Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Левичев В.Г. Радиопередающие и радиоприемные устройства [учеб. пособие]

.pdf
Скачиваний:
56
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
19.21 Mб
Скачать

Заметим, что в эти уравнения входит только один параметр транзистора (р). При этом он есть в числителе и в знаменателе. Поэтому усилитель работает очень стабильно. Его параметры практически не зависят от температуры.

§7. ВИДЕОУСИЛИТЕЛИ

1.Общие сведения о видеоусилителях

Врадиолокационном приемнике видеоусилитель предназначен для усиления сигналов, имеющих форму периодически повторяю­ щихся прямоугольных импульсов. Такие сигналы получаются на нагрузке детектора. Более точно они называются видеоимпуль­ сами.

Длительность импульсов, действующих на входе видеоусили­ теля, может быть весьма различной. Она изменяется от длитель­

ности импульса

передатчика РЛС

(если отраженные

сигналы

«приходят» от одиночной цели) до

величины значительно

боль­

шей (когда сигналы, отраженные от групповых целей

или

мест­

ных предметов,

сливаются в общий

импульс).

 

 

Период повторения усиливаемых импульсов зависит от даль­ ности действия РЛС и от расстояния до обнаруженной цели. Он бывает от десятков микросекунд до единиц миллисекунд.

Амплитуда импульсов на входе видеоусилителя бывает от де­

сятых долей

вольта до единиц вольт. Она сравнительно постоян­

на, так как

в приемнике обычно имеется система автоматической

регулировки усиления. Амплитуда импульсов на выходе видеоуси­ лителя должна быть порядка десятков вольт. Следовательно, тре­

буемый коэффициент

усиления видеоусилителя

приемника может

обеспечиваться одним или двумя каскадами.

 

 

Необходимая полоса пропускания видеоусилителя зависит от

длительности усиливаемых

импульсов и допустимых

искажений

их формы. Наиболее

часто

область средних

частот

видеоусили­

теля заключается в интервале от сотен герц до единиц мегагерц. Следовательно, видеоусилитель является широкополосным.

Для получения широкой полосы пропускания видеоусилителя принимают специальные меры. Они сводятся к коррекции частот­ ной характеристики усилителя в области его верхних и нижних частот. Наличие элементов частотной коррекции типично для боль­ шинства схем видеоусилителей. Только в отдельных схемах кор­

рекция не

применяется.

Тогда

усилитель

называют

некорректи-

рованным. Но именно в таком

усилителе

лучше всего

проявляют­

ся причины

искажения

формы

усиливаемых импульсов.

2. Видеоусилители без частотной коррекции

При теоретическом изучении свойств видеоусилителя удобно считать, что на входе его действует одиночный импульс напря­ жения или тока идеальной прямоугольной формы. В этом случае

300

анализ физических процессов и вывод расчетных соотношений по­ лучается простым и наглядным. Так, например, становится хоро­ шо видно, что искажения видеоимпульсов можно оценивать дли­ тельностью фронтов и спадом вершины.

а) В и д е о у с и л и т е л ь на л а м п е

Ламповый видеоусилитель обычно выполняется на пентоде. Его простейшая схема изображена на рис. 2.71. Каскад предна­ значен для усиления импульсов отрицательной полярности. По-

Рис. 2.71.

Схема

видеоусилителя

без

Рис. 2.72,

Процесс

усиления

прямо-

 

частотнон

коррекции

 

угольного

импульса

в

резисторном

 

 

 

 

 

 

каскаде

 

 

этому в

его схеме

нет ячейки

смещения. Пунктиром

показана па­

разитная

емкость

анодной цепи

Са . Она складывается

из

выход­

ной емкости лампы, емкости монтажа и входной емкости следую­

щего каскада. Обычно емкость С а бывает порядка

десятков пико­

фарад. На рис. 2.72 показан процесс усиления

прямоугольного

импульса.

 

До момента t\ на сетке лампы напряжения нет. Через лампу проходит значительный анодный ток. Напряжение на аноде мало. До этого напряжения заряжены паразитная емкость Са и конден­ сатор переходной цепи. На выходе усилителя напряжения нет.

