Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Китайгородский А.И. Введение в физику учеб. пособие для студентов высш. техн. учеб. заведений

.pdf
Скачиваний:
57
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
44.34 Mб
Скачать

направления кристалла средняя во времени плотность электронов периодически повторяется. В простейшем случае распределение электронной плотности будет выглядеть так, как показано на рис. 163. Это — электронная плотность (число электронов на куби­ ческий ангстрем) на линии, параллельной ребру кубика каменной соли. Максимум электронной плотности соответствует центру атома. Большой максимум — это атом хлора, маленький — атом натрия. Через атом картина повторяется, период электронной плотности вдоль линии равен 5,6 А. Подобная картина дает представление о распределении электронной плотности вдоль одной линии. Вдоль «легка сдвинутой параллельной линии плотность будет уже другой.

I s

л

1

 

 

Ґ \s —

і

4 .

N 1 »

J.—

a.

Рис. 163.

Однако кристалл — трехмерное образование, и повторяющийся элемент его — трехмерная элементарная ячейка. Мы не можем изо­ бразить графически электронную плотность элементарной ячейки. Достаточно знать, что ячейки повторяются в пространстве. Сход­ ство и различие между кристаллом и дифракционной решеткой очевидны. Кристалл — это трехмерная дифракционная решетка, в ко­ торой неоднородный элемент регулярно повторяется не вдоль линии, а в трех измерениях. Роль «щели», т. е. повторяющейся неоднород­ ности, играет элементарная ячейка кристалла.

Нас интересуют закономерности дифракционной картины, созда­ ваемой кристаллом.

Рентгеновские лучи рассеиваются электронами. Неоднородности в электронной плотности таковы, что длины волн порядка 1—2 Л дадут отчетливую дифракцию. Чтобы найти направления, в кото­ рых возникают дифракционные лучи, надо сложить элементарные волны, идущие от всех ячеек. Амплитуды этих волн для данного направления, разумеется, одинаковы. Сложность задачи заключа­ ется в том, что необходимо учесть разности фаз между волнами, рас­ сеиваемыми отдельными ячейками. Эти волны надо сложить для каждого направления и выделить те направления, в которых волны максимально усиливают друг друга.

Задачу можно решить разными способами, поскольку можно при­ думать разные последовательности суммирования ячеек. Допустим, можно сначала просуммировать волны от ячеек, идущих вдоль ребра а, потом сложить волны от всех ячеек в плоскости ab и т. д. Мы изберем другой путь, наиболее простой, предложенный основа­ телями рентгеновского структурного анализа — английскими уче­ ными отцом и сыном Брэггами; независимо от них ту же идею пред­ ложил русский кристаллограф Вульф. В кристалле всегда можно бесчисленным количеством способов провести плоскости, проходя­ щие через узлы решетки. Между двумя соседними плоскостями за­ ключен слой, повторением которого вдоль нормали строится кри­ сталл. Проведем нормаль к слою и мысленно спроектируем электрон­ ную плотность на направление нормали. Ясно, что вдоль нормали возникнет периодическое распределение электронной плотности. Период d уместно назвать межплоскостным расстоянием.

т

т

т

т

т

I

Рис. 164.

Условие максимального усиления волн, рассеянных ячейками, входящими в состав одного слоя: угол падения должен быть равен углу отражения. Такой вывод мы делаем на основании принципа Гюйгенса; только при сформулированном условии рассеянные волны будут распространяться в одной фазе и складываться. Волны после­ дующих слоев будут усиливать друг друга при некоторых допол­ нительных условиях. Из рис. 164 видно, что разность хода лучей, «отразившихся» от двух соответственных элементов соседних слоев, равна 2d sin 6. Таким образом, дифракционные лучи имеют место при условии

2af s і п 0 = пк.

Дифракционный луч возникнет в том случае, если из бесчислен­ ных систем плоскостей, на которые можно разбить кристалл, най­ дется такая система, которая будет удовлетворять уравнению 2d sin Q—nX. Разумеется, возможны случаи, когда одновременно не­ сколько систем плоскостей будут удовлетворять этому требованию.

Рис. 165.

Однако скорее всего при произвольном направлении монохроматиче­ ского луча дифракция не возникнет, и при желании наблюдать ди­ фракцию придется поворачивать кристалл в поисках подходящего угла 0.

