- •Физические основы электровакуумных и газоразрядных приборов
- •Электровакуумные приборы – это устройства состоящие из системы управляющих электродов, в которых рабочее
- •Эмиссия электронов
- •Виды эмиссии
- •Классификация термокатодов осуществляется по следующим признакам.
- •Другие виды эмиссии
- •Виды эмиссии (окончание)
- •Электронно-управляемые лампы
- •Характеристики электровакуумного диода
- •Электровакуумный триод
- •Характеристики триода
- •Параметры электровакуумного триода
- •Электровакуумный тетрод
- •Пентод
- •Вакуумные интегральные схемы (ВИС)
- •Вакуумные интегральные схемы (ВИС)
- •Газоразрядные приборы
- •Физические процессы в тлеющем разряде
- •Процессы в газоразрядном промежутке
- •Стабилитрон
- •Параметры стабилитронов
- •Тиратрон
- •Триодные тиратроны
- •Тетродные тиратроны
- •Параметры тиратронов
Характеристики триода
В общем случае, при фиксированном напряжении накала лампы, анодный Ia и сеточный Ic токи зависят от напряжения на аноде Ua и напряжения на сетке Uc и их значения определяются анодной и сеточной характеристиками, соответственно: Ia=f1(Ua, Uc); Iс=f2(Ua, Uc).
Выбрав параметры режима работы, указанные функции можно представить в виде четырех зависимостей.
Ia |
f1 |
(Uс ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
- анодно-сеточная характеристика; |
|
|
Uа const |
- сеточная (входная) характеристика; |
||||||||||
|
||||||||||||
Iс |
f2 |
|
(Uс ) |
|
|
Uа const |
||||||
|
|
|
- анодная (выходная) характеристика; |
|||||||||
|
|
|||||||||||
Ia |
f3 |
(U a ) |
|
Uс const |
||||||||
|
- сеточно-анодная характеристика. |
|||||||||||
|
||||||||||||
Iс f4 |
|
(U a ) |
|
Uс const |
||||||||
|
|
|
||||||||||
|
|
|
||||||||||
Графики этих характеристик далее представлены на рис. 6
11
Ia |
Ua2>Ua1 |
Ic |
Ua1 |
Ua2>U a1 |
|
|
|
Ua1
Uc01 |
Uc02 |
Uc |
б |
Uc |
|
|
|
а |
|
|
|
Режим возврата |
Режим перехвата |
|
|||
Ia |
|
|
Uс>0 |
Ic |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Uс=0 |
|
|
|
|
|
|Uс2|<|Uс1| |
|
|
|
|
|
Uс1<0 |
|
|
|
Ua02 |
Ua01 |
Ua |
|
U |
|
|
|
г |
a |
|
|
|
в |
|
|
|
Рис. 6. Характеристики электровакуумного триода: |
|||||
|
а - Ia f1(Uс ) Uа const ; б - Iс f2 (Uс ) Uа const ; |
|
|||
|
|
в - Ia f3 (Ua ) Uс const ; г - Iс f4 (Ua ) Uс const |
12 |
||
Параметры электровакуумного триода
1. |
S |
|
dIa |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
=1…150 мА/В – крутизна анодно-сеточной характеристики, представляет |
|
||||||||||||
|
dUс |
|
|
U |
a |
|
const |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
изменение |
величины анодного тока триода при изменении напряжения на сетке 1 В. |
|
||||||||||||||||||||||||
2. |
Sс |
|
|
dIс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
=10-3…10-5 мА/В - крутизна сеточной характеристики. |
|
||||||||||
|
dUс |
|
Ua const |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
3. |
R |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
=106…108 Ом – входное сопротивление лампы, равное обратной |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
ic |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Sс |
|
U |
a |
const |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
величине |
крутизны сеточной характеристики Sc. |
|
||||||||||||||||||||||||
4. |
Ri |
|
dU a |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
=1…100 кОм – внутреннее сопротивление триода. |
|
|||||||||||
|
|
dIa |
|
|
Uc const |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
5. |
|
|
dUa |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
=1…100 – статический коэффициент усиления триода, определяющий |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
dUc |
|
|
I |
|
const |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
c |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
относительное |
|
|
влияние сеточного и анодного напряжения на величину анодного тока. |
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||
Умножив и разделив выражение для μ на изменение анодного тока Ia, получим |
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dIa |
|
dU a |
SRi |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dUc |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dIa |
|
||
Следовательно, статический коэффициент усиления триода равен произведению крутизны |
|
|||||||||||||||||||||||||
анодно-сеточной характеристики на внутреннее сопротивление триода. |
|
|||||||||||||||||||||||||
6. |
D |
|
dUc |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
- проницаемость лампы, величина обратная статическому коэффици- |
|
|||||||||||||
|
dU a |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
енту усиления μ. |
|
|
13 |
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Электровакуумный тетрод
Тетрод (рис. 7, а) – это электронно-управляемая лампа, имеющая дополнительно еще одну сетку со стороны анода. Эта сетка называется экранирующей. На экранирующую сетку подается положительное напряжение Uc2 через резистор R, подключенный к источнику анодного напряжения. Эта
дополнительная сетка будет действовать как электростатический экран, помещенный между управляющей (первой) сеткой и анодом: она уменьшит емкость между сеткой и анодом и увеличит внутреннеt сопротивление лампы. Наличие экранирующей сетки позволяет получить более пологую часть анодной характеристики лампы (рис. 7, б). Поэтому величина внутреннего сопротивления тетрода Ri оказывается выше, чем у триода, и достигает значений 10…500 кОм. Величина статического
коэффициента усиления μ также возрастает и достигает 100…700 единиц.
