книги / Микроструктуры интегральной электроники

тян

и др.//Электронная

техника. — Сер.

3.

Микроэлектроника. — 1986 —Выл.

2 -

С. 69—92.

35. О физической модели структур металл-р+-/г-кремний с радиационными

дефектами в кремнии/Е. В. Бузанева, А. Д. Вдовиченко,

В. Г Левандовский и

др.//Электронная

техника

Сер 2

Нол\проводниковые

приборы — 1983 —

№ 6 — С 102—111.

36. Бузанева

Е. В.,

Левандовский

В. Г.,

Стриха В. И. Инжекция

в кон-

1 актах

металл-тонкий р+-слой-полупроводни^/Радиотехника

и электроника —

1985 — Вып. 7. — С 1403—1408.

37. Моделирование

электрофизических

характеристик

структур металл-р+-

слой-п-полупроводник

с

неоднородным

по

толщине р+-слоем/Е. В. Бузанева,

А

II

Ветров, В

Г. Левандовский и

др//Электронная техника. Сер. 2. Полу

проводниковые приборы.— 1985. — Вып. 4 —С. 31—36.

38

Влияние концентрации примесей в n-Si на Bbicoiy барьера и иарамсгры

ВАХ контактов Al-p+-n-Si с барьером Шотки/Е

В. Бузанева, T. II. Трайнис,

В

А

Хрусталев

и др//Электронная

техника

Сер. 3.

Микроэлектроника,—

1986 — Вып. 4 — С. 14—22

39

Woodcoch J. М., Shannon J. М. Thermoionic Emission in Bulk Unipolar

Camel

Diodes//Appl. Phys. Letts. — 1984. — Vol. 48, № 8 — P. 876—878.

40. Изменение свойств поверхности кремния при электрохимической имплан

тации

сурьмы/Е. В. Бузанева, Г А

Зыков,

3

С

Саган//Поверхность. — Физи­

ка, химия, механика. — 1983.—№ 5.---С. 156—158.

41

Паничевская В. И., Бузанева Е. В., Осипов А. В. Спектр поверхност­

ных состояний и

механизм

переноса

тока

в

напыленных

контактах

металл-

1977, — Вып. 26 — С. 9—15

42. Исследование реальной поверхности д-кремния (III) с адсорбированным

гадолинием методом растровой оже-электронной

спектроскопии/Е. В. Бузайева,

А А Вдовенков, Т А

Вдовенкова и др //Поверхность. Физика, химия, механи­

ка — 1985. — Кя 10.- С

56—63

43 Физико-химические свойства окисленной поверхности поликристалличе-

ского п-CdTe/E. В. Бузанева, Е В. Винник, С. С

Кильчицкая и др.//Изв вузов

СССР. Сер Физика — 1986. — № 9. — С 118—121.

44 Шека Д. И., Воскобойников А. М., Стриха В. И. Поверхностные состоя­

ник//Тр Всесоюз конф. по физике

полупроводников. — Баку, 1982 —Т. 2. — С.

296—297.

на

45. Бузанева Е. В., Ильченко В. В. Стриха В. И. Электронные состояния

границе раздела

в изотипных

р-р-гетеропереходах кремний — дисилицид

рения//Тр. II Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых

гетероструктурах —Ашхабад- Ылым, 1978 —Т. 2. — С. 46—48

ток

46 Бузанева Е. В., Ильченко

В. В, Стриха В. И. Туннельно-резонансный

в контактах металл-кремний,

легированный палладием//Изв вузов СССР.

Сер

Физика. -- 1982 — № 3. — С. 76—79

V. К. Surface States in

47 Tupenevich Р. A., Buzaneva Е. V., Kononenko

In-ZnTe Structures//Proc. Intern. Centre for Theoretical

Physics

—Trieste, Italy,

1984.— P. 2-6.

высоты потенциального барьера

области

пространственно­

48. Определение

талл— тонкий диэлектрик — полупроводник/Е. В.

Бузанева,

В Г.

Левандов­

ский, В. И Стриха, А. А Шумило//Поверхность

Физика,

химия,

механика.—

Hanselaer, W H

Laflere et al//J. Appl.

Phys. -

1987. —Vol 61,

Ab

6. ~ P ,

2277—2281.

50 Теоретические и экспериментальные исследования физической

модели

гетероструктур

с

многофазным переходным слоем на CdTe/B.

