Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Математические модели элементов интегральной электроники

..pdf
Скачиваний:
22
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
14.39 Mб
Скачать

в приборе с плавающим затвором заданным является: заряд, то неизвестное напряжение U3 может быть опре­ делено из условия постоянства полного заряда затвора:

L

" 'с

(5.46)

Q3 n = Z J Q3d y = (ZV/C)

j* Qs^paQpdU.

Решая совместно уравнения '(5.46) и (5.30), можно опре­ делить зависимости U3(U'Ci U'lly Q3n) и IC(U'с, U'lu

Q3п) •

В соответствии с простейшими уравнениями Са ток стока в пологой области характеристик при U'n= 0 име­ ет вид

/с = k / 3 Uо)2.

 

(5.47)

Выражение для полного заряда

(5.46)

при

этих усло­

виях преобразуется к виду

и'с=иг-и0

 

 

 

Q, П - (Qno + Qoc) ZL =

у

Q’pdU=

 

0

 

 

 

 

 

(5.48>

так как <?пов и Q0с считаются постоянными.

в (5.48) и

Выражая UQиз (5.47), подставляя

его

проводя необходимые преобразования, получаем сле­ дующую зависимость /c(Q3n) в пологой области:

j _ 9 j,

ГQan — (Qnon ~h Qcc) Z L I2

4

[

C&ZL

J

где C3 = CpZL.

5.3. Приборы с зарядовой связью

- U . VГ

(5.49)

Очень быстрыми темпами развивается новое направ­ ление в МДП-электронике— ИС на приборах с зарядо­ вой связью (ПЗС). Для изготовления ПЗС применимы (практически без изменений) разнообразные технологи­ ческие методы изготовления МДП-транзисторов, а каче­ ственные показатели схем на ПЗС: степень интеграции, быстродействие, энергетическая экономичность — в не­ сколько раз выше [1012].

Простейшая структура ПЗС приведена на рис. 5.14. На кремниевой подложке, покрытой тонким слоем ди­ электрика, формируются цепочки металлических элек­ тродов (затворов). Сопротивление подложки выбирает­ ся равным 5—10 Ом-см, в качестве диэлектрика обычно

 

БЮг толщиной 1000—2000 А,

расстояние

 

 

 

(зазор) между электродами

 

 

 

составляет 2—4 мкм.

 

 

 

Если к затвору МДП-

 

 

 

структуры, реализованной на

 

 

 

/г-подложке, -приложить от­

 

 

 

рицательное напряжение U3)

 

 

 

то у

поверхности полупро­

Рис. 5.14.

Структура

приборов

водника образуется обеднен­

ная

область,

являющаяся

с зарядной

связью.

 

дырок.

Попадая

 

потенциальной

ямой для

в эту область,

дырки под действием

электрического поля затвора притягиваются к поверхно­ сти полупроводника и локализуются в узком инверсион­ ном слое. Заряд неосновных носителей, инжектирован­ ный каким-либо образом в область потенциальной ямы, может храниться в ней без искажений в течение десят­ ков миллисекунд. Для перемещения заряда вдоль по­ верхности к соседнему элекроду прикладывается более

отрицательное напряжение, которое формирует

под

этим электродом более глубокую потенциальную

яму.

Под действием диффузии, дрейфа и возникающего в ко­

ротком зазоре продольного поля

дырки

перетекают

в более глубокую потенциальную

яму соседнего ПЗС.

Приборы с зарядовой связью

могут

применяться

в цифровых, аналоговых, оптоэлектронных устройствах [М, 12]. В цифровых схемах, наличие или отсутствие заряда характеризуют два информационных состояния ПЗС. В аналоговых схемах характеристикой состояния является сама величина зарядового пакета. В оптоэлек­ тронике ПЗС используются для преобразования светово­ го сигнала в картину зарядов и для передачи этих заря­ дов на выход устройства.

Теория и электрические характеристики ПЗС. Для ПЗС характерны два режима работы: хранение и пере­ дача информации, представляемой зарядом подвижных носителей. Остановимся более подробно на каждом из них.