Пример. Межплоскостное расстояние в кристалле кальцита равно 3,029 А. При рентгеноструктурном анализе часто применяется излучение от медного анода с длиной волны 1,54 А. Это значит, что дифракционный максимум первого порядка

будет соответствовать углу 9 = arcsin ^ ян 14°40'.

§ 144. Определение параметров элементарной ячейки кристалла

Определяя на опыте углы 20, образуемые дифрагированными лу­ чами в кристалле, можно найти (если л известно) межплоскостные расстояния, существующие в кристалле, и таким образом определить периоды повторяемости структуры в любом направлении.

Если решетка — кубическая, то она характеризуется одним пара­ метром — ребром куба. Ромбическая решетка задается тремя вза­ имно перпендикулярными периодами а, Ь, с.

Устанавливая кристалл надлежащим образом к лучу, можно под­ вести под отражение любую систему плоскостей, в том числе и пло­ скости, параллельные основным граням (ab, be, ас) решетки. Ряд подобных измерений позволяет всегда уверенно «прощупать» ре­ шетку, измерить длину ребер и (в случае низкой симметрии) углы между ребрами элементарной ячейки.

Эти измерения представляют существенный интерес. Если изме­

рен объем ячейки кристалла V и известна плотность

вещества

б,

то мы сразу же находим М = V8 —

массу вещества,

находящегося

в

ячейке. Поделив на массу атома

водорода m H = l,67- Ю - 2 4 г, найдем

молекулярный

вес

содержимого

ячейки. Но число молекул в ячей­ ке, разумеется, не может быть дроб­ ным. Кроме того, во многих случа­ ях соображения симметрии ограни­ чивают возможные числа молекул. Например, в ромбической ячейке число молекул не может быть мень­ ше четырех. Таким образом, изме­ рения ячейки позволяют делать важные суждения о молекулярном весе вещества.

В простейших случаях определение элементарной ячейки ре­ шает задачу определения структуры.

На рис. 165 изображена элементарная ячейка железа, показаны расстояния между атомами. Эти сведения сразу же получаются од­ ним лишь измерением межплоскостных расстояний. Исследователь

Рис. 166.

рассуждает следующим образом. Кристаллик железа — кубический; измерим основное межплоскостное расстояние для системы плоско­ стей, параллельных грани куба. Опыт дает цифру 1,4 А. Посчитаем, сколько атомов железа приходится на кубик с ребром 1,4 А. Масса атома железа m F e = 9 2 , 6 - Ю - 2 4 г, плотность железа 6F e =7,88 г/см3 . На кубик объемом (1,4)3 -10~2 4 см3 приходится масса (1,4)3 -10- 2 4 -7,88=

— 21,7- Ю - 2 4 г. Но это число в четыре раза меньше массы атома железа. Значит, элементарная ячейка железа имеет ребро больше 1,4 А. Попробуем предположить, что она больше в два о раза. Тогда ребро куба будет 2,8 А и на одну ячейку будут приходиться два атома.

Так как кристалл — кубиче­ ский и обладает симметрией оси четвертого порядка (см. стр. 563), то этот второй атом может нахо­ диться лишь в центре элементар­ ного куба. Проверим справедли­ вость предположения о двух ато­ мах в ячейке. Если оно верно, то диагональное межплоскостное рас­ стояние, показанное на рис. 166, должно равняться 1,4 У 2 А. Опыт дает эту цифру, что и доказывает модель структуры.

Для многих металлов, сплавов, простых солей с формулой типа

А В довольно часто оказывается достаточно подобных элементарных соображений для определения взаимного расположения атомов. Если же в ячейке много атомов и форма ячейки не кубическая, то задача определения структуры может быть решена лишь при ис­ пользовании данных не только о геометрии дифракционной кар­ тины, но и об интенсивностях лучей.

§ 145. Интенсивность дифракционных лучей

Аналогично тому, как это имело место для линейной решетки, интенсивность луча, дифрагированого кристаллом, равна N^F1, т. е. пропорциональна квадрату амплитуды F ' 1 волны, рассеянной одной элементарной ячейкой кристалла в данном направлении, а также квадрату числа элементарных ячеек в просвечиваемом объеме.

Величина F 2 однозначно связана со структурой кристалла, т. е. с характером распределения в ячейке электронной плотности.

