Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОМЭ / лекции по ФОМЭ / Физические основы электровакуумных и газоразрядных приборов.ppt
Скачиваний:
232
Добавлен:
12.03.2015
Размер:
332.8 Кб
Скачать

Характеристики триода

В общем случае, при фиксированном напряжении накала лампы, анодный Ia и сеточный Ic токи зависят от напряжения на аноде Ua и напряжения на сетке Uc и их значения определяются анодной и сеточной характеристиками, соответственно: Ia=f1(Ua, Uc); Iс=f2(Ua, Uc).

Выбрав параметры режима работы, указанные функции можно представить в виде четырех зависимостей.

Ia

f1

(Uс )

 

 

 

 

 

 

 

 

- анодно-сеточная характеристика;

 

Uа const

- сеточная (входная) характеристика;

 

Iс

f2

 

(Uс )

 

 

Uа const

 

 

 

- анодная (выходная) характеристика;

 

 

Ia

f3

(U a )

 

Uс const

 

- сеточно-анодная характеристика.

 

Iс f4

 

(U a )

 

Uс const

 

 

 

 

 

 

Графики этих характеристик далее представлены на рис. 6

11

Ia

Ua2>Ua1

Ic

Ua1

Ua2>U a1

 

 

 

Ua1

Uc01

Uc02

Uc

б

Uc

 

 

а

 

 

Режим возврата

Режим перехвата

 

Ia

 

 

Uс>0

Ic

 

 

 

 

 

 

 

 

Uс=0

 

 

 

 

 

|Uс2|<|Uс1|

 

 

 

 

 

Uс1<0

 

 

 

Ua02

Ua01

Ua

 

U

 

 

 

г

a

 

 

в

 

 

Рис. 6. Характеристики электровакуумного триода:

 

а - Ia f1(Uс ) Uа const ; б - Iс f2 (Uс ) Uа const ;

 

 

 

в - Ia f3 (Ua ) Uс const ; г - Iс f4 (Ua ) const

12

Параметры электровакуумного триода

1.

S

 

dIa

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=1…150 мА/В – крутизна анодно-сеточной характеристики, представляет

 

 

dUс

 

 

U

a

 

const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

изменение

величины анодного тока триода при изменении напряжения на сетке 1 В.

 

2.

Sс

 

 

dIс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=10-3…10-5 мА/В - крутизна сеточной характеристики.

 

 

dUс

 

Ua const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

R

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=106…108 Ом – входное сопротивление лампы, равное обратной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ic

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sс

 

U

a

const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

величине

крутизны сеточной характеристики Sc.

 

4.

Ri

 

dU a

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=1…100 кОм – внутреннее сопротивление триода.

 

 

 

dIa

 

 

Uc const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.

 

 

dUa

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=1…100 – статический коэффициент усиления триода, определяющий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dUc

 

 

I

 

const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

c

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

относительное

 

 

влияние сеточного и анодного напряжения на величину анодного тока.

 

 

 

Умножив и разделив выражение для μ на изменение анодного тока Ia, получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dIa

 

dU a

SRi

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dUc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dIa

 

Следовательно, статический коэффициент усиления триода равен произведению крутизны

 

анодно-сеточной характеристики на внутреннее сопротивление триода.

 

6.

D

 

dUc

 

 

 

 

 

 

1

 

- проницаемость лампы, величина обратная статическому коэффици-

 

 

dU a

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

енту усиления μ.

 

 

13

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электровакуумный тетрод

Тетрод (рис. 7, а) – это электронно-управляемая лампа, имеющая дополнительно еще одну сетку со стороны анода. Эта сетка называется экранирующей. На экранирующую сетку подается положительное напряжение Uc2 через резистор R, подключенный к источнику анодного напряжения. Эта

дополнительная сетка будет действовать как электростатический экран, помещенный между управляющей (первой) сеткой и анодом: она уменьшит емкость между сеткой и анодом и увеличит внутреннеt сопротивление лампы. Наличие экранирующей сетки позволяет получить более пологую часть анодной характеристики лампы (рис. 7, б). Поэтому величина внутреннего сопротивления тетрода Ri оказывается выше, чем у триода, и достигает значений 10…500 кОм. Величина статического

коэффициента усиления μ также возрастает и достигает 100…700 единиц.

+Ua

А

Ia

|Uс1΄|<|Uc1|

 

R

 

 

 

Uс1<0

 

 

Uс2

Uс1

 

 

 

С

Uс2=const

 

 

 

 

К

Ua

 

а

 

б

Рис. 7. Схематическое изображение электроваку-

умного тетрода – а, и его анодная характеристика - б

Недостатком тетрода является наличие вторичной эмиссии с анода, возникающей при попадании на анод электронного луча. То же самое происходит и в триоде, но там вторичные электроны все рано возвращаются на анод. Для устранения этого нежелательного явления разрабо- тана конструкция мощного лучевого тетрода, в котором экранная сетка рас- полагается дальше от анода, чем это дела- ется в обычном тетроде. В результате, при высокой плотности анодного тока прос- транстве экранная сетка–анод образуется заметный пространственный заряд, кото- рый отталкивает вторичные электроны, вылетающие из анода, обратно к аноду.