В режиме хранения приборы не взаимодействуют друг с другом и поэтому каждый ПЗС эквивалентен МДП-емкости. Заряд дырок, который хранится в потен­ циальной яме и характеризует информационное состоя­ ние прибора, локализуется в узком инверсионном слое у поверхности полупроводника. За инверсионным слоем (в направлении х) лежит обедненная область. С тече­ нием времени величина информационного заряда изме­ няется вследствие притока в потенциальную яму пара­ зитного заряда дырок, обусловленного процессами тер­ могенерации и диффузии из объема. В стационарном состоянии (при t—*оо) за счет этих процессов потен­ циальная яма заполняется до насыщения независимо от величины начального информационного заряда. Поэто­ му ПЗС являются динамическими элементами, для ко­ торых рабочий интервал тактовых частот ограничен как сверху, так и снизу.

В режиме хранения необходимо выполнение двух основных условий [13]: «глубина» потенциальной ямы под затвором ПЗС должна быть достаточной для хра­ нения информационного заряда плотностью Qp; пара­ зитный заряд плотностью QPпар, который накапливается в ПЗС за время хранения, должен быть значительно меньше информационного заряда Qv (допустимое отно­ шение Qpnap/Qp определяется условиями применения ПЗС).

Величина поверхностного потенциала ср, характери­ зующая «глубину» потенциальной ямы, определяется из уравнения (4.20), выражающего условие электроней­ тральности суммарного заряда (для одномерного слу­ чая):

? — С/'з — Qp/Cд-|-Вгос/2 — BQz]/*В2ос/4 U\ — Qp/Сд, (5.50)

где U'9= £/э - и пв= и 3 + <?9+ и в - £/,.

Для передачи заряда к соседнему электроду прикла­ дывается напряжение записи, которое формирует под этим электродом более глубокую потенциальную яму и создает в области зазора I продольное поле. Под дей­ ствием этого поля и диффузии дырки из данного ПЗС (ПЗС1) переходят в соседний (ПЗС2).

При передаче заряда происходят следующие процес­ сы: 1) экстракция носителей под действием поля и диф­ фузии из первой потенциальндй ямы; 2) пролет носите­

лей через область зазора /; 3) накопление заряда в по­ тенциальной яме ПЗС2. Анализ процесса передачи показывает [13, 15], что время передачи заряда в основ­ ном определяется длительностью процесса экстракции; инерционностью второго и третьего процессов можно пренебречь.

Экстракция дырок описывается уравнением непре­ рывности для заряда (4.19), выведенным в § 4.1. По­ скольку основное время передачи идет на экстракцию из потенциальной ямы ПЗС1 последней части заряда, осуществляемой под действием диффузии, и продольное поле под затвором в это время незначительно, то зави­ симостью \Лрэ(Еу) можно пренебречь. Учитывая также, что напряжение на затворе ПЗС1 равно £/Хр, перепишем уравнение (4.19) в виде

д?_=

1*о________ д

Г е /'х р - т - В с с У Т

£L _

dt

! + Вес/(2 1Лр) ду

[ 1 + (tf'xp — I)/UKX

ду

, ±

f U'xp-4-BcVf

М

(5.51)

Гт ду

\ 1 + (У 'х р -¥ )/У к х

) \

 

До начала переходного процесса в П301

был равномер­

но локализован заряд плотностью Qp. Используя соот­

ношение (5.50) между

Qp и ф,

получаем начальное

условие для уравнения

(5.51)

 

у ( у у 0) = LT^p — Q p / С д +

в *ос/ 2 -

Boc]/rB20c J A (J fхр— Qp/Cд при Q ^ y ^ L , (5.52а)

где L —длина электрода затвора.

Граничные условия определяются из следующих со­ ображений. За правой границей потенциальной ямы ПЗС1 расположена область зазора /; под действием электрического поля, действующего в этой области, дыр­ ки, достигающие правой границы, переносятся в ПЗС2.

Поэтому

приближенно

можно

считать, что на

правой

границе заряд QP = 0.

На левой границе

поток

дырок

равен нулю. Используя

(5.50), получаем

 

 

 

<р (L, t) =

U'xр -[- B20Cj2

 

 

-

BoiVB>ocl* + U \pt

д ф у (0, f) =

0.