Как уже говорилось выше, величина F'Z для данного дифракци­

онного

луча (для данной системы «отражающих» плоскостей) зави­

сит от

проекции электронной

плотности на направление нор­

мали.

Разобьем слой кристалла

параллельными плоскостями на

12 А. И. Китайгородский

353

бесконечно тонкие слои dz. Если р — электронная плотность ячейки, то pdz — число электронов ячейки, попавших в слой dz. Все электроны одного тонкого слоя рассеиваются в одной фазе и

О

і

&

3 л

 

1 . . . .

і . . . . і , • • , і . . . . 1

Рис.

167.

 

 

дают волну fdz cos (со/+ф). Амплитуда

волны

одной ячейки есть

d

 

 

 

F = J р cos (со/ + ф) dz.

о

Интеграл берется вдоль одного периода (межплоскостного расстоя­ ния); значения р и ф для каждого z различны.

Мы не будем разъяснять, как решается задача определения электронной плотности кристалла во всех точках элементарной ячейки. Во всяком случае основой решения служит написанное равенство. Оно позволяет вычислить амплитуду любого дифрак­ ционного луча, если известна электронная плотность кристаллов. Нужной, однако, является обратная задача: нахождение элек­ тронного распределения в кристалле по найденным на опыте интенсивностям дифрагированных лучей. Эта задача решается с успехом для весьма сложных кристаллов, содержащих до сотни атомов в эле­ ментарной ячейке.

У кристалла антрацена была измерена интенсивность примерно 600 дифракционных лучей. При помощи этих данных были найдены значения электронной плотности во всех точках ячейки. На рис. 167 изображено сечение электронной плотности, проведенное через центры атомов одной из молекул антрацена. (Для вычерчивания электронной плотности использован прием, который принят у гео­ графов для изображения гористой местности. Линии равных высот на карте электронной плотности соответствуют равным плотностям

электронов.)

Четырнадцать отчетливых

вершин — это

четырнад­

цать атомов

углерода, находящихся, как

показывает

исследова­

ние, на расстояниях 1,4 А друг от друга. Высота максимума элек­ тронной плотности пропорциональна числу электронов в атоме. Атомы углерода содержат по шести электронов, атому водорода принадлежит один электрон. Десять пиков, из которых некоторые лишь намечаются, соответствуют центрам десяти атомов водо­ рода, входящих в молекулу антрацена, химическая формула ко­ торой С ] 4 Н 1 0 .

§ 146. Методы рентгеновского анализа

Измерения углов 28, образованных дифрагированными лучами с падающим на кристалл лучом, а также их интенсивностей можно производить как с помощью ионизационной камеры (см. стр. 504), так и фотографическим методом. Фотопленки, фиксирующие одно­ временно след многих дифракционных лучей, называются рентге­ нограммами.

Но каким же способом можно получить на одной пленке следы нескольких лучей, если при фиксированном положении кристалла по отношению к лучу условие nX=2d sin 6, как было сказано выше, скорее всего не будет выполнено ни разу? Для этой цели имеются три возможности:

1) вращать кристалл, подставляя разные системы плоскостей

вотражающее положение;

2)облучать кристалл сплошным спектром длин волн, лежащих

вдостаточно широком диапазоне от Аі до Я.2, с тем, чтобы почти

каждая система плоскостей нашла «подходящую» длину волны в спектре;

12*

355

3) получить рентгенограмму порошка, в котором условие диф­ ракции для любого d всегда будет выполнено для некоторых кри­ сталликов.

Первый метод называется методом вращения кристалла, вто­ рой носит имя Лауэ — немецкого физика, с именем которого свя­ зано открытие дифракции лучей, и третий есть метод порошка, или дебаевский метод (по имени Дебая, открывшего этот метод). Метод Лауэ имеет крайне ограниченное применение. Практически исполь­ зуются методы вращения для изучения структуры кристаллов, т. е.

Рис. 168.

определения взаимного расположения атомов, и дебаевский метод для специфических задач, возникающих при исследовании мелкокри­ сталлических веществ.

Цель рентгенограммы вращения — собрать на одну пленку дан­ ные о существующих межплоскостных расстояниях и интенсивностях соответствующих лучей. Однако нужно еще знать, как распо­ ложена система плоскостей по отношению к осям кристалла. Для этого не только надо знать, где на пленке находится пятно, но и в какое мгновенное положение кристалла оно возникло. Чтобы рентгенограмма давала и эти сведения, пленку перемещают во время съемки. Такие методы съемки называются рентген гониомет­ рическими.