В момент t\ на сетке лампы мгновенно появляется отрицатель­ ное напряжение. Анодный ток резко уменьшается. Однако напря­ жение на аноде лампы мгновенно возрасти не может. Для этого требуется определенное время, в течение которого*происходит за­ ряд емкости £ а . Ток заряда проходит через резистор Поэтому напряжение на аноде лампы возрастает по экспоненциальному за-

301

кону. Данный процесс продолжается в течение времени, равного &СЯ, и заканчивается в момент t2.

Для ускорения процесса нарастания анодного напряжения не­ обходимо уменьшать емкость Са . Достигается это рациональным размещением деталей и тщательным выполнением монтажа уси­ лителя. Все соединительные провода должны быть максимально короткими, а детали усилителя малогабаритными. Можно также уменьшать величину сопротивления R&, но при этом будет умень­ шаться коэффициент усиления каскада.

Иа-5к0м

,

Тц-2,5шс

Са = 50пФ

 

 

 

 

 

 

Са = Ь0пФ

 

 

 

Са=25пФ

 

 

 

 

?вг fer

>e"r

 

f

-50пФ

и а (

Са=Ь0пФ

<fy

Са=25пФ

 

 

ft!

 

1 -

f t

 

 

 

 

 

71—У

 

 

 

 

 

5 *.

 

 

0,625

t

 

Рис. 2.73. Зависимость формы импульсов

на аноде

лампы

и полосы пропускания видеоусилителя от емкости

анодной

 

 

 

цепи

 

 

 

 

В момент

/г напряжение

на сетке

мгновенно

спадает до нуля

и анодный ток резко возрастает. Напряжение на аноде лампы должно уменьшиться, но произойдет это не мгновенно, а в течение

времени, необходимого

для

разряда

емкости Са . Теоретически

можно доказать,

что

время

разряда

емкости Са равно времени

ее заряда, хотя

на первый

взгляд это не очевидно.

Таким образом, крутизна и длительность фронтов выходных видеоимпульсов зависят от полосы пропускания усилителя в об­ ласти верхних частот, так как

/••'«яаЬ;-

<2Л66>

Зависимость формы видеоимпульсов

на аноде лампы и по­

лосы пропускания усилителя от паразитной емкости анодной цепи показана «а рис 2.73. Аналогичная зависимость, но от сопротив­

ления

Ra

показана

на

рис. 2.74.

Для

выяснения

точной

связи менаду установлением процессов

в анодной

цепи лампы

и

полосой пропускания усилителя вводят

302

понятие времени нарастания фронта выходного импульса т н * . Это есть условный промежуток времени, в течение которого выходное напряжение нарастает от 0,1 до 0,9 своего установившегося значе­

ния (рис. 2.75).

К

Яа=5к0м

ра = 2,5к0/и

 

 

 

 

 

 

 

-F'

Р"г

 

 

 

 

 

 

 

 

~вг

вг

 

 

 

 

 

 

 

™ .

Па=2,5к0м

 

 

 

 

 

 

 

I I

IV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,375

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(мке)

 

 

Рис. 2.74. Зависимость

формы импульсов на аноде лампы

 

и полосы пропускания

видеоусилителя от

сопротивления

 

 

 

 

анодной нагрузки

 

 

Для

резисторного

усилителя

на лампе

 

 

 

 

 

 

т и =

2 , 2 С . / ? а .

 

 

(2.167)

Подставив

в эту

формулу

произведение

C a - i? a из формулы

(2.166), получим простое выражение для

времени

нарастания

фронта

выходных

импульсов

 

 

 

 

 

 

т н =

^ .

(2.168)

 

 

 

 

 

 

/ в .

г

 

 

 

 

 

На

практике

обычно

стараются

 

 

 

получить

 

 

 

 

 

 

 

 

•=н = ( 0 , 1 4 - 0 , 2 ) . хн .

(2.169)

 

 

та

Напомним,

что

время

спада им­

 

 

 

пульса

т с ~ т н .

Это время часто

назы­

 

 

 

вают длительностью

заднего

фронта

 

 

 

импульса и обозначают тфг.

