2. Задачи для самостоятельного решения

4.7. В схеме (рис. 4.7) кОм,кОм,кОм,кОм,В,,мкА. Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Изменится ли режим работы транзистора при увеличении температуры на 30°С?

4.8. Построить нагрузочные линии для переменного и постоянного токов для усилительного каскада (рис. 4.7) при следующих данных: В,кОм,кОм,кОм. Ток покояА имкА.

Выходные характеристики транзистора показаны на рис. 4.9.

4.9. Найти выходное напряжение и режим работы транзистора в схеме (рис. 4.10), если кОм,В,кОм,кОм,В,,.

4.10. В схеме (рис. 4.11) кОм,кОм,В,,В,. Определитьи режим работы транзистора.

4.11. В схеме (рис. 4.11) кОм,В,кОм,В,. Определить,и

4.12. В схеме (рис. 4.15) В,кОм,кОм,В,кОм,В,

Транзистор имеет ,мкА. Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Как изменится режим работы транзистора с увеличением температуры на 50°С?

4.13. В схеме (рис.4.16), кОм,В,кОм,,мкА, температура комнатная. Определить рабочую точку транзистора и как она изменится при повышении температуры на 20ºС.

4.14. В схеме (рис. 4.17) В,В,кОм,кОм,В,,мкА.

Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Изменится ли режим работы транзистора при увеличении температуры на 30 °С?

4.15. В схеме (рис. 4.18) кОм,кОм,В,В,кОм,В,,мкА.

Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Как изменится выходное напряжение и режим работы транзистора с увеличением температуры на 20 °С?

4.16. В схеме (рис. 4.7) кОм,кОм,кОм,кОм,В,,мкА. Какими должны быть сопротивления делителяи, чтобы транзистор из режима насыщения перешел в активный режим работы?

4.17. В схеме (рис. 4.19) используется транзистор с ,мкА. В этой цепикОм,кОм,В,В. Определитьпри разомкнутом и замкнутом ключе.

4.18. Как изменится , если в схеме (рис. 4,19) задачи 4,17 используется транзистор с?

4.19. В схеме (рис. 4.20) используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы . Данные схемы:кОм,кОм,В,В. Определить напряжениепри разомкнутом и замкнутом ключе (токомпренебречь).

4.20. В схеме (рис. 4.21) используется транзистор с ,мкА,кОм,кОм,В,В. Определить, при каком минимальномтранзистор будет работать в режиме насыщения.

4.21. В схеме (рис. 4.22) используется транзистор с . Данные схемы:кОм,кОм,кОм,В. Определить, при каком минимальномтранзистор будет работать в режиме насыщения.

4.22, В схеме (рис. 4.23) используется транзистор с . Данные схемы:кОм,кОм,В. Определить, при каком минимальномтранзистор будет работать в режиме насыщения.

4.23. Дана схема рис.(4.24). Рассчитать цепи смещения, если рабочая точка задана координатами . мАВ данные схемы:кОм,В,

4.24. Чему равно подводимое напряжение в схеме (рис. 4.25), если ток коллектора 5мА?

4.25. Пользуясь выходными характеристиками транзистора КТ216А в схеме с ОЭ, построить график зависимости при неизменном токе базымА.

4.26. На выходных характеристиках транзистора КТЗ15А для схемы с ОЭ построить линии предельной мощности при температурах окружающей среды 30 ºС и 50 °С, если предельная температура перехода ºС и тепловое сопротивление переход-средаград/мВ.

4.27. Объясните, увеличится или уменьшится ток базы в схеме (рис. 4.26) при увеличении температуры.

4.28. Определить предельную частоту передачи тока транзистора при включении его в схему с ОБ, если граничная частота усиления в схеме с ОЭ этого транзистора МГц, а.