
книги из ГПНТБ / Левичев В.Г. Радиопередающие и радиоприемные устройства [учеб. пособие]
.pdfЗаметим, что в эти уравнения входит только один параметр транзистора (р). При этом он есть в числителе и в знаменателе. Поэтому усилитель работает очень стабильно. Его параметры практически не зависят от температуры.
§7. ВИДЕОУСИЛИТЕЛИ
1.Общие сведения о видеоусилителях
Врадиолокационном приемнике видеоусилитель предназначен для усиления сигналов, имеющих форму периодически повторяю щихся прямоугольных импульсов. Такие сигналы получаются на нагрузке детектора. Более точно они называются видеоимпуль сами.
Длительность импульсов, действующих на входе видеоусили теля, может быть весьма различной. Она изменяется от длитель
ности импульса |
передатчика РЛС |
(если отраженные |
сигналы |
|
«приходят» от одиночной цели) до |
величины значительно |
боль |
||
шей (когда сигналы, отраженные от групповых целей |
или |
мест |
||
ных предметов, |
сливаются в общий |
импульс). |
|
|
Период повторения усиливаемых импульсов зависит от даль ности действия РЛС и от расстояния до обнаруженной цели. Он бывает от десятков микросекунд до единиц миллисекунд.
Амплитуда импульсов на входе видеоусилителя бывает от де
сятых долей |
вольта до единиц вольт. Она сравнительно постоян |
на, так как |
в приемнике обычно имеется система автоматической |
регулировки усиления. Амплитуда импульсов на выходе видеоуси лителя должна быть порядка десятков вольт. Следовательно, тре
буемый коэффициент |
усиления видеоусилителя |
приемника может |
||
обеспечиваться одним или двумя каскадами. |
|
|
||
Необходимая полоса пропускания видеоусилителя зависит от |
||||
длительности усиливаемых |
импульсов и допустимых |
искажений |
||
их формы. Наиболее |
часто |
область средних |
частот |
видеоусили |
теля заключается в интервале от сотен герц до единиц мегагерц. Следовательно, видеоусилитель является широкополосным.
Для получения широкой полосы пропускания видеоусилителя принимают специальные меры. Они сводятся к коррекции частот ной характеристики усилителя в области его верхних и нижних частот. Наличие элементов частотной коррекции типично для боль шинства схем видеоусилителей. Только в отдельных схемах кор
рекция не |
применяется. |
Тогда |
усилитель |
называют |
некорректи- |
рованным. Но именно в таком |
усилителе |
лучше всего |
проявляют |
||
ся причины |
искажения |
формы |
усиливаемых импульсов. |
2. Видеоусилители без частотной коррекции
При теоретическом изучении свойств видеоусилителя удобно считать, что на входе его действует одиночный импульс напря жения или тока идеальной прямоугольной формы. В этом случае
300
анализ физических процессов и вывод расчетных соотношений по лучается простым и наглядным. Так, например, становится хоро шо видно, что искажения видеоимпульсов можно оценивать дли тельностью фронтов и спадом вершины.
а) В и д е о у с и л и т е л ь на л а м п е
Ламповый видеоусилитель обычно выполняется на пентоде. Его простейшая схема изображена на рис. 2.71. Каскад предна значен для усиления импульсов отрицательной полярности. По-
Рис. 2.71. |
Схема |
видеоусилителя |
без |
Рис. 2.72, |
Процесс |
усиления |
прямо- |
||
|
частотнон |
коррекции |
|
угольного |
импульса |
в |
резисторном |
||
|
|
|
|
|
|
каскаде |
|
|
|
этому в |
его схеме |
нет ячейки |
смещения. Пунктиром |
показана па |
|||||
разитная |
емкость |
анодной цепи |
Са . Она складывается |
из |
выход |
ной емкости лампы, емкости монтажа и входной емкости следую
щего каскада. Обычно емкость С а бывает порядка |
десятков пико |
фарад. На рис. 2.72 показан процесс усиления |
прямоугольного |
импульса. |
|
До момента t\ на сетке лампы напряжения нет. Через лампу проходит значительный анодный ток. Напряжение на аноде мало. До этого напряжения заряжены паразитная емкость Са и конден сатор переходной цепи. На выходе усилителя напряжения нет.