 

 

Рис. 2.75. Время

нарастания и

Видеоимпульсы,

 

получающиеся на

время

спадания видеоимпульса

 

 

(Ссх =

С а )

аноде лампы, имеют плоскую верши­

 

 

 

 

ну, но форма

их отливается

от формы

входных импульсов. Она

экспоненциальная. Называть эти импульсы прямоугольными можно только условно.

* Вместо термина «время нарастания фронта» часто пользуются термином «длительность фронта». Тогда вместо тн пишут тф (или /ф),

30 3

На выходе усилителя вершина импульсов не является плоской. Она спадает на величину AU, которая зависит от постоянной вре­ мени переходной цели. Если CnRn^^ ( а это условие всегда выполняется), то

L U = c ^ - S u ^ d t - ^ t - ~ « =

• етп

( 2 - 1 7 ° )

Л

 

 

На практике спад вершины импульса часто выражается в про­

центах от его амплитуды. Тогда, считая Um&

за 100%, имеем

АС/% = 1 0 0 - ^ .

(2.171)

Для уменьшения спада вершины импульса необходимо увели- • чивать постоянную времени переходной цепи, т. е. расширять по­ лосу пропускания усилителя в области нижних частот, так как

/ - - s i b ; -

Если отсюда определить произведение CnRn в уравнение (2.171), то получим

A t / % = 6 2 8 - х „ . / н . г .

( 2 л 7 2 )

и подставить его

(2.173)

В радиолокационных приемниках для импульсов небольшой длительности допускаемая величина AU бывает около 5—10%' ам­ плитуды.

Полезно заметить, что в составе выходного напряжения усили­ теля нет постоянной составляющей. Поэтому у выходных импуль­ сов площадь над осью времени равна площади под ней. На рис. 2.72 этого не видно, потому что там показан только один им­ пульс, а не последовательность ряда импульсов. Поскольку реаль­ ная скважность импульсов достаточно велика, то все переходные процессы за время паузы между импульсами успевают закончить­ ся. По этой причине каждый видеоимпульс на выходе усилителя начинается от нулевого уровня.

Зависимость спада вершины выходных импульсов от полосы пропускания усилителя в области нижних частот иллюстрируется рис. 2.76, где показаны частотные характеристики для двух значе­

ний постоянной времени переходной цепи.

 

Из рисунка видно, что при увеличении произведения

СйЯп про­

исходит расширение полосы -пропускания усилителя

в области

нижних частот. В результате этого спад вершины выходных им­ пульсов уменьшается и их форма приближается к прямоугольной.

Под коэффициентом усиления любого усилителя понимается отношение величины выходного сигнала к величине входного сиг­ нала. Это может быть отношение напряжений или токов. При этом коэффициент усиления только тогда является определенным понятием, когда сравниваемые сигналы имеют одинаковую форму.

304

По этой причине коэффициент усиления видеоусилителя опре­ деляется для синусоидального сигнала средней частоты. Только в первом приближении он равен отношению амплитуды выходных импульсов к амплитуде входных импульсов.

В усилителе на лампе коэффициент усиления определяется по

напряжению. В общем

случае

 

 

 

K=Sd-Rt&S-R„

(2.174)

где S,

— динамическая крутизна

лампы;

о

—статическая

крутизна

лампы.

б) В и д е о у с и л и т е л ь н а т р а н з и с т о р е

Современные высокочастотные транзисторы позволяют исполь­

зовать для усиления импульсных

сигналов простые (обычные) схе­

мы усилителей. Одна из таких схем на транзисторе р-п-р

с

общим

эмиттером изображена

на рис. 2.77.

Схема выполнена

с

фикси­

рованным током смещения и не содержит элементов

частотной

коррекции. В ней нет также элементов температурной

стабилиза­

ции исходного режима

транзистора.

 

 

 

Подобные схемы применяются только в тех случаях, когда

допустимо иметь на выходе усилителя значительное время

нара­

стания прямоугольных импульсов (около половины

микросе­

кунды) .