Рентгеноструктурные исследования мелкокристаллических ве­ ществ применяются гораздо чаще, чем исследования монокристалла. Происхождение рентгенограммы порошка (дебайграммы) показано на рис. 168.

Остановим свое внимание на определенной системе плоскостей с расстоянием между плоскостями d и нормалью п. Пусть в объекте

имеются кристаллики со всевозможными направлениями п. Луч, «отраженный» от плоскости, будет создан не всеми кристалликами,

а лишь теми из них, у которых плоскости находятся

под углом §

к лучу,

удовлетворяющим условию 2dsin г>=пА,. Соответственно

нормали

к этим плоскостям образуют с первичным

лучом

угол

9 0 ° — В

отражающем для плоскостей d положении

будут

нахо­

диться все кристаллики, нормали которых лежат на конусе с углом раствора 2 (90°г}). Соответственно и «отраженные» лучи создадут конус с углом раствора 4#. Пересекаясь с пленкой или фотопластин­ кой, эти конусы дают кольца.

Если нас интересуют углы Ф не более 20—25°, то рентгенограмму можно снимать на плоскую пластинку; снимок имеет вид системы концентрических колец. Если же требуются сведения о всевоз­ можных межплоскостных расстояниях и мы хотим проанализиро­ вать рассеяние во всем возможном интервале углов, то применя­ ются камеры с цилиндрической пленкой. Высота пленки берется небольшой, и мы видим на ней лишь части колец.

Если для той или иной проблемы важно определить межпло­ скостное расстояние поточнее, то прибегают к так называемой зад­ ней съемке, т. е. к такому эксперименту, в котором на пленке фик­ сировались бы самые широкие дифракционные конусы с углом раст­ вора, близким к 360°.

На пленке измеряют углы рассеяния v>c некоторой неизбежной ошибкой измерения Aft. Посмотрим, как отражается величина этой ошибки на определении величины межплоскостного расстояния. Дифференцируя условие дифракции 2d sinf}=nA., получим:

= c t g O A d .

Мы видим, что точность в измерении межплоскостного расстояния быстро растет при приближении угла f> к 90°. Измерить угол диф­ ракции с точностью порядка 0,1° не представляет труда. Из послед­

него

уравнения

видно, что по линиям, углы f> которых равны 65°,

75°

и 85°, межплоскостное расстояние будет

измерено с точностью

соответственно

0,13%, 0,08% и 0,05%. В

специальных камерах

метод задней съемки дает весьма хорошие результаты: позволяет устанавливать межплоскостные расстояния с точностью до 0,00001 А. Для получения наилучших успехов подбирают длину волны излу­ чения так, чтобы угол рассеяния приблизился к 90°.

Все три вида дебаевской съемки широко применяются в мате­ риаловедении и вопросах изучения строения вещества. Для каждого вещества характерна определенная, только длянего типичная сис­ тема линий. Фазовое превращение влечет за собой исчезновение одной системы линий и появление другой. Появление новой фазы также будет замечено рентгенограммой. Фазовый анализ — одно из важнейших применений этих съемок.

Предположим теперь, что кристаллики в веществе имеют преиму­ щественную ориентацию. Тогда нормали п той или иной системы

плоскостей уже не принимают все возможные направления в про­ странстве и не заполняют равномерно конус нормалей, который был показан на рис. 168. Но если конус нормалей не будет заполнен сплошным образом, то то же самое произойдет и с конусом дифра­ гированных лучей. Поэтому на пленке мы увидим не сплошные, а прерывистые кольца. Такие кольца — признак преимущественной ориентации кристалликов, так называемой текстуры. При помощи дебаевского метода можно детально изучать характер предпочти­ тельной ориентировки кристалликов, возникающей, как правило, при различного рода пластической деформации.

Размер кристалликов также сказывается на виде картины. Если кристаллики очень крупные, то кольцо рентгенограммы не выглядит сплошным: оно распадается на точки, каждая из которых есть след «отражения» от отдельного кристаллика. Если же кристаллики очень маленькие (порядка 10 _ 5 ~10~ в см), то, как показывает те­ ория, линии дебайграммы начинают размываться. Разработаны методы оценки среднего размера кристалликов по этим данным.