+Ua |
А |
Ia |
|Uс1΄|<|Uc1| |
|
R |
|
|
|
|
Uс1<0 |
|
|
|
Uс2 |
|
Uс1 |
|
|
|
|
С |
Uс2=const |
|
|
|
||
|
|
К |
Ua |
|
а |
|
б |
Рис. 7. Схематическое изображение электроваку-
умного тетрода – а, и его анодная характеристика - б
Недостатком тетрода является наличие вторичной эмиссии с анода, возникающей при попадании на анод электронного луча. То же самое происходит и в триоде, но там вторичные электроны все рано возвращаются на анод. Для устранения этого нежелательного явления разрабо- тана конструкция мощного лучевого тетрода, в котором экранная сетка рас- полагается дальше от анода, чем это дела- ется в обычном тетроде. В результате, при высокой плотности анодного тока прос- транстве экранная сетка–анод образуется заметный пространственный заряд, кото- рый отталкивает вторичные электроны, вылетающие из анода, обратно к аноду.
14
Пентод |
|
Электровакуумный пентод |
|||||
- это электронно-управляемая |
|
||||||
лампа, имеющая три сетки. Третья сетка |
|
||||||
(С3 на рис 8.) расположена ближе всего к |
+Ua |
||||||
аноду и называется защитной. Эта сетка |
|||||||
А |
|||||||
предотвра-щает |
уход |
электронов |
с |
R |
|||
анода: |
она |
обычно |
соединяется |
с |
С3 |
||
Uc2 |
|||||||
катодом и отражает вто-ричные |
|||||||
Uc1 |
|||||||
электроны снова на анод. В пентоде еще |
К |
||||||
более уменьшаются межэлектродные ем- |
|
||||||
кости, увеличивается крутизна S анодно- |
Рис. 8. Схематическое |
||||||
се-точной характеристики. За счет этого |
изображение электро- |
||||||
ве-личина статического коэффициента |
вакуумного пентода |
||||||
|
|||||||
усиле-ния μ достигает 1000 единиц, а |
|
||||||
внутреннее сопротивление лампы Ri |
|
||||||
составляет 104…106 Ом. При работе |
|
||||||
лампы экранная сетка соединяется через |
|
||||||
гасящий резистор R с источником |
15 |
||||||
питании +U . |
|
|
|
|
|
||
Вакуумные интегральные схемы (ВИС)
Конструкция ВИС с холодным катодом, выпол- ненным в виде острия, изо- бражена на рис. 9, а. Радиус закругления острия rк =
20…30 нм. При подаче на анод напряжения Ua= 2…3
В создается электрическое поле напряженностью око- ло 109 В/м. Плотность тока автоэлектронной эмиссии достигает 106…107 А/м2, то есть даже выше, чем при термоэлектронной эмис- сии.
Другой тип холодного катода, применяемого в ВИС, - это катод на МДП структуре. Соответствую- щая конструкция ВИС приведена на рис. 9, б.