 

 

 

 

 

Основная проблема

расчета

схемы

некоррелированного уси­

лителя сводится к выбору подходящего транзистора и требуемой величины сопротивления RK. Затем выбирается исходный режим усилителя. Он зависит от полярности и амплитуды усиливаемых импульсов.

305

При выборе транзистора можно руководствоваться довольно простым критерием. Его предельная частота усиления по току дол­ жна быть в несколько раз больше необходимой верхней граничной

частоты усилителя.

 

 

Необходимая частота

fD.r определяется по формуле

 

/ . . , = " .

( 2 Л 7 5 )

где т.ц — заданное время

нарастания

фронта.

Выбор сопротивления RK производится из двух противоречивых требований, предъявляемых к импульсному усилителю. С одной стороны, необходимо получить максимально возможное усиление,

Рис. 2.77. Схема некорректированного импульсного уси­

лителя на транзисторе

р — п — р с общим эмиттером

а с другой — требуется иметь

достаточно широкую полосу пропу­

скания. Для выполнения первого условия желательно увеличи­ вать сопротивление нагрузки транзистора, а для выполнения вто­ рого условия требуется его уменьшать.

Существенную роль при выборе величины RK играет входное сопротивление следующего каскада, которое для переменных со­ ставляющих коллекторного тока включено параллельно с сопро­

тивлением RK-

Приходится учитывать

и внутреннее

сопротивле­

ние источника

входного сигнала RUc, так

как от его

величины за­

висит режим работы входной цепи усилителя. Параметры выбран­ ного транзистора также оказывают заметное влияние на требуе­

мую величину

сопротивления RK.

В результате

всего этого расчетная формула для RK получается

сложной и неточной. Поэтому на практике при проектировании видеоусилителя сопротивление резистора RK часто определяют экс­ периментально. Его величина обычно бывает 500—3000 ом.

Резистор Ro выбирается в зависимости от полярности и ам­ плитуды усиливаемых импульсов. Для этого на семействе КСХ выбранного транзистора строят КДХ и определяют необходимую величину тока базы в режиме покоя. Обозначим этот ток U.a-

306

Если усилитель выполнен на транзисторе р-п-р с общим эмит­ тером и предназначен для усиления положительных импульсов, то точку исходного режима необходимо иметь в верхней части КДХ (рис. 2.78,а). Для этого надо выбрать сопротивление R5 неболь­ шой величины. Это невыгодно не только по энергетическим сооб­ ражениям, но и потому, что при уменьшении Re уменьшается входное сопротивление усилителя.

При отрицательной полярности усиливаемых импульсов точку исходного режима необходимо иметь в нижней части КДХ. В этом случае сопротивление R& должно быть большим.

1Б = ШмкА

1Б = ISOjhkA

1Б = 100мкА

'кдх

=50мкА

Рис. 2.78. Выбор точки исходного режима импульсного усили­ теля в зависимости от полярности входного сигнала:

а — д л я транзистора р — п — р; б — д л я транзистора п — р — п

Расчет сопротивления RQ производят

по формуле

R 6 = ^ .

(2.176)

' б . п

 

Если усилитель выполнен на транзисторе п-р-п с общим эмит­ тером, то в зависимости от полярности входных импульсов точка

исходного режима вьгбирается так, как это показано на рис. 2.78, б.

Из сказанного следует, что для усиления отрицательных им­

пульсов энергетически выгоднее применять транзисторы

р-п-р, а

для усиления положительных импульсов — транзисторы

п-р-п.

Рассмотрим физические процессы в усилителе на сплавном транзисторе р-п-р. Схема усилителя изображена на рис. 2.77. Гра­ фики, иллюстрирующие процессы, происходящие в усилителе, изо­ бражены на рис. 2.79.

В исходном режиме (до момента /1) на входе усилителя на­ пряжения нет. На базе транзистора действует небольшое прямое напряжение. Уровень инжекции очень мал. Поэтому токи всех

электродов транзистора

( / э . п , 7к.п, h.n) малы. При этом,

конечно,

/ в . п = / к . п + / б . п .