И

Стриха,

Е В. Бузанева,

В. Г. Левандовский и др.//Тр. IV

Всесоюз. конф. по

физиче­

ским процессам

в полупроводниковых

гетероструктурах. — Ч.

2. —Минск*

1986, —327 с.

54. Литовченко В. Г. Основы

физики полупроводниковых слоистых сис­

тем — Киев Пашкова думка, 1980.

-282 с.

55 Бузанева Е. В., Лобарев Е. Н., Стриха В. И. Физические процессы

в

структ>рах металл-тонкий диэлектрик-полупроводник с барьером Шогки

и

вая техника и микроэлектроника

1978.--Вып.

27. — С

50—59.

56. Теоретическое и экспериментальное исследование контактов металл-тои-

кий диэлекгрик-низкоомный арсенид галлия/В. И. Стриха,

Е В.

Бузанева*

Г В. К>знецов, Г. Д 11опова//Полупроводниковые

приборы с барьером Шот-

ки —Киев. Наукова думка, 1979.—С

197 -203.

А. А. Исследование

туннели­

57 Охонин С. А., Погосов А. Г.,

Французов

ного барьера к треуюлыюму//ФТП.— 1988. — Т

22, вып. 5. — С

811—814.

by

5<8. Maserjian

J., Zamani N Behavior of the

Si/Si02 Interface

Observed

Fowler-Nordheim

Tunneling/'J. Appl Phys. — 1982.

—Vol. 53, Ab

1.—P. 559—

567.

меняющийся во времени

по­

59 Кузнецов В. С. Прохождение частиц через

60.

Осцилляция

туннельной проводимости

структур

p-Hgi_xCdxTe-Al203-Pb

в магнитном поле/Г

М Миньков, О Э. Рут, А. И. Луканин, В. В. Кружаев//

ФТТ — 1982. - Т 24, вып. 2. — С 356—364.

Нинидзе Г. К. Колоколообразные

61

Добровольский В. Н., Жубаев С. Т.,

C-U характеристики и отрицательная дифференциальная

проводимость МТДП

структур//Письма в ЖТФ — 1988 — Т. 14, вын. 5. — С.

400—404.

62.

Кильчицкая

С. С. Фотоэлектрические

явления в

контакте металл — по­

small Tunnel Junctions//IBM J. Res.

&

Devel. — 1988. —Vol. 32, № 1. — P.

144—158.

64. Farmer К. K., Rogers С. T., Buhrman R. A. Localized State Interactions

în Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel

Diodes//Phys. Rev. Letts. — 1987.—Vol, 58,

No 21.— P. 2255—>2257.

65. Maserjian J., Zamani N. Observation of Positively Charged State Genera­

tion Near the Si/Si02 Interface During

Fowler — Nordheim Tunneling//J. Vac.

69 Шик А. Я. Сверхрешетки — периодические

полупроводниковые структу-

рыу/ФТП — 1974. — T. 8, вып 10. — С. 1841—1864.

70. Силин А. П. Полупроводниковые сверхрешеткн//УФН.— 1985. — Т. 147,

вып 3, — С. 485—522.

71. Елинсон М. И., Петров В. А. Электрооптические эффекты в стр}кт>рах

' кванюными ямами//Микроэлектроника - 1987

- Т 16, вып 6 —С 522--

532.

мерными слоями. —Препринт—Минск, 1987. —52 с —(Ин-т физики АН

БССР,

Mb 492).

Dopan-

75* Schubert Е. F., Harris T. D., Cunningham J. Е. Minimization от

Phys Letts.— 1988. — Vol

53, № 22. —P. 2208—2210.

сис­

76. Андо T., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства дв)мерных

тем — М.. Мир, 1985. — 415 с.

From

InGaAs/InP

Qm

i a

W **cs

77. Low Temperature

Photoluminescence

and Boxes/H Temkin, G.

J Dolan, M B Patiish

et

a l//Appl

Ph>s.

Leu* —

1987 — Vol. 50, Mb 7. — P

413—415.

Ultrafine

Mesa*etched

Single

and

One-dimensional Electronic Systems in

Multiple Quantum Well Wires/T. Demel, D

Ilcitman,

P Granbow,

К

Ploog//

Appl. Phys. Letts — 1988 — Vol. 53, Mb 22. — P. 2176-2178

78 Spatial Quantization in GaAs-AlGaAs

Multiple Quantum Dots/M. A. Re­

ed, R. T

Bate, K. Bradshaw et al.//J. Vac.

