Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Левичев В.Г. Радиопередающие и радиоприемные устройства [учеб. пособие]

.pdf
Скачиваний:
31
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
19.21 Mб
Скачать

Из этой

формулы

видно, что всегда

Kc<\i,

но по мере

увеличе­

ния

Rg. коэффициент

усиления

каскада

приближается

к

коэффи­

циенту усиления лампы. Эта зависимость

показана

на рис. 2.25. На

графике

видно, что при увеличении

Я а

коэффициент усиления

кас­

«с

 

 

 

 

 

када сначала возрастет резко, а затем

 

 

 

 

 

плавно. Поэтому

в

усилителе

на

три­

И-

 

 

 

 

оде обычно

выбирают

 

 

 

 

0,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= (3-4-5)-/?,.

 

(2.60)

0,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

 

 

 

 

 

При

этом

коэффициент

 

усиления

 

 

 

 

 

 

 

 

0 1 Z 3 U - 5

6 7 8 9

WRG/RI

каскада

на

средних

частотах

полу­

Рис. 2.25.

Зависимость

коэф­

чается на

15—25%

меньше

 

коэффи­

циента

усиления

 

лампы.

Поскольку

фициента

усиления

резистор­

 

ного

каскада

от сопротивле­

у

триодов

|JL<100, то Кс бывает по-

 

ния анодной нагрузки

рядка

нескольких

десятков

(аоычно

 

 

 

 

 

 

/<с <80).

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Резисторный усилитель на пентоде

Схема резисторного каскада на пентоде показана на рис. 2.26. Она одинакова со схемой на триоде, поэтому и физические процес­ сы в обеих схемах аналогичны (рис. 2.27).

Рис. 2.26. Схема резисторного каскада на пентоде

Элементы цепи питания экранирующей сетки Rg2 и C g 2 выбира­ ются так, чтобы напряжение Ug2 было постоянно, а его величина составляла около половины напряжения £/а 0 . Поясним процессы в этой цени.

Постоянный ток экранирующей сетки

Ig2u проходит

от а че­

рез резистор

Rg2, участок лампы

экранирующая сетка — катод и

резистор RK.

Поэтому в схеме на

пентоде

напряжение

смещения

Eg — (7ао + 7g 2 o) - Як-

240

О б ы Ч Н О ТОК Ig20< (0,2-4-0,1) - /ао -

При показе цепи переменной составляющей тока экранирующей сетки данный участок лампы заменяют эквивалентным генерато­ ром. В положительный полупериод входного напряжения перемен­ ный ток +lg2~ выходит из катода, проходит через конденсатор Сн , конденсатор Cg2 и входит в лампу через вывод экранирующей сет­ ки. В это время ток ig2>Ig2o- В отрицательный полупериод вход­ ного напряжения переменный ток — / g 2 ~ начинает свой путь от экранирующей сетки, затем проходит через конденсаторы Cg2 и Ск . Он входит в лампу через вывод катода. В это время ток ig2<.Ig2o-

Рис. 2.27. Графики физических

процессов, происходящих в резисторном усили­

тельном каскаде на пентоде, при усилении

напряжения средней

частоты. В дан­

ном примере Еа = 250 в; Eg =

—2 в; Ug2

= 150 в; Um в х = 1 в;

Um в ы х = 57«',

Из сказанного следует, что метод показа цепей прохождения переменных токов экранирующей сетки и анода одинаков. Он основан на формальной замене соответствующего участка лампы эквивалентным генератором. Амплитуда переменного тока экрани­

рующей СеТКИ / , n g 2 < / m a .

Конденсатор Cg2 выбирается так, чтобы его сопротивление на средних частотах было значительно меньше сопротивления Rg2. Обычно /?g2 = 0,02-И Мом, a Cg2 = 0,05-=-0,25 мкф.

Сопротивление анодного резистора R& в усилителе на пентоде сильно зависит от требуемой полосы пропускания. При усилении колебаний звуковой частоты выбирают # а = Ю0-г-300 ком. В усили­

теле с широкой полосой пропускания # а

= 1-5-10 ком. В любом

слу­

чае Ra<€^Ri,

так как обычно #{ = 0,5н-1

Мом.

Следовательно,

на

средних частотах / С с ^ ' р -

Несмотря

на это

удается

получить

Кц = 200-v- 300,

так как р. у

пентодов измеряется

тысячами

единиц.