14

Пентод

 

Электровакуумный пентод

- это электронно-управляемая

 

лампа, имеющая три сетки. Третья сетка

 

(С3 на рис 8.) расположена ближе всего к

+Ua

аноду и называется защитной. Эта сетка

А

предотвра-щает

уход

электронов

с

R

анода:

она

обычно

соединяется

с

С3

Uc2

катодом и отражает вто-ричные

Uc1

электроны снова на анод. В пентоде еще

К

более уменьшаются межэлектродные ем-

 

кости, увеличивается крутизна S анодно-

Рис. 8. Схематическое

се-точной характеристики. За счет этого

изображение электро-

ве-личина статического коэффициента

вакуумного пентода

 

усиле-ния μ достигает 1000 единиц, а

 

внутреннее сопротивление лампы Ri

 

составляет 104…106 Ом. При работе

 

лампы экранная сетка соединяется через

 

гасящий резистор R с источником

15

питании +U .

 

 

 

 

 

Вакуумные интегральные схемы (ВИС)

Конструкция ВИС с холодным катодом, выпол- ненным в виде острия, изо- бражена на рис. 9, а. Радиус закругления острия rк =

20…30 нм. При подаче на анод напряжения Ua= 2…3

В создается электрическое поле напряженностью око- ло 109 В/м. Плотность тока автоэлектронной эмиссии достигает 106…107 А/м2, то есть даже выше, чем при термоэлектронной эмис- сии.

Другой тип холодного катода, применяемого в ВИС, - это катод на МДП структуре. Соответствую- щая конструкция ВИС приведена на рис. 9, б.

A

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

C

+Ua

 

К

C

+Uа

К

1 мкм

-Uc

 

 

 

 

 

-Uc

 

SiO2

n-Si

+Uк

Si

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 9. Конструкция ВИС:

а– с холодным катодом; б – с катодом на МДП структуре

К– катод, А – анод, С – сетка

Вданном случае в качестве диэлектрика используется тонкая (1,5 нм) пленка двуокиси кремния (SiO2), а в качестве катода –

тонкая металлическая пленка Al, покрывающая поверхность окисла. Работа выхода электронов из металла, χм, больше, чем

работа выхода из кремния, Si .

При подаче прямого смещения +Uк на катод, электроны из подложки (n-Si) через пленку SiO2 туннелируют в метал-

лическую пленку Al и обеспечивают эмиссию электронов из структуры. При отрицательном напряжении на катоде Uк в

приграничном слое кремниевой подложки на границе Si-SiO2 возникает запираюший слой и ток эмиссии насыщается.

Плотность тока автоэмиссии достигает 10 4…105 А/м2.

16

Вакуумные интегральные схемы (ВИС)

Высокую плотность тока авто- электронной эмиссии, до 8·107 А/м2, обеспечивает катод на основе обратно- смещенного p+-n+ перехода с лавинным пробоем. Конструкция такой ВИС представлена на рис. 10.

Эмитирующий p1+-n+ переход формируется между областями p1+и n+. При подаче обратного напряжения Uобр

на n+-p переход возникает лавинный пробой. При этом лавина электронов локализуется на поверхности структу- ры и перемещается к аноду А.

Электроды сетки С расположены на диэлектрических балках, сформиро- ванных из двуокиси кремния SiO2.

 

 

C

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+Uа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-Uc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n+

 

 

 

n+

 

 

 

 

p1+

+Uобр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p-Si

p+-Si

Рис. 10. Конструкция ВИС

с катодом на основе обратно- смещенного p+-n+ перехода

К – катод, А – анод, С – сетка

17

Газоразрядные приборы

Это приборы использующие свойства электри- ческого разряда в газе или парах металлов при давлении от 10-1 Па и выше. К наиболее распростра- ненным газоразрядным приборам относятся стаби- литроны (стабилизаторы напряжения) и тиратроны, выполняющие, в основном, функции генераторов релаксационных колебаний и коммутаторов. В газо- разрядных приборах этого типа используется разновидность электрического разряда в газах – тлеющий разряд.

18

Физические процессы в тлеющем разряде

Простейший газоразряд- ный прибор представляет собой колбу с двумя элек- тродами (рис. 11), в кото- рую обычно закачивается инертный газ (Ne, Ar) под давлением 0,1 Па (атмо- сферное давление составля-ет приблизительно 105 Па). При приложении к электро-дам напряжения 50…100 В вследствие появления элек- трического поля возникают неупругие столкновения между ионизированными ча- стицами газа.

К

Разрядный

А

 

промежуток

 

 

 

R

Рис. 11. Газоразрядный прибор

Столкновения частиц приводят к дополни- тельной ионизации газа. В разрядном проме- жутке положительные ионы инертного газа двигаются к катоду, а электроны – к аноду. Обратный переход возбужденных атомов, ионов и молекул обычно сопровождается излучением фотона и получившаяся газо- разрядная плазма начинает светиться. Это явление носит название тлеющего разряда.

19

Процессы в газоразрядном промежутке

Распределение свечения в газоразрядном промежутке характеризуется следующими областями, изображенными на рис. 12, а: 1 – катодная светя- щаяся пленка; 2 – область тлею- щего свечения; 3 – темная об- ласть беспорядочного движения электронов; 4 – область положи- тельного столба; 5 – анодная светящаяся пленка. В непосред- ственной близости от катода эле- ктроны еще не набрали энергии, требующейся для возбуждения газа. Это область прикатодного темного пространства. Разгон электронов в электрическом по- ле приводит к уменьшению ярко- сти свечения из-за снижения эф- фективности сечения захвата электронов.

В

1

2

3

4

5

Катод

 

 

 

 

Анод

Е

 

 

 

а

х

 

 

 

 

 

х

б

Рис. 12. Процессы в газоразрядном промежутке:

а – распределение свечения газа; б – распределение напряженности электрического поля Е

Однако в области 1-2 происходит интенсивная ионизация атомов, в резуль-тате возникает обширная область положи-тельного светящегося столба 4. Распреде-ление напряженности электрического поля E внутри газоразрядного промежутка по-

казано на рис. 12, б.

20