В момент t\ на сетке лампы мгновенно появляется отрицатель ное напряжение. Анодный ток резко уменьшается. Однако напря жение на аноде лампы мгновенно возрасти не может. Для этого требуется определенное время, в течение которого*происходит за ряд емкости £ а . Ток заряда проходит через резистор Поэтому напряжение на аноде лампы возрастает по экспоненциальному за-
301
кону. Данный процесс продолжается в течение времени, равного 5Я&СЯ, и заканчивается в момент t2.
Для ускорения процесса нарастания анодного напряжения не обходимо уменьшать емкость Са . Достигается это рациональным размещением деталей и тщательным выполнением монтажа уси лителя. Все соединительные провода должны быть максимально короткими, а детали усилителя малогабаритными. Можно также уменьшать величину сопротивления R&, но при этом будет умень шаться коэффициент усиления каскада.
Иа-5к0м |
, |
Тц-2,5шс |
Са = 50пФ |
|
|
|
|
|
|
|
Са = Ь0пФ |
|
|
|
Са=25пФ |
|
|
|
|
?вг fer |
>e"r |
|
f |
"а |
-50пФ |
и а ( |
Са=Ь0пФ |
<fy |
Са=25пФ |
|
|
|
ft! |
|
1 - |
f t |
|
|
|
|
|
|
71—У |
|
|
|
|
|
1Л5 *. |
— |
|
|
0,625 |
t |
|
Рис. 2.73. Зависимость формы импульсов |
на аноде |
лампы |
|||||
и полосы пропускания видеоусилителя от емкости |
анодной |
||||||
|
|
|
цепи |
|
|
|
|
В момент |
/г напряжение |
на сетке |
мгновенно |
спадает до нуля |
и анодный ток резко возрастает. Напряжение на аноде лампы должно уменьшиться, но произойдет это не мгновенно, а в течение
времени, необходимого |
для |
разряда |
емкости Са . Теоретически |
|
можно доказать, |
что |
время |
разряда |
емкости Са равно времени |
ее заряда, хотя |
на первый |
взгляд это не очевидно. |
Таким образом, крутизна и длительность фронтов выходных видеоимпульсов зависят от полосы пропускания усилителя в об ласти верхних частот, так как
/••'«яаЬ;- |
<2Л66> |
Зависимость формы видеоимпульсов |
на аноде лампы и по |
лосы пропускания усилителя от паразитной емкости анодной цепи показана «а рис 2.73. Аналогичная зависимость, но от сопротив
ления |
Ra |
показана |
на |
рис. 2.74. |
|
Для |
выяснения |
точной |
связи менаду установлением процессов |
||
в анодной |
цепи лампы |
и |
полосой пропускания усилителя вводят |
302
понятие времени нарастания фронта выходного импульса т н * . Это есть условный промежуток времени, в течение которого выходное напряжение нарастает от 0,1 до 0,9 своего установившегося значе
ния (рис. 2.75).
К
Яа=5к0м
ра = 2,5к0/и
|
|
|
|
|
|
|
-F' |
Р"г |
|
|
|
|
|
|
|
|
~вг |
вг |
|
|
|
|
|
|
|
™ . |
Па=2,5к0м |
|
|
|
|
|
|
|
|
I I |
IV |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,375 |
t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(мке) |
|
|
Рис. 2.74. Зависимость |
формы импульсов на аноде лампы |
|||||||
|
и полосы пропускания |
видеоусилителя от |
сопротивления |
||||||
|
|
|
|
анодной нагрузки |
|
|
|||
Для |
резисторного |
усилителя |
на лампе |
|
|
||||
|
|
|
|
т и = |
2 , 2 С . / ? а . |
|
|
(2.167) |
|
Подставив |
в эту |
формулу |
произведение |
C a - i? a из формулы |
|||||
(2.166), получим простое выражение для |
времени |
нарастания |
|||||||
фронта |
выходных |
импульсов |
|
|
|
|
|||
|
|
т н = |
^ . |
(2.168) |
|
|
|
||
|
|
|
/ в . |
г |
|
|
|
|
|
На |
практике |
обычно |
стараются |
|
|
|
|||
получить |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
•=н = ( 0 , 1 4 - 0 , 2 ) . хн . |
(2.169) |
|
|
та |
|||||
Напомним, |
что |
время |
спада им |
|
|
|
|||
пульса |
т с ~ т н . |
Это время часто |
назы |
|
|
|
|||
вают длительностью |
заднего |
фронта |
|
|
|
||||
импульса и обозначают тфг. |
|
|
Рис. 2.75. Время |
нарастания и |
|||||
Видеоимпульсы, |
|
получающиеся на |
время |
спадания видеоимпульса |
|||||
|
|
(Ссх = |
С а ) |
||||||
аноде лампы, имеют плоскую верши |
|
||||||||
|
|
|
|||||||
ну, но форма |
их отливается |
от формы |
входных импульсов. Она |
экспоненциальная. Называть эти импульсы прямоугольными можно только условно.