Sci.

Tcchnol — 1986 — Vol

B4,

Mb L — P

338-360.

Observation of Discrete Electronic States in a Zero-dimensional Semiconduc­

tor Nanostructure/M. A. Reed, J. N. Randall,

R. J. Aggarwall et al.//Phys. Rev.

Letts. — 1988. — Vol. 60, Mb 6. — P. 535—537.

81.

Ридли Б. Квантовые процессы в

полупроводниках. — М . Мир, 1986 —

304 с.

82.

Магарилл Л. И., Романов П. А.,

Шик А. Я. Межзонная люминесценция

квантовых гетероструктур//ФТП.— 1987.

— Т. 21, вып. 3 —С. 404—410.

водниковых структурах и перспективы их применения

в

электронике

СВЧ.—

Ч. I. Физические основы//Электронная техника.

Сер.

Электроника

СВЧ.—

1987. — Вып. 9. —С. 21—34. То

же.—Ч. II. Резонансно-туннельные

диоды

и

транзисторы//Там же — 1988 — Вып. 2. — С. 17—33

Resonant

90. Coon D. D., Liu Н. С. Frequency Limit

of Double Barrier

Tunneling

OscilIaeors//Appl. Phys

Letts — 1986 —Vol

49, Ms 2 - - P .

94—96

91. Resonant Tunneling Through Quantum Well at Frequencies up to 2.5

THz/T. C. Sollner, W. D. Goodhue, P. E. Tannenwald et

aI.//Appl. Phys

Letts.—

1983 — Vol. 43, М2 10 — P 588—590.

92 Excellent Negative Differential Resistance of InAlAs/InGaAs Resonant

Tunneling Barrier Structures Grown by MBE/T. Inata,

S. Muto, Y

Nakata

et

al.//Jap

J. Appl. Phys. — 1986. —Vol. 25, N

12.— P.

L983—L985

93. Liu H. C. Tunneling Time Through Heterojunction

Double Barrier Dio-

des//SuperIattices and Microstructures. — 1987.—Vol. 3,

Ms 4. —P. 379—382.

94. Summer C. J., Branner K. F. Variably

Spaced

Superlattice — Energy Fil­

ter, a New Device Design Concept for Highenergy Electron

Injection//Appl

Phys Letts. — 1986. — Vol. 48, Ms 16. — P. 806—808.

95. Importance of Space-Charge Effects in Resonant Tunneling Devices/M.

Cahoy, M McLennan, S. Datta

et al.//Appl.

Phys.

Letts. — 1987. — Vol.

Б0,

Mo 10. —P. 612—614

96. Aishima A., Fukushima Y. Negative Resistance in a Finite Superlattice

Owing

to

Quantum Mechanical

Reflection//J.

Appl.

Phys. — 1987. —Vol.

61,

Mo 1.—P

248—256.

Superlattice

Barrier

Reed M. A., Lee J. W. Resonant Tunneling in Double

Heterostructures//Superlaetice and

Microstructures. — 1987.—Vol. 3,

Ms

1. — P.

111—116

98

Proposed

Structure for Large

Quantum

Interference Effects/S Datta,

M. R.

Melloch,

S. Bandyopadhyay et

al.//Appl.

Phys. Letts.— 1986. —Vol. 48,

1986 —Vol

2, Ms 6 — P. 539—542.

99. Le

H. Q., Layhowsky J. J., Goodhue W. D. Stark Effect in AUGaj-xAs/

Кузнецов

и др.//Радиотехника

и электроника, — 1987. —Т.

32, вып.

2. —С.

410—415,

Tunneling:

104. Observation of a Negative Differential Resistance Due to

Through

a Single Barrier into

a Quantum Well/II G. Maro, J

Chen,

U

K. Red­

proximation//Phys.

Rev. Ser. В — 1981. — Vol.

24 —P

5693—5708.

Tran­

107. Altarelli

M. Electronic

Structure

and Semiconductor — Semimetal

sition in InAs-GaSb

Superlattices//Phys

Rev.

Ser.

B. — 1983. — Vol

28.— P.

842—849.

Strained

Superlattice//IIeterojunction

and

Semiconductor

108. Marzin J. Y.

Superlattices. Proc Winter School, Les Ilouches

France, Maich

1221,

1985 —

Berlin: Springer-Verlag — 1986 — P 161—176

109. Лобаев A. H., Силин А. П. Зонная cipyKiypa пилообразной свсрхре-

шетки//Кр. сообщ но

физике/ФИАН СССР.— 1985 --№

1.--С.