241

В большинстве усилителей на пентоде допустимо

считать Sd~S

и поэтому

 

/Се « $ • / ? , .

(2.61)

Частотные свойства усилителя на пентоде не отличаются от свойств триодного каскада. Поэтому все формулы, приведенные выше, остаются верными, за исключением уравнения (2.60).

4. Входное сопротивление усилителя с общим катодом

Входное сопротивление усилительного каскада на пентоде можно представить в виде входной емкости С в х активного сопротивления /?DX, соединенных параллельно

триоде или и входного (рис. 2.28).

Рис. 2.28. Схема входа уси-

Рис.

2.29.

Векторная

 

лителя

 

диаграмма

токов и

 

 

 

напряжений в

усили­

 

 

 

теле

на низких

ча­

 

 

 

 

стотах

 

 

 

Входная емкость усилителя зависит от междуэлектродных

емко­

стей лампы и коэффициента

усиления каскада

по

напряжению.

Ее желательно иметь как можно меньше.

 

 

 

 

 

Входное активное сопротивление зависит

от способа

включения

лампы, режима ее работы и

от

частоты усиливаемых

колебаний.

Его желательно иметь как можно больше.

 

 

 

 

 

Формула для входной емкости усилителя выводится просто и

оказывается верной в широком

диапазоне

частот.

Формулу

для

активного входного сопротивления вывести труднее, а ее точность не является высокой.

Рассмотрим входное сопротивление резисторного усилителя на триоде (рис. 2.17) при условии, что на его вход подается синусо­ идальное напряжение низкой частоты. Будем также считать, что амплитуда входного напряжения £ / т в х меньше постоянного напря­ жения смещения Ее. В этом случае напряжение на сетке лампы

всегда отрицательное и попадания электронов

на сетку лампы не

происходит.

Несмотря на это, в сеточной цепи

проходит

перемен­

ный ток / в х .

Он обусловлен наличием в лампе

междуэлектродных

емкостей

CgK

и Cag, к которым приложены, переменные

напряже­

ния UgK и

Uag.

 

 

242

Из схемы видно, что

4 = /** + /.,•

(2.62)'

Следовательно, для определения тока, протекающего через источник входного сигнала, надо найти токи IGK и IAG. Это можно сделать с помощью векторной диаграммы переменных токов и на­ пряжений, действующих в усилителе (рис. 2.29).

Под воздействием переменного напряжения UgK, равного вход­ ному напряжению UBX, через емкость CgK проходит ток

Ток.IgK по фазе опережает напряжение UgK на 90°. Под воздей­ ствием напряжения UgK в анодной цепи возникает переменный ток / а _ ,по фазе совпадающий с этим напряжением.

где Sd — крутизна

рабочего участка СДХ.

 

 

Ток /а__ создает

на сопротивлении Ra переменное напряжение

URa

= /а_ -Ra = Sd-Ra-UByi

=

K-UBX,

которое по фазе совпадает с током Переменное напряжение на аноде лампы находится в противо-

фазе с напряжением

URA

и равно

ему по величине. Это можно за­

писать так: £/В ых =

K - U b x -

 

 

 

 

 

 

К емкости

Cag

приложено переменное

напряжение

 

V4

= L7BX + URi

= Z7BX + (-с7в ы х ) = UBX (1 + К ) .

 

Под действием

напряжения

Uag

через

емкость

Cag

идет

ток

 

 

=

Uag • wCas

= UBX (1 +

К) <оС.,.

 

 

Ток I A G по

фазе

опережает

напряжение UAG

на

90° и

поэтому

совпадает по фазе с током

IGK.

 

 

 

 

 

 

Из векторной диаграммы видно, что ток 1Вх опережает по фазе напряжение UBX точно на 90°. Следовательно, входное сопротивле­ ние лампы на низких частотах может быть представлено только

входной емкостью, так как RBX=°°-

Такая схема входа усилителя

изображена на рис. 2.11, а.

 

Тогда можно записать, что

 

£^вх

^

у вх

ш ( ^вх

откуда

4 х = ^ в х - ш С в х .

Подставив найденные токи в исходное уравнение (2.62), полу­ чим формулу для входной емкости усилителя с общим катодом в следующем виде;

С „ = С ^ + С а , ( 1 + / С ) .

(2.63)

243

Обычно у триодов £ 5

к = 2н-10 пф,

G\g = 3-M5 пф,

а /С = 10н-50.

