Сновные параметры Si, GаАs, Ge

Параметр (при Т=300К)

Кремний (Si)

Арсенид галлия (GaAs)

Германий (Ge)

Собственное удельное сопротивлениеОм·см

2,3·10⁵

10⁸

47

Ширина запрещенной зоны эВ

1,12

1,42

0,66

Эффективная масса электронов по отношению к массе свободного электрона

1,06

0,07

0,22

То же для дырок

0,56

0,5

0,39

Эффективная плотность состояний, См^-3

В зоне проводимости

2,8·10¹⁹

4,7·10¹⁷

10¹⁹

в валентной зоне

10¹⁹

7·10¹⁷

26·10¹⁸

Собственная концентрация , см^-3

1,45·10¹⁰

1,8 10⁶

2,4·10¹³

Подвижность, см²/(В·с)

Электронов

1500

8500

3900

дырок

450

400

1900

Коэффициент диффузии, см/с:

электронов

36

290

100

дырок

13

12

45

Дрейфовая скорость насыщения , см/с:

электронов

10⁷

6·10⁶

6·10⁶

дырок

8·10⁶

–

6·10⁶

Электрическое поле пробоя Е/см

3·10⁵

4·10⁵

10⁵

диэлектрическая проницаемость пФ/см

1,05

1,15

1,42

ТК эВ/К

–2,4·10^-4

–4,3·10^-4

–3,9·10^-4

Е6

Е12

Е24

Е6

Е12

Е24

Е6

Е12

Е24

1,0

1,0

1,0

2,2

2,2

2,2

4,7

4,7

4,7

-

-

1,1

-

-

2,4

-

-

5,1

-

1,2

1,2

-

2,7

2,7

-

5,6

5,6

-

-

1,3

-

-

3,0

-

-

6,2

1,5

1,5

1,5

3,3

3,3

3,3

6,8

6,8

6,8

-

-

1,6

-

-

3,6

-

-

7,5

-

1,8

1,8

-

3,9

3,9

-

8,2

8,2

-

2,0

-

-

-

4,3

-

9,1