* Вместо термина «время нарастания фронта» часто пользуются термином «длительность фронта». Тогда вместо тн пишут тф (или /ф),
30 3
На выходе усилителя вершина импульсов не является плоской. Она спадает на величину AU, которая зависит от постоянной вре мени переходной цели. Если CnRn^^ ( а это условие всегда выполняется), то
L U = c ^ - S u ^ d t - ^ t - ~ « = |
• етп • |
( 2 - 1 7 ° ) |
Л |
|
|
На практике спад вершины импульса часто выражается в про
центах от его амплитуды. Тогда, считая Um& |
за 100%, имеем |
АС/% = 1 0 0 - ^ . |
(2.171) |
Для уменьшения спада вершины импульса необходимо увели- • чивать постоянную времени переходной цепи, т. е. расширять по лосу пропускания усилителя в области нижних частот, так как
/ - - s i b ; -
Если отсюда определить произведение CnRn в уравнение (2.171), то получим
A t / % = 6 2 8 - х „ . / н . г .
( 2 л 7 2 )
и подставить его
(2.173)
В радиолокационных приемниках для импульсов небольшой длительности допускаемая величина AU бывает около 5—10%' ам плитуды.
Полезно заметить, что в составе выходного напряжения усили теля нет постоянной составляющей. Поэтому у выходных импуль сов площадь над осью времени равна площади под ней. На рис. 2.72 этого не видно, потому что там показан только один им пульс, а не последовательность ряда импульсов. Поскольку реаль ная скважность импульсов достаточно велика, то все переходные процессы за время паузы между импульсами успевают закончить ся. По этой причине каждый видеоимпульс на выходе усилителя начинается от нулевого уровня.
Зависимость спада вершины выходных импульсов от полосы пропускания усилителя в области нижних частот иллюстрируется рис. 2.76, где показаны частотные характеристики для двух значе
ний постоянной времени переходной цепи. |
|
Из рисунка видно, что при увеличении произведения |
СйЯп про |
исходит расширение полосы -пропускания усилителя |
в области |
нижних частот. В результате этого спад вершины выходных им пульсов уменьшается и их форма приближается к прямоугольной.
Под коэффициентом усиления любого усилителя понимается отношение величины выходного сигнала к величине входного сиг нала. Это может быть отношение напряжений или токов. При этом коэффициент усиления только тогда является определенным понятием, когда сравниваемые сигналы имеют одинаковую форму.
304
По этой причине коэффициент усиления видеоусилителя опре деляется для синусоидального сигнала средней частоты. Только в первом приближении он равен отношению амплитуды выходных импульсов к амплитуде входных импульсов.
В усилителе на лампе коэффициент усиления определяется по
напряжению. В общем |
случае |
|
|
|
|
K=Sd-Rt&S-R„ |
(2.174) |
где S, |
— динамическая крутизна |
лампы; |
|
о |
—статическая |
крутизна |
лампы. |
б) В и д е о у с и л и т е л ь н а т р а н з и с т о р е
Современные высокочастотные транзисторы позволяют исполь
зовать для усиления импульсных |
сигналов простые (обычные) схе |
||||
мы усилителей. Одна из таких схем на транзисторе р-п-р |
с |
общим |
|||
эмиттером изображена |
на рис. 2.77. |
Схема выполнена |
с |
фикси |
|
рованным током смещения и не содержит элементов |
частотной |
||||
коррекции. В ней нет также элементов температурной |
стабилиза |
||||
ции исходного режима |
транзистора. |
|
|
|
|
Подобные схемы применяются только в тех случаях, когда |
|||||
допустимо иметь на выходе усилителя значительное время |
нара |
||||
стания прямоугольных импульсов (около половины |
микросе |
||||
кунды) . |
|
|
|
|
|
Основная проблема |
расчета |
схемы |
некоррелированного уси |
лителя сводится к выбору подходящего транзистора и требуемой величины сопротивления RK. Затем выбирается исходный режим усилителя. Он зависит от полярности и амплитуды усиливаемых импульсов.