Напряжение на коллекторе

UK.a немного

меньше

£ к . Очевидно,

что UK.N=EK

— /К.П • RK-

 

 

В момент

U на вход

усилителя скачком

подается отрицатель­

ное напряжение. Это возможно при наличии определенных усло­ вий. В основном для этого надо иметь малое сопротивление R A . C и малую входную емкость усилителя. Полагаем, что эти условия вы-

307

полняготся. Тогда в момент U происходит резкое увеличение тока эмиттера. Однако ток коллектора в момент 1\ ие изменяется, так как инжектированные дырки ие сразу достигают коллекторного перехода. Требуется определенное время, чтобы они прошли сквозь базу транзистора. Пока это время не истекло, происходит

О

U

(

 

 

ПИШИ11-

"тех

Ш 111

t

 

Рис. 2.79. Процесс усиления прямоугольных видеоим­ пульсов в транзисторном усилителе без коррекции

процесс втягивания большого количества электронов в базу из

внешней цепи (в основном с правой обкладки конденсатора

С р ) .

Поэтому в момент А ток базы возрастает в такой же степени,

как

и ток эмиттера. Область базы при этом все время остается ней­

тральной. Процесс накопления парных

неравновесных

носителей

в базе происходит до момента

t2. Упрощенно его называют процес­

сом накопления

избыточных

дырок *.

 

 

Промежуток

времени от момента U

до момента t2

зависит от

* Концентрация дырок в базе резко возрастает, а концентрация электронов практически остается прежней.

308

ширины базы и подвижности инжектированных дырок. Он назы­ вается временем прохождения базы или временем запаздывания сигнала. У сплавных транзисторов это время получается порядка сотых долей микросекунды (десятки наносекунд). Для уменьше­ ния времени запаздывания сигнала необходимо применять тран­ зисторы с возможно меньшей шириной базы.

В момент /2 инжектированные дырки начинают подходить к коллекторному переходу и перебрасываться его электрическим по­

лем в

область коллектора.

Поэтому ток iK

постепенно возрастает,

а ток

/б в такой же степени

уменьшается.

Закон плавного измене­

ния этих токов похож на экспоненциальный. Объясняется это тем,

что

инжектированные дырки движутся сквозь базу

сплавного

транзистора по

законам

диффузии.

Следовательно, их

скорости

и пути различны. В соответствии с изменениями тока iK

происхо­

дит изменение напряжения на коллекторе.

 

В момент 4 переходный процесс в транзисторе заканчивается.

Токи

коллектора

и базы

становятся

постоянными. При

этом ток

базы может быть заметно больше тока /б.п- Объясняется это по­ вышенным уровнем инжекции.

В .момент t4 входное напряжение исчезает и процесс инжек­ ции прекращается. Ток эмиттера мгновенно спадает до исходного значения. На такую же величину скачком изменяется ток базы. Его направление становится противоположным. Ток коллектора и почти равный ему ток базы остаются неизменными до тех пор, пока происходит процесс ухода основного количества неравновес­ ных носителей заряда из базы. При этом дырки уходят в коллек­ тор, а электроны — через вывод базы. Упрощенно этот процесс называют рассасыванием избыточных дырок.

Продолжительность данного процесса может быть весьма раз­ личной. Это зависит от типа транзистора и режима работы вход­ ной цепи усилителя. В большинстве случаев время рассасывания заметно превышает время запаздывания сигнала. Следствием этого является увеличение длительности выходных импульсов по

сравнению с

входными.

В момент

ts начинается быстрое уменьшение оставшихся в базе

неравновесных носителей зарядов и оба тока одновременно умень­ шаются.

Напряжение на коллекторе возрастает, приближаясь к напря­

жению

£ к .

В момент t$ ток базы меняет свое направление. Он снова вы­

текает

из транзистора. С момента t7 все токи транзистора практи­

чески

постоянны.

Из приведенного качественного объяснения физических про­ цессов, происходящих в импульсном усилителе, видно, что при его количественном анализе необходимо учитывать эффект накоп­ ления и рассасывания неравновесных носителей зарядов в базе транзистора. Экспоненциальный характер этих процессов учиты­ вается на эквивалентной схеме усилителя емкостями эмиттерного и коллекторного переходов.

309

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