19—22

ПО. Sasaki A. Effective Mass Superlatticc//Phys. Rev. Ser. В — 1984. — Vol.

30, № 12. —P. 7016—7020.

G. H. Electronic

Structure

of

Semiconductors

with

Ill

Ruden P.t Dôhler

Doping

Superlattices//Phys

Rev. Ser. B.— 1983 —Vol. 27.—P. 3538—3543.

Ploog K., Dôhler G. N. Compositional and

Doping

Superlattice^ in

III —V

Semiconductors.//Adv.

Phys. — 1983. — Vol.

32,

№

3. — P.

255—2Г.1

112. Plasma Oscilla'tions in a Superlattîce/G

M. Shmelev, I. A. Choukovskii,

V. V. Pavlovich et al.//Phys. Stat. Sol. Ser. B. — 1977.—Vol. 82.— P 391—395.

113. Bloss W. L. Optic and Acoustic Plasmon Modes of a

Semiconductor

Superlattice//Sol. Stat.

Commun. — 1982. — Vol.

44,

№ 3. — P.

363—367.

114 Thelis A. C., Gonzalez de la Cruz G., Quinn J. J. Helicon Waves

in Se­

miconductor

Superlattices//Solid

State Commun. — 1983. — Vol

47. — P.

43—46.

115. Qin

G., Giuliani G< F.,

Quinn J. J. Acoustic Surface

Plasmons

in Type

II Semiconducting Superlattices//Phys. Rev. Ser.

B.— 1983. — Vol.

28. — P.

6144—6149.

P. 141—148.

116. Zhu Yun,

Huang Fengyi, Zhou Shîxun. Surface Collective Excitations

and Raman Intensity in a Semiconductor Superlattice Topped

with a Metal-in­

sulator Layer//Z.

Phys. Ser. B. — 1988.— Vol. 72, № 1. — P.

55—58.

122 Павлович В. В., Энштейн Э. М. Нелинейная высокочастотная

прово­

димость сверхрешеток//ФТТ. — 1976. — Т. 18, вып. 5. — С. 1483—1489.

ной

волной в

полупроводниках

со сверхрешеткой//ФТТ. — 1980. — Т. 22, вып.

11 -

С. 3319—3323.

Ю. А. Нелинейные резонансные особенности

125 Орлов

Л. К, Романов

туннелирования

электронов//ФТГ1 — 1985 —Т. 19, вып. 10. — С

1877—1881.

126 Луцкий

В. И, Каганов М. И., Шик А. Я. Кинетические

эффекты в

Всесоюз

совещ. по 1еории полупроводников — Ереван, 1987.— С 181

127.

Rodrigues S., Camacho A., Quiroga L. Electrostatic and Magnetostatic

Modes in

Semiconductor Superlattices//Superlat. & Microstr.— 1987. — Vol. 3,

lattices Grown

by Photoassisted MBE//Phys. Rev. Ser.

B. — 1987.—Vol.

36,

№ 17 — P. 9358—9361

130. Datta S., Furdna J. K., Gunshor R. L. Diluted Magnetic Semiconductor

Superlattiec and

Hetcrostruclurcs//Superlat

and

Microstructures. — 1985 — \oI

1, № 4. — P. 327 -334.

the

131. Watanabe H., loshita T. Electronic Structure and Various Types

Realization of the Supcratom//Optoelcctron

Dev. Tecnol — 1986 — \ol.

1. Лг°

L—

P. 33—38.

132 loshita T., Ohnishi S., Oshiyama A. Electronic Structure of the Super­

atom: a Quasiatomic System Based on a

Semiconductor

Heterostructure//Phys.

Rev. Letts. — 1986 — Vol. 57, № 20. — P. 2560—2563

133, Photovoltaic Detection of Infrared Light in a GaAs/AlGaAs Superlat-

tice/A. Kastalsky. T. Duffield, S. G. Allen, J. Harbison//Appl.

Phys,

Letts. —

1988. — Vol. 52. № 16 -

P

1320—1322

134. Periodic Negative Conductunce by Sequentual Resonant Tunneling thro­

ugh an Expending High-field Superlattice Domain/К

К

Choi,

B. F.

Levine,

R. J. Malic et al //Phys. Rev

Ser. В. — 1987. —Vol. 35, № 8. —P. 4172—4175.