(5.526)

Из уравнения (5.51) с начальными и граничными усло­ виями (5.52) следует, что время передачи заряда /Пер (равное времени экстракции) прямо пропорционально квадрату длины затвора L2 и обратно пропорционально

274

подвижности |ло [13, 15]. Для ПЗС с малой длиной за­ твора (L< 10 мкм) сильное влияние на процесс пере­ дачи оказывает краевое поле, образующееся вследствие взаимодействия электрических полей двух соседних электродов. Это поле распространяется не только в об­ ласть зазора, но и в область ПЗС1, и ускоряет передачу заключительной части зарядового пакета. Краевое поле

£кр несложно ввести в уравнение (5.51), используя для

£|ф следующее приближенное соотношение [12]:

где ДU — разность

между поверхностными потенциала­

ми двух соседних потенциальных ям в конце процесса

передачи, которая

может быть вычислена с помощью

соотношения (5.50);

хд— толщина диэлектрика затвора;

А'ос — ширина обедненного слоя под ПЗС2.

Важным параметром ПЗС является коэффициент

эффективности передачи

 

 

(5.54)

где QPn2 — полный заряд дырок, перешедших в

ПЗС2 ;

QPui — зарядовый пакет, локализованный в ПЗС1

до на­

чала передачи. Коэффициент rincpCl вследствие двух эффектов: из-за захвата части носителей поверхностны­ ми ловушками и за счет того, что часть зарядов не успе­ вает перетечь в соседний ПЗС за данное время передачи.

Высокочастотная составляющая т}Пср может быть определена путем численного [13] или приближенного аналитического [16] решения уравнения (5.51).

Перейдем к анализу влияния поверхностных лову­ шек. Захват и эмиссия носителей поверхностными ло­ вушками являются достаточно сложными процессами, для описания которых необходимо знать такие физиче­ ские характеристики поверхности, как распределение поверхностных состояний по энергиям, сечения захвата ловушек и т. д. Эти характеристики очень трудно изме­ рять и контролировать. Анализ идеализированного слу­ чая, при котором предполагается, что плотность поверх­ ностных состояний в запрещенной зоне Ns и сечение за­ хвата GS не зависят от энергии, приводит к следующему выражению для количества носителей N, эмиттируемых

за время t с первоначально заполненных состояний

[17]:

N (t) == kTNs In {csVrNct),

(5.55

275

где Ns задаётся в единицах см-^-эВ-1, i)T— тепловая скорость; Nc— плотность состояний в валентной зоне (для дырок). Это выражение применимо для значений 1СИ0 c<tf<10~2 с.

В реальных структурах поверхностные состояния

размещены

в запрещенной

зоне крайне

неравномерно.

 

 

 

 

 

 

С увеличением энергии Е 'плот­

9%р

 

 

 

‘V 'f

 

ность NS(E)

резко падает,

а се­

\ПЗС1

 

 

 

ПЗС21

 

чение

захвата

«0’s

возрастает.

 

 

 

 

 

 

Метод

выбора

усредненных

 

 

 

 

 

 

значений Na и ;а5, позволяющий

 

 

 

 

 

 

применять

(5.55)

рассмотрен

 

 

 

 

 

 

в [17].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Проведем оценку необходи­

Рис. 5.15. Распределение по­

мых

величин

управляющих

верхностного

потенциала

напряжений.

Для

правильно­

в зазоре

до

(кривая 1)

и

го

функционирования

ПЗС

после

(кривая

2)

процесса

между

амплитудами

импуль­

передачи

заряда;

распреде­

сов записи и хранения долж­

ление

с

потенциальным

барьером

(кривая

3).

 

но

соблюдаться определенное

ния

импульса

записи

 

соотношение. После

поступле­

(^зап>^хр), потенциальные

ямы

приборов смыкаются |(рис. 5.15, кривая

1)

и в

обла­

сти

зазора

образуется

«продольное

«тянущее» «по­

ле, под действием которого дырки переходят в более глубокую потенциальную яму ПЗС2. При этом поверх­ ностный потенциал <р ПЗС1 увеличивается, а -ПЗС2 уменьшается, и «тянущее» поле в области I уменьшает­ ся (рис. 5.15, кривая 2).

Для определения приближенного соотношения между и ляп и Uxр, при котором обеспечивается полный переход заряда, введем следующие упрощающие предположения (13, 18]: область полупро­ водника в зазоре между затворами полностью обеднена; распределе­ ние потенциала в этой области описывается одномерным уравнением Пуассона

 

d*<?/dy*

qNц/{$п*о)

(5.56)

с граничными

условиями

Ф(0)«=фхР; ф (/)= ф за п .

Знак плюс перед

правой частью

уравнения

(5.56)

выбран в соответствии с тем, что

переменная ф равна абсолютному значению поверхностного потен­

циала. Решение уравнения

(5.56) записывается в виде [18,

19]

, .V

,

«рзап— <рхр — (я/2/ 2)

(5.57)

? W

= " y i------------1--------- */+>*р.