305
При выборе транзистора можно руководствоваться довольно простым критерием. Его предельная частота усиления по току дол жна быть в несколько раз больше необходимой верхней граничной
частоты усилителя. |
|
|
Необходимая частота |
fD.r определяется по формуле |
|
|
/ . . , = " . |
( 2 Л 7 5 ) |
где т.ц — заданное время |
нарастания |
фронта. |
Выбор сопротивления RK производится из двух противоречивых требований, предъявляемых к импульсному усилителю. С одной стороны, необходимо получить максимально возможное усиление,
Рис. 2.77. Схема некорректированного импульсного уси
лителя на транзисторе |
р — п — р с общим эмиттером |
а с другой — требуется иметь |
достаточно широкую полосу пропу |
скания. Для выполнения первого условия желательно увеличи вать сопротивление нагрузки транзистора, а для выполнения вто рого условия требуется его уменьшать.
Существенную роль при выборе величины RK играет входное сопротивление следующего каскада, которое для переменных со ставляющих коллекторного тока включено параллельно с сопро
тивлением RK- |
Приходится учитывать |
и внутреннее |
сопротивле |
ние источника |
входного сигнала RUc, так |
как от его |
величины за |
висит режим работы входной цепи усилителя. Параметры выбран ного транзистора также оказывают заметное влияние на требуе
мую величину |
сопротивления RK. |
В результате |
всего этого расчетная формула для RK получается |
сложной и неточной. Поэтому на практике при проектировании видеоусилителя сопротивление резистора RK часто определяют экс периментально. Его величина обычно бывает 500—3000 ом.
Резистор Ro выбирается в зависимости от полярности и ам плитуды усиливаемых импульсов. Для этого на семействе КСХ выбранного транзистора строят КДХ и определяют необходимую величину тока базы в режиме покоя. Обозначим этот ток U.a-
306
Если усилитель выполнен на транзисторе р-п-р с общим эмит тером и предназначен для усиления положительных импульсов, то точку исходного режима необходимо иметь в верхней части КДХ (рис. 2.78,а). Для этого надо выбрать сопротивление R5 неболь шой величины. Это невыгодно не только по энергетическим сооб ражениям, но и потому, что при уменьшении Re уменьшается входное сопротивление усилителя.
При отрицательной полярности усиливаемых импульсов точку исходного режима необходимо иметь в нижней части КДХ. В этом случае сопротивление R& должно быть большим.
1Б = ШмкА
1Б = ISOjhkA
1Б = 100мкА
'кдх
=50мкА
Рис. 2.78. Выбор точки исходного режима импульсного усили теля в зависимости от полярности входного сигнала:
а — д л я транзистора р — п — р; б — д л я транзистора п — р — п
Расчет сопротивления RQ производят |
по формуле |
R 6 = ^ . |
(2.176) |
' б . п |
|
Если усилитель выполнен на транзисторе п-р-п с общим эмит тером, то в зависимости от полярности входных импульсов точка
исходного режима вьгбирается так, как это показано на рис. 2.78, б. |
|
Из сказанного следует, что для усиления отрицательных им |
|
пульсов энергетически выгоднее применять транзисторы |
р-п-р, а |
для усиления положительных импульсов — транзисторы |
п-р-п. |
Рассмотрим физические процессы в усилителе на сплавном транзисторе р-п-р. Схема усилителя изображена на рис. 2.77. Гра фики, иллюстрирующие процессы, происходящие в усилителе, изо бражены на рис. 2.79.