135 Davies

R. A., Kelly M. J., Kerr T. M. Room-temperature

Oscillations in

a Superlattice

Structure//Electr. Letts.— 1986. — Vol.

22,

№ 3.—P.

131—133.

136. Observation of Negative Differential Resistance

in

CHIRP Superlattice/

T. Nakagama, II. Imamoto, T. Sakamoto

et al.//EIectr. Letts. — 1985.—Vol. 21,

№ 6 — P

882—884.

Electron-Wave

137 Furuya K. Novel High-speed Transistor Using Electron

Diffradiov, /J. Appl. Phys — 1987. — Vol

62, №

4. — P.

1492—1494.

S

Aka-

Amorphous

Silicon

Superlattice Thin

Film

Transistors/M. Tsukude,

matsu, S

Miyazaki et

al.//Jap. J. Appl.

Phvs. — 1987.—Vol. 26,

№ 2. — P.

111-113.

nuum Resonance

Device//Superlat. and Microstruct.— 1987. — Vol. 3, №

4.—P.

387—389.

И. К. Эффект

Джозефсона в сверхпроводящих

139 Кулик И. О., Янсон

туннельных структурах. — М..

Наука, 1970. — 272 с.

1984.—

140. Бароне

А., Петерно

Дж. Эффект

Джозефсона. — М.: Мир.

1985 —232 с

Г., Икома Г., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику: Пер.

143. Сугано

с япон. М.: Мир,

1988. — 320 с.

проводниках

при одночастичном туннелировании в

условиях переменного

на­

пряжения на туннельном контакте//Физика низких

температур.— 1984. — Т. 10,

выл. 3 — С

273—279.

Superconducting

Proximity

149. McMillan W. L. Tunneling Model of the

Effect//Phys

Rev. — 1968. — Vol. 175, № 2. — P. 5,37—542.

кон­

150. Асламазов Л. Г., Фистуль M. В. Резонансное туннелирование в

тактах

сверхпроводник —полупроводник - сверхироводнпкУ/ЖЭТФ, — 1982.

- Т.

83, вып.

10

-С. 1170—1174

Тартаковский А. В., Фистуль М. В. Квазичастичный ток в контактах сверх­

проводник— полупроводник — сверхпроводник//ЖЭТФ. — 1988. —Т. 94,

выи. 9 —

вой теории поля в статической физике. — М.: Наука,

1962.—444 с

An.atuni,

153. Josephson

Junctions with

Silicon Interlayer

and Arrays'L E

V. N

Gubankov,

S. A. Kovtonyuk

et al.//IEEE Trans.— 1987. — Vol. MAG-23,

23 -- P. 680-683.

Junctions

Cukauskas E. L, Carter W. L. Niobium-nitride Based Josephson

with

Unoxidized Silicon

Barriers//1EEE Trans.— 1987.—Vol. MAG-23,

№ 2.—■

P. 669-672.

T. Self-field Effects in Josephson Junctions

Coupled

Inoue K., Kawakami

with n-InAs and the

Surface Inversion Layer on p-InAs//Jap. J. Appl. Phys.—

1987. _ Vol. 26. — Pt.

2. — Suppl. JVe 3. — P. 1665—1666.

155. Заикин А. Д.,

Панюков С,

В. Квантовые флуктуации и когерентные

эффекты в

туннельных

переходах

малых размеров//ЖЭТФ.— 1988. — Т 94,

вып. 12. —С

172-187.

Interactions of Charge Defect States in Submicron Josephson

Junctions//Phys.

Rev. Letts. — 1987. — Vol. 58, № 16. — P. 1687—1690.

160 Crossover from Josephson Tunneling to the Coulomb Blockade in Small

Tunnel Junctions/M. Iansiti, A. T. Johnson, C L. Lobb,

M. Tinkham//Phys

R’ev.

Letts — 1988. — Vol. 60, № 23. — P. 2414—2417.

Dependences

of

the

161 Fiske M. D. Temperature and Magnetic Field

Josephson Tunneling Current//Rev. Mod. Phys. — 1964. — Vol.

36, №

1. — P.

221—222.

тактах//Письма в ЖЭТФ. — 1989. — Т

49, вып. 2. — С. '105—107.

168. Fujimaki A.,

Nakajima К., Sawada Y. Spatio-temporal Observation of

the Soliton-anlisoliton

Collision in a

Josephson Transmission Line//Phys Rev.