A |
|
A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
C |
+Ua |
|
К |
C |
+Uа |
К |
1 мкм |
-Uc |
|
|
|
|
|
|
|||
-Uc |
|
SiO2 |
n-Si |
+Uк |
|
Si |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Рис. 9. Конструкция ВИС:
а– с холодным катодом; б – с катодом на МДП структуре
К– катод, А – анод, С – сетка
Вданном случае в качестве диэлектрика используется тонкая (1,5 нм) пленка двуокиси кремния (SiO2), а в качестве катода –
тонкая металлическая пленка Al, покрывающая поверхность окисла. Работа выхода электронов из металла, χм, больше, чем
работа выхода из кремния, Si .
При подаче прямого смещения +Uк на катод, электроны из подложки (n-Si) через пленку SiO2 туннелируют в метал-
лическую пленку Al и обеспечивают эмиссию электронов из структуры. При отрицательном напряжении на катоде Uк в
приграничном слое кремниевой подложки на границе Si-SiO2 возникает запираюший слой и ток эмиссии насыщается.
Плотность тока автоэмиссии достигает 10 4…105 А/м2. |
16 |
Вакуумные интегральные схемы (ВИС)
Высокую плотность тока авто- электронной эмиссии, до 8·107 А/м2, обеспечивает катод на основе обратно- смещенного p+-n+ перехода с лавинным пробоем. Конструкция такой ВИС представлена на рис. 10.
Эмитирующий p1+-n+ переход формируется между областями p1+и n+. При подаче обратного напряжения Uобр
на n+-p переход возникает лавинный пробой. При этом лавина электронов локализуется на поверхности структу- ры и перемещается к аноду А.
Электроды сетки С расположены на диэлектрических балках, сформиро- ванных из двуокиси кремния SiO2.
|
|
C |
|
A |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+Uа |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
К |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
-Uc |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n+ |
|
|
|
n+ |
|
|
|
|||||||
|
p1+ |
+Uобр |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
p-Si |
||||||||
p+-Si |
Рис. 10. Конструкция ВИС
с катодом на основе обратно- смещенного p+-n+ перехода
К – катод, А – анод, С – сетка
17
Газоразрядные приборы
Это приборы использующие свойства электри- ческого разряда в газе или парах металлов при давлении от 10-1 Па и выше. К наиболее распростра- ненным газоразрядным приборам относятся стаби- литроны (стабилизаторы напряжения) и тиратроны, выполняющие, в основном, функции генераторов релаксационных колебаний и коммутаторов. В газо- разрядных приборах этого типа используется разновидность электрического разряда в газах – тлеющий разряд.
18
Физические процессы в тлеющем разряде
Простейший газоразряд- ный прибор представляет собой колбу с двумя элек- тродами (рис. 11), в кото- рую обычно закачивается инертный газ (Ne, Ar) под давлением 0,1 Па (атмо- сферное давление составля-ет приблизительно 105 Па). При приложении к электро-дам напряжения 50…100 В вследствие появления элек- трического поля возникают неупругие столкновения между ионизированными ча- стицами газа.
К |
Разрядный |
А |
|
промежуток |
|
|
|
R |
Рис. 11. Газоразрядный прибор
Столкновения частиц приводят к дополни- тельной ионизации газа. В разрядном проме- жутке положительные ионы инертного газа двигаются к катоду, а электроны – к аноду. Обратный переход возбужденных атомов, ионов и молекул обычно сопровождается излучением фотона и получившаяся газо- разрядная плазма начинает светиться. Это явление носит название тлеющего разряда.
19
Процессы в газоразрядном промежутке
Распределение свечения в газоразрядном промежутке характеризуется следующими областями, изображенными на рис. 12, а: 1 – катодная светя- щаяся пленка; 2 – область тлею- щего свечения; 3 – темная об- ласть беспорядочного движения электронов; 4 – область положи- тельного столба; 5 – анодная светящаяся пленка. В непосред- ственной близости от катода эле- ктроны еще не набрали энергии, требующейся для возбуждения газа. Это область прикатодного темного пространства. Разгон электронов в электрическом по- ле приводит к уменьшению ярко- сти свечения из-за снижения эф- фективности сечения захвата электронов.
В |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
Катод |
||||||
|
|
|
|
Анод |
||
Е |
|
|
|
а |
х |
|
|
|
|
|
|
х
б
Рис. 12. Процессы в газоразрядном промежутке:
а – распределение свечения газа; б – распределение напряженности электрического поля Е
Однако в области 1-2 происходит интенсивная ионизация атомов, в резуль-тате возникает обширная область положи-тельного светящегося столба 4. Распреде-ление напряженности электрического поля E внутри газоразрядного промежутка по-
казано на рис. 12, б. |
20 |