Для аналитических целей возникает в ряде случаев еще одна задача: построить аппаратуру таким образом, чтобы можно было исследовать рентгеновский спектр, излучаемый веществом. Как будет выяснено позднее (см. стр. 471), каждое вещество способно создавать характеристический спектр рентгеновских лучей. Спек­ тры атомов разного сорта существенно отличаются друг от друга. Это обстоятельство может быть использовано для производства ка­ чественного и количественного анализа. Для того чтобы решить эту задачу, пользуются рентгеноспектрографами — установками, в ко­ торых большой кристалл ставится в «отражающее» положение своей гранью, межплоскостное расстояние для которой хорошо известно. Поворачивая этот кристалл и измеряя интенсивность дифракции для каждого угла, можно найти (по значению угла f>), какие длины волн присутствуют в спектре исследуемого вещества и с какой ин­ тенсивностью.

Г Л А В А 23 '

ДВОЙНОЕ ЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЕ

§ 147. Анизотропия поляризуемости

Если вещество находится в электрическом поле, то связанные заряды (электронные оболочки молекул) смещаются со своих поло­ жений равновесия, образуя электрические диполи. Когда на стр. 226 мы обсуждали явления поляризации диэлектрика, мы говорили о смещении электрических зарядов вдоль силовых линий. Однако не­ трудно понять, что в реальных молекулах дело может обстоять сов­ сем не так. Если атом имеет сферически симметричное электронное облако, то оно действительно будет в одинаковой степени смещаться

в любом направлении. Про такой атом мы скажем, что поляризуе­ мость его изотропна. Ясно, что даже для двухатомной молекулы по­ добная изотропия не может иметь места: характер связи электронов вдоль и поперек линии, соединяющей эти два атома, различен и, следовательно, разные значения будут иметь и поляризуемости. В зависимости от направления электрического вектора по отноше­ нию к оси молекулы величина поляризуемости, а значит, и смеще­ ния (дипольного момента) будет разной.

Существенно также и то обстоятельство, что направление сме­ щения и направление электрической силы, вообще говоря, совпа­ дать не будут. Это можно иллюстрировать механической моделью шарика, закрепленного на двух перпендикулярных пружинах раз­ ной жесткости. Пусть, например, сила действует под углом 45° к связям. Тогда вдоль связей действуют равные силы. Но жесткость горизонтальной пружины, скажем, в три раза больше жесткости второй пружины. Тогда вертикальное смещение будет в три раза больше горизонтального и вектор смещения образует значительный угол с вектором электрической силы. Таким же точно образом ин­ дуцированный дипольный момент образует угол с направлением на­ пряженности Е.

Почти все молекулы обладают анизотропной поляризуемостью, однако она появляется далеко не во всех случаях. Если речь идет о жидкости, аморфном теле или газе, то анизотропия индуцирован­ ной поляризуемости не проявится. Действительно, каждой молекуле с дипольным моментом, отклонившимся «влево», можно будет найти парную с моментом, отклонившимся «вправо». Суммарный же ди­ польный момент такой пары молекул, а значит, и дипольный момент в единице объема (т. е. вектор поляризации Р) , будет смотреть вдоль вектора Е.

Однако и при упорядоченном расположении молекул в кристал­ лах анизотропия поляризуемости молекул не обязательно даст о себе знать. Кубические кристаллы обладают изотропией поляризуемости. Для них равенство Р = а £ остается в силе так же, как и для изо­ тропных тел. Чтобы это стало понятным, рассмотрим молекулы, у которых электроны могут смещаться лишь в одном-единственном направлении. Симметрия кубического кристалла такова, что в нем мы всегда найдем молекулы, оси поляризуемости которых составля­ ют 90°. Рассмотрим три такие молекулы, оси поляризуемости кото­ рых идут вдоль осей х, у, г декартовой системы координат. При на­ ложении произвольно направленного поля Е эти молекулы поля­

ризуются и дадут

диполи

с моментами cos ip,, BZ: cos cp2 и $E

cos фз, поскольку

момент

пропорционален проекции Е на направ­

ление поляризации. Суммарный дипольный момент этих трех ди­ полей мы получим, складывая их векторно. Но ф ь ф2 , фз суть углы вектора Е с осями координат. Значит, суммарный момент этих мо­ лекул имеет длину

Е У В2 (cos2 ф, + cos2 ф2 + cos2 ф3 ) = 6 £

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