где a = qNл((ъпВо).

В области зазора / «тянущее» поле в течение всего переходного процесса должно быть направлено от ПЗС1 к ПЗС2. Очевидно, что

наименьшее поле будет й конце процесса передали, когда почти весь информационный заряд QP перейдет в ПЗС2. Поэтому условие пол­ ного перехода Qp (соответствующее отсутствию потенциального ми­ нимума ф в интервале от 0 до I) записывается в виде

Еу = dy/dy > 0 для О fxp (QP ,= 0), у3ап (Qp). (5.58)

Наименьшее Еу в интервале от 0 до / будет у границы первого при­ бора при у 0. Учитывая это, условие (5.58) можно переписать

<?зап (Qp) — <?хр (Qp = 0) — л/2/2 > 0.

(5.59)

Выражая фзац и фхр из (5.50), получаем требуемое соотношение между амплитудами импульсов записи и хранения

(^зап bi + Bzcc/'2+ Boo V^bi B2cc/2 — £7o <po U&— Qp/Сд»

(5.60)

где b\ —JJxp + Qp/Сд — Вес У'В2ос/4 + U'xр -}- п/2/2.

Численный анализ на ЭЦВМ двумерных уравнений Пуассона (для полупроводника) и Лапласа (для ди­ электрика) показал, что сильное влияние на распреде­ ление потенциала в области зазора оказывают заряды поверхностных состояний, на которых замыкается часть силовых линий затворов ПЗС1 и ПЗС2. Аналитическое выражение (5.60) обладает приемлемой точностью (10— 20%) для зазоров длиной 1< 3 мкм, при плотности по­ верхностных состояний МПОв< (2—3) • 1011 см-2 [16].

В практических схемах для управления ПЗС обычно используются тактовые импульсы не ступенчатой, а трапециедальной формы. В этом случае хранение зарядов происходит в интервалы времени, соответствующие пло­ ской части импульсов, а передача в следующие ПЗС-элементы—на спаде импульсов. Длительность спада импульса должна быть в несколько раз больше времени передачи tn(iр, чтобы не допустить потерь за счет инжек­ ции зарядов в подложку. Условие полной передачи (5.60) применимо и для трапециедальных импульсов, только надо учесть, что переход зарядов заканчивается, когда напряжение на затворе ПЗС спадает до нижнего уровня, примерно равного пороговому напряжению £/0. Поэтому вместо £/хр в (5.60) следует подставить UQ.

Математическая модель ПЗС. Устройство на ПЗС представляет собой последовательность МДП-структур, отделенных друг от друга зазорами I. Поэтому для мо­ делирования схем на ПЗС необходимо использовать модель собственно ПЗС и модель зазора. Во включен­ ном состоянии (когда напряжение на затворе ПЗС вы-

Ше порогового напряжения Vо и у поверхности полупро­ водника образуется потенциальная яма для неосновных носителей) распределенная модель ПЗС эквивалентна распределенной модели активной области МДП-транзн- стора (рис. 5.16).

Приближенная эквивалентная схема ПЗС с сосредо­ точенными параметрами получается при замене произ­ водных по координате в уравнении (5.51) разностными

Рис. 5.16. Условное обозначение (а) и распределенная модель ПЗС во включенном (б) и выключенном (в) состояниях.

формулами. Это соответствует тому, что в распределен­ ной эквивалентной схеме количество элементов разбие­ ния выбирается конечным (рис. 5.16,6). Емкостные эле­ менты Ci, С2 и элемент проводимости gnp определяются следующими выражениями [20]:

Ci — CAhyZt Сг — C jJiyZ B ^j^ <р:-),

 

gnp=

н*оz

Г U'з— <?i — Вес

« p / ) / ( / K J t

 

 

 

ilu

L (Ur1 3+ -

 

 

 

d ( ^ 3- y - ^ o c V T

 

(5.61)

 

тa<p

1+ (*/'з - <r>)/UKx -/ф=Фг]) 1-

 

 

где

cpi— напряжение

в /-м узле; hy= L/kV) kv— количе­

ство

разбиений.

Генераторы токов

*тн, подключенные

к узлам, учитывают генерацию и рекомбинацию носи­ телей на поверхности и в обедненном слое. Аналогично учитывается ток перезаряда ловушек.

