 12.51 |
f l 5 j |
1 . 0 1 |
|
^219 |
|
20-4-35 |
СО О + сл о |
45-е-ЮО |
|
7. Т еп л о в ы е п а р а м е т р ы |
|
|
||
|
Определение |
|
Обозна |
Един. |
Величина |
|
|
чение |
изм. |
||
Наибольшая |
температура |
перехода |
^макс |
°с |
|+ 8 5 | |
Наименьшая |
температура |
окружаю |
|
°с |
| - 6 0 | |
щей среды |
|
|
^мин |
||
Тепловое сопротивление |
переход — |
|
°С/мвт |
0,2 |
|
окружающая среда |
|
^пс |
|||
То же, при давлении окружающей |
|
°С/мвт |
|
||
среды менее 50 мм рт. ст. |
^пс |
0.3 |
|||
Б. Электрические параметры и данные
ТРАН ЗИ СТО Р М П42
/. М а к с и м а л ь н о д о п ус т и м ы е д а н н ы е
при температуре окружающей среды Тс=° —60 -г- + 70е С
1. МОЩНОСТИ (мет) И ТОКИ (ма)
Определение
Мощность, рассеиваемая транзистором при Тс = +45° С
Постоянный ток коллектора в режиме пе реключения при насыщении или в им пульсном режиме
Обозначение Величина
Ртп 12001
^кн |
I 150 | |
При 7'с свыше +45° С и нормальном давлении мощность рас-* считывается по формуле
Рт *= 5 (85 — Г°), мет.
При давлении менее 50 мм рт. ст. мощность рассчитывается по формуле
Рт — 3,3 (85 — Тс), мет.
2. |
НАПРЯЖЕНИЯ (в) |
Определение |
Обозначение Величина |
Напряжение |
коллектор — база при хх |
в |
цепи эмиттера |
^кбо |
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер при |
кз |
в цени эмиттер — база |
^кэо |
|
ГЩ
пи
|
|
II. Н а ч а л ь н ы е т оки (м к а ) |
|
|
|||
|
|
при температуре окружающей среды |
Т°с = + 2 0 ± 5 ° С |
|
|||
|
|
Определение |
Обозначе- |
Величина |
|||
|
|
|
|
||||
|
|
мне |
|
мин. |
макс. |
||
|
|
|
|
|
|
||
Ток |
коллекторного |
перехода |
запер |
|
|
|
|
того |
транзистора |
(импульсный) |
|
|
|
||
при £/к= 12 в |
|
Л < Э З |
|
2 |
14001 |
||
Ток |
коллекторного |
перехода |
запер |
|
|
|
|
того |
транзистора |
(статический) |
|
— |
25 | |
||
при |
1^ = 15 в и Г ^ + 7 0 0 |
^КЭЭ |
|
||||
|
III. У с и л и т е л ь н ы е п а р а м е т р ы |
|
|
||||
|
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА |
|
|
||||
|
при |
Г° =20±5° С, UH=5 а, |
/ 0 = 1 ма |
|
|||
|
Определение |
|
Обозна Един. |
Величина |
|||
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
чение |
изм. |
мин. |
макс. |
|
|
|
|
|
|
||
Граничная |
частота |
коэффициента |
Мгц |
1 .01 |
|
||
передачи тока |
|
|
/ * 21б |
_ |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
Предельная |
частота |
коэффициента |
Мгц |
0,8 |
|
||
передачи тока |
|
|
/т |
— |
|||
|
2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА |
|
|
||||
|
|
при |
Т°с =20±5° С, UK= 1 в |
|
|
||
|
Определение |
|
Обозна |
Величина |
|||
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
чение |
мин. |
макс. |
|
|
|
|
|
|
|
||
Коэффициент |
передачи |
тока |
при |
|
и з |
|
|
/,( = 10 ма |
|
|
|
Ь2\Ъ |
И З |
||
Коэффициент |
передачи |
тока |
при |
|
|
20 |
|
/ к = 150 ма |
|
|
|
/221Э |
5 |
||
|
8. НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ (в) |
|
|
||||
|
|
|
|
Величина |
Режим |
||
|
|
|
|
измерения |
|||
Определение |
|
Обозна |
|
|
|
||
|
чение |
мин. |
макс. |
'к |
и |
||
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
ма |
ма |
Напряжение |
коллек |
|
0.01 |
10.151 |
пз |
1 |
|
тор — эмиттер |
|
^кэн |
|||||
|
|
|
|||||
Напряжение |
коллек |
|