вихрей на свойства туннельных джозефсоновских

переходов//ЖЭТФ — 1987 —

Т. 92, вып. № 4. —С 1512—1523.

контактов со случайно

Фистуль М. В. Критический ток джозефсоновских

расположенными абрикосовскими вихрями//Пнсьма

в

ЖЭТФ. — 1989. — Т. 49,

3

4. Определение параметров ОПЗ в полупроводнике с варизонным слоем

105

3.5 Расчет параметров ОПЗ в полупроводнике с аккумуляционным слоем

108

36.

Механизмы токоиереноса в МТДП структурах с барьером Шотки .

112

3

7. Туннелирование носителей через барьеры ТД и ОГ13 с участием ПС

121

3

8

Туннелирование

носителей

через сложный

барьер ТД . .

.

122

3

9. Прохождение носителей через осциллирующий потенциальный барьер

124

3

10. Токоиерснос в МТДо-П

структурах .

. . .

в

квантую­

127

3.11.

Осцилляции туннельной проводимости МТДП структур

129

3

щих

магнитных

п о л я х ....................................

. " .

12 Процессы в МТДП структурах при инжекции неосновных носителей

131

3

13 Оптические явления в МТДП

структурах........................

. 1 3 3

3 14. Когерентные отиозлектронные явления в МТДП микро- и

субмикро­

структурах

...............................

............................. \

. 1 3 8

3.15. Мезоскопическая физика МТДП аруктур

.

. . .

143

3.16

Физические основы элементов микроэлектроники на МТДП структу­

рах

...................................................................

.....

.............................

144

Р а зд е л

II. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ С СИСТЕМОЙ

ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ БАРЬЕРОВ И КВАНТОВЫХ ЯМ

147

Глава 4.

Структуры с отдельными и связанными квантовыми

ямами

143

4 1.

Энергетическая структура полупроводниковых систем с

отдельной

149

4.2.

квантовой

я м о й ..............................................................

.

Электрон-электрониое взаимодействие и межуровиевые переходы в

151

4

3

квантовой

яме . . .

..............................

. . . .

Квазидвумерный экситон

в квантовой яме . . .

. . .

153

4.4.

Спиновая релаксация электронов

в квантовой яме . . . .

155

4

5 Процессы перехода неравновесных носителей между квантовой ямой

158

4

и

полупроводником

.................................

.

. . .

6.

Условия

инверсной заселенности в квантовой

я м е .....................

162

4

7

Спектр нелинейного поглощения в структурах при заполнении под­

170

зон

в

квантовых

ямах . . .

.

. . .

.

4.8. Элеюрооптическая модуляция в структурах с квантовыми ямами

173

4

9 Экранирование

в

квантовой

яме

при переносе носителей .

177

4

10. Резонансное

туннелирование электронов

через

систему

барьеров

180

4 11

Резонансное т\ннедированис электронов с участием уровня в кванто­

183

вой

яме

. . . .

..............................

.

412 Механизм формирования ОДП S-тина в многослойных структурах

195

4.13. Явления

в структурах с электронными волнами вдоль квантовых ям

196

4.14. Эффект Штарка в структурах со связанными квантовыми ямами

198

4.15. Многофункциональность элементов на квантовых структурах . .

200

Глава

5

Сверхрешетки .

......................................................

.

203

51

Энергетическая

структура сверхрешеток .

203

5 2

Коллективные возбуждения двумерного электронного (дырочною)

214

5

юза

в сверхрешегках............................................................

.

3 Квантовые явления переноса носителей заряда

в сверхрешетках

215

5

4

Бистабильность резонансною туннельного тока электронов

в сверх*

5

реш етке........................

. . .

................................... 218

5.

Кинетические эффекты в сверхрешетках в сильных электрических ио

221

5

л

я

х

...............................

эффекты

в

. . . .

. . .

.

6,

Кинетические

сверхрешетках

в квантующем

магнитном

слся

.7

н о л е

.........................

в

......................................................

. 2 2 1

Электростатические моды

сверхрешетках .

.

.

.

225

8.

Магнитостатические моды на границах слоев в сверхрешетках

229

Ül СЛCl

9

Явления

в спиновых сверхрешетках

. . .

.

. 2 3 1

10,

Свойства

и

применения

квазиатомных сверхрешеток

.

234

11. Физические

принципы создания

элементов

микро(нано) электроники

235

на сверхрешетках....................................................................