Для практических расчетов на ЭЦВМ в эквивалент­ ной схеме одного ПЗС можно ограничиться 3—5 секция­ ми. В выключенном состоянии (U3<U0) заряд через ПЗС не передается и электрическая цепь в этом месте разрывается (рис. 5.16,в).

Перейдем к рассмотрению модели зазора. В режиме передачи информации потенциальные ямы соответст­ вующих -ПЗС смыкаются и в зазоре I образуется про­ дольное поле, под действием которого дырки перетекают в более глубокую потенциальную яму. Приближенное условие образования продольного поля в зазоре полу­ чается из (5.57), (5.58) и имеет вид

Фг—ф1—а/2/2> 0,

(5.62)

где cpi и фг — потенциалы на

границах зазора L

(рис. 5.17,а)..При выполнении этого условия дырки под действием тянущего поля уходят от правой границы ПЗС, и можно приближенно считать, что их концентра­

ции. 5.17. Условное обозначение зазора (а); эквивалентные схемы за­ зора при различных соотношениях между потенциалами на его кон­ цах (б—г).

ция в точке 1 зазора равна нулю. Следовательно, по­ тенциал ф в точке 1 фиксируется и его значение опре­ деляется уравнением (5.526)

ф (Q P ==0) ==£/'а В-ос/2 — Вос В*ocf 4 -j—U’з, (5.63)

где U'3= U3—^о+^в + фо; u 3— напряжение на затворе ПЗС1, правая граница которого соединена с точкой 1.

Ток Л, вытекающий из ПЗС1, проходит зазор и по­ падает в ПЗС2; при этом часть дырок захватывается поверхностными состояниями в зазоре на границе полу­ проводник-диэлектрик. Поэтому в ПЗС2 втекает ток / 2 = a3/i, где а3< 1 — коэффициент передачи тока через зазор *). Эквивалентная схема зазора при выполнении условия (5.62) приведена на рис. 5.17,6. Противополож­ ному (5.62) условию

ф1—ф2—я/2/2 > 0,

*> Так как пока этот механизм изучен недостаточно, то в моде­ ли он отражается с помощью формального коэффициента а 3.

при котором дырки перетекают из ПЗС2 в II3C1, соот­ ветствует эквивалентная схема рис. 5.17,в. Во всех остальных случаях зазору соответствует разрыв элек­ трической цепи {рис. 5.17,г) [20].

При проектировании схем на ПЗС часто бывает необходимо рассчитать процесс передачи цуга зарядо­ вых пакетов через всю схему, содержащую несколько сотен ПЗС, для того чтобы определить искажение циф­ рового или аналогового сигнала на выходе. В этом слу­ чае применение многосекционной модели ПЗС практи­ чески невозможно из-за больших вычислительных за­ трат. Для такихрасчетов удобна зарядоуправляемая модель ПЗС, при построении которой необходимо пред­ варительно проинтегрировать уравнение непрерывности по длине затвора [2 1]:

L L\

4 г f Qp (У, т у =

о *у.

(5.64)

о

о

 

где Qp — удельный на единицу площади заряд

канала;

/«(г/, t) — ток канала.

 

 

Интегрируя (5.64), получаем

 

 

=

< )-Л с(0 . <),

(5.65)

L

 

 

где <?рп = Z j Qp (y, t) dy.

 

 

о

 

 

Учитывая граничные условия

 

 

Qp(L,t) = 0,

/к (0 ,6 = 0

(5.66)

и раскрывая выражение для тока при линейной аппроксимации за­ висимости <?р(ср), перепишем уравнение (5.65) в виде

(5.67)

где ра — усредненная по координате у поверхностная подвижность;

т) — коэффициент влияния подложки.

Для того чтобы получить приближенное компактное аналитиче­ ское описание процесса передачи заряда в ПЗС, необходимо опреде­ лить правую часть уравнения (5.67), равную (L, t). Введем сле­

дующие дополнительные упрощения. Усредним дрейфовую состав­ ляющую тока по длине канала следующим образом [21]:

|^-0р£кр+Сд(,+1) ду

-L j|сд(1+ч) ду

Г п , QP

dQp 1

J _ Г Г Qp dQp

- Q p E Kf j d y -----

2^Сд(! + ij) tQM°. OP - ТГ^кр.

(5.68)

Соседние файлы в папке книги