В исходном режиме (до момента /1) на входе усилителя на пряжения нет. На базе транзистора действует небольшое прямое напряжение. Уровень инжекции очень мал. Поэтому токи всех
электродов транзистора |
( / э . п , 7к.п, h.n) малы. При этом, |
конечно, |
||
/ в . п = / к . п + / б . п . |
Напряжение на коллекторе |
UK.a немного |
меньше |
|
£ к . Очевидно, |
что UK.N=EK |
— /К.П • RK- |
|
|
В момент |
U на вход |
усилителя скачком |
подается отрицатель |
ное напряжение. Это возможно при наличии определенных усло вий. В основном для этого надо иметь малое сопротивление R A . C и малую входную емкость усилителя. Полагаем, что эти условия вы-
307
полняготся. Тогда в момент U происходит резкое увеличение тока эмиттера. Однако ток коллектора в момент 1\ ие изменяется, так как инжектированные дырки ие сразу достигают коллекторного перехода. Требуется определенное время, чтобы они прошли сквозь базу транзистора. Пока это время не истекло, происходит
О |
U |
( |
|
|
|
ПИШИ11- |
"тех |
Ш 111 |
t |
||
|
Рис. 2.79. Процесс усиления прямоугольных видеоим пульсов в транзисторном усилителе без коррекции
процесс втягивания большого количества электронов в базу из
внешней цепи (в основном с правой обкладки конденсатора |
С р ) . |
Поэтому в момент А ток базы возрастает в такой же степени, |
как |
и ток эмиттера. Область базы при этом все время остается ней
тральной. Процесс накопления парных |
неравновесных |
носителей |
||
в базе происходит до момента |
t2. Упрощенно его называют процес |
|||
сом накопления |
избыточных |
дырок *. |
|
|
Промежуток |
времени от момента U |
до момента t2 |
зависит от |
* Концентрация дырок в базе резко возрастает, а концентрация электронов практически остается прежней.
308
ширины базы и подвижности инжектированных дырок. Он назы вается временем прохождения базы или временем запаздывания сигнала. У сплавных транзисторов это время получается порядка сотых долей микросекунды (десятки наносекунд). Для уменьше ния времени запаздывания сигнала необходимо применять тран зисторы с возможно меньшей шириной базы.
В момент /2 инжектированные дырки начинают подходить к коллекторному переходу и перебрасываться его электрическим по
лем в |
область коллектора. |
Поэтому ток iK |
постепенно возрастает, |
а ток |
/б в такой же степени |
уменьшается. |
Закон плавного измене |
ния этих токов похож на экспоненциальный. Объясняется это тем,
что |
инжектированные дырки движутся сквозь базу |
сплавного |
|||
транзистора по |
законам |
диффузии. |
Следовательно, их |
скорости |
|
и пути различны. В соответствии с изменениями тока iK |
происхо |
||||
дит изменение напряжения на коллекторе. |
|
||||
В момент 4 переходный процесс в транзисторе заканчивается. |
|||||
Токи |
коллектора |
и базы |
становятся |
постоянными. При |
этом ток |
базы может быть заметно больше тока /б.п- Объясняется это по вышенным уровнем инжекции.
В .момент t4 входное напряжение исчезает и процесс инжек ции прекращается. Ток эмиттера мгновенно спадает до исходного значения. На такую же величину скачком изменяется ток базы. Его направление становится противоположным. Ток коллектора и почти равный ему ток базы остаются неизменными до тех пор, пока происходит процесс ухода основного количества неравновес ных носителей заряда из базы. При этом дырки уходят в коллек тор, а электроны — через вывод базы. Упрощенно этот процесс называют рассасыванием избыточных дырок.
Продолжительность данного процесса может быть весьма раз личной. Это зависит от типа транзистора и режима работы вход ной цепи усилителя. В большинстве случаев время рассасывания заметно превышает время запаздывания сигнала. Следствием этого является увеличение длительности выходных импульсов по
сравнению с |
входными. |
В момент |
ts начинается быстрое уменьшение оставшихся в базе |
неравновесных носителей зарядов и оба тока одновременно умень шаются.
Напряжение на коллекторе возрастает, приближаясь к напря
жению |
£ к . |
В момент t$ ток базы меняет свое направление. Он снова вы |
|
текает |
из транзистора. С момента t7 все токи транзистора практи |
чески |
постоянны. |
Из приведенного качественного объяснения физических про цессов, происходящих в импульсном усилителе, видно, что при его количественном анализе необходимо учитывать эффект накоп ления и рассасывания неравновесных носителей зарядов в базе транзистора. Экспоненциальный характер этих процессов учиты вается на эквивалентной схеме усилителя емкостями эмиттерного и коллекторного переходов.
309