0,15 |
0.5 |
150 |
40 |
|
тор — эмиттер |
|
^кэн |
|||||
Напряжение |
эмиттер — |
|
0.2 |
0.3 |
10 |
1 |
|
база |
|
|
^эбн |
||||
Напряжение |
эмиттер — |
|
0,6 |
1.5 |
150 |
40 |
|
база |
|
|
^эбп |
||||
ТРАНЗИСТОР МП42А
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
при |
7^ = +20 ±5° С и |
/ = 270 гц |
|
|
|
|
|
|
Величина |
|
Режим |
Определение |
Обо- |
Един. |
|
измерений |
|
|
|
||||
значе |
изм. |
мим. макс. |
и* |
'к |
|
|
ние |
|
|||
|
|
|
|
в |
ма ма |
Коэффициент передачи тока
Коэффициент передачи тока
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения |
|
|
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения
Напряжение эмиттер —
^219 |
|
й |
1501 |
ш N |
|
|
Ь2\э |
— |
7 |
25 |
1 |
150 |
— |
Uкэи |
в |
0,01 |
0,15 |
|
10 |
1 |
Uкэн |
в |
0,15 |
0.6 |
_ |
150 |
40 |
база в |
режиме |
насы |
в |
0,2 |
0,3 |
— |
|
щения |
|
|
^эбн |
||||
Напряжение эмиттер — |
|
|
|
|
|||
база в |
режиме |
насы |
в |
0.6 |
1,6 |
|
|
щения |
|
|
^эбн |
|
|||
Время |
включения |
в |
|
|
|
|
|
схеме |
с общим |
эмит |
|
|
|
гпп |
|
тером |
(генератор |
то |
мксек |
|
|1 .5 | |
||
ка на |
входе) |
|
^вкл |
|
|||
Остальные данные и параметры не отличаются от параметров МП42.
ТРАНЗИСТОР МП42Б
10 1
150 40
N
данных и
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
|
|
|
при |
7°= + 20 ±5° С и |
/=270 |
гц |
|
|
|
|
|
|
|
|
Величина |
|
Режим |
|
|
|
|
Обо |
Един. |
измерений |
||||
Определение |
|
|
||||||
значе |
изм. |
|
макс. |
U в |
/ ма |
Iма |
||
|
|
ние |
|
|
||||
Коэффициент |
передачи |
|
|
|
|
|
_ |
|
тока |
|
h2\s |
|
145 | |
|100| |
ш |
|ю | |
|
|
|
|
||||||
Коэффициент |
передачи |
— |
|
30 |
|
150. |
|
|
тока |
|
h*i9 |
10 |
1 |
- 1 "^1 |
|||
Определение |
|
|
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения |
|
|
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения
Напряжение эмиттер — база в режиме насы щения
Напряжение эмиттер — база в режиме насы щения
Время включения в схеме с общим эмит тером (генератор то ка на входе)
Граничная частота ко эффициента передачи тока
Предельная частота ко эффициента передачи тока в схеме с об щим эмиттером
|
|
|
|
Продолжение |
||
|
|
Величина |
|
Режим |
|
|
Обо- |
Един. |
|
измерений |
|
||
|
|
|
|
|||
значе |
изм. |
|
|
UK,e V ма и - ма |
||
ние |
|
мин. |
макс. |
|||
Uкэн |
в |
0.01 |
0.2 |
|
10 |
1 |
^кэн |
в |
0.2 |
0.7 |
_ |
150 |
40 |
^кбн |
в |
0,25 |
0.4 |
_ |
10 |
1 |
^эбн |
в |
0.6 |
1.7 |
_ |
150 |
40 |
^в; |
мсек |
|
1.0 |
15 |
10 |
|
/Л21б |
Мгц |
2.0 |
_ |
5 |
— |
1 |
/ т |
Мгц |
1.67 |
— |
5 |
— |
1 |
Остальные данные и параметры не отличаются от данных и параметров МП42.
1ц| ма
Типовые входные характеристики транзисторов МГ142—МП42Б для схемы с общей базой
Типовые входные характеристики транзисторов МП42—МП42Б для схемы с общим эмиттером
и „э
Типовые выходные характеристики транзисторов МП42—МП42Б для схемы с общей базой
1б,ма
11эб.е
Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов МП42—МГ142Б от тока коллектора
Типовые выходные харак теристики транзисторов МП42 для схемы с общим эмиттером
1И'ма
Типовые выходные характеристики транзисторов МП42А для схемы с общим эмиттером
1к,ма
Выходные характеристики транзисторов МП42Б для схемы с оощим эмиттером