Поэтому входная емкость

усилителя

на триоде может достигать

сотен пикофарад.

 

 

 

 

 

 

Если усилительной лампой является пентод

(рис. 2.26), то

емкость C a g l очень мала

и произведение Cagi(\+K)

можно не учи­

тывать. Однако теперь

к емкости

CgiK

добавляется

параллельно

включенная емкость Cg\go

и формула

для входной

емкости усили­

теля на пентоде получает следующий вид:

 

 

C B X & C g l K

+ C g l l f t .

 

(2.64)

Емкость Cgi82 у пентодов равна единицам пикофарад. Приведенные выше рассуждения и формулы справедливы до

частот в несколько десятков мегагерц при чисто активной нагрузке лампы.

Бесконечно большая величина активного входного сопротивле­ ния усилителя означает, что в сеточной цепи лампы не расходует­ ся энергия источника входного сигнала.

5. Резисторный усилитель на транзисторе

а) Ф и з и ч е с к и е п р о ц е с с ы в т р а н з и с т о р н о м к а с к а д е

Транзисторные усилительные каскады с резисторной нагрузкой весьма разнообразны. Они могут выполняться на транзисторах р-п-р или п-р-п. Применяют включение транзистора с общим эмит-

Рис. 2.30. Схема резисторного каскада на транзисторе с общим эмиттером (с фиксированным током смещения)

тером, общей базой и общим коллектором. Физические процессы во всех каскадах аналогичны. Поэтому рассмотрим их на примере наиболее распространенного усилителя (рис. 2.30). Это каскад с общим эмиттером.

В схему усилителя входят: транзистор типа р-п-р; коллекторный

244

резистор

RK

(коллекторная нагрузка по постоянному току);

рези­

стор смещения Re] переходная цепь CuRn,

разделительный

конден­

сатор Ср

и источник коллекторного ' питания с постоянным

напря­

жением

Ек.

Обычно £,< = 5-f-30 в,

RK=[-i-\0

ком,

= 50-н250

ком,

Янс = 0,5 ч- 5 ком, С п = 2-^-20 мкф,

С Р ~ С П .

 

 

 

 

Для упрощения дальнейших рассуждений будем считать, что RiC^-Rk- Предположим также, что к выходным зажимам каскада внешняя нагрузка не подключена. Принятые допущения означают, что первоначально будет рассматриваться усилительный каскад, в котором нагрузка транзистора для постоянного и переменного тока коллектора считается одинаковой.

Транзистор, включенный последовательно с резистором RK, вы­ полняет роль управляемого сопротивления. Благодаря нагрузочно­ му 'резистору RK он работает в динамическом режиме. Это означает, что изменения коллекторного тока сопровождаются изменениями коллекторного напряжения. Одновременно с увеличением тока 1К происходит уменьшение напряжения ик, и наоборот.

Взаимную связь между током и напряжением коллектора мож­ но определять по нагрузочной прямой (Н. П.). Ее уравнение эле­ ментарно

uK = EK — i,rRK.

(2.65)

Для рассматриваемой схемы нагрузочную прямую можно назы­

вать коллекторной динамической характеристикой

(КДХ). Она пе­

ресекает семейство коллекторных статических

характеристик

(КСХ). Каждая из статических характеристик соответствует опре­

деленному напряжению на базе (КСХН ) или определенному

току

базы (КСХТ ). На рис. 2.31 используется семейство

КСХТ .

 

Обычно для построения КДХ находят две точки. Точка нулево­

го тока ( i K = 0)

соответствует напряжению

ик = Ек.

Точка нулевого

 

 

 

Е

 

 

напряжения

к

= 0) соответствует току iK

— ~^~-

Эти точки

тео-

ретические, на практике их получить нельзя.

 

 

Базовую

динамическую характеристику

(БДХ) строить сложнее.

Для этого надо иметь семейство базовых статических характери­ стик (БСХ). Но в справочниках они обычно отсутствуют. Объяс­ няется это тем, что отдельные БСХ проходят очень близко друг к другу. Поэтому часто вместо БДХ приходится пользоваться такой

БСХ, которая снята при коллекторном напряжении uK=UK0.

Обо­

значение U1<0 соответствует понятию «постоянная составляющая

коллекторного напряжения». Узнать величину UKQ

в рассматривае­

мой схеме просто.

Для этого надо определить

постоянный

ток

базы /боЕго можно называть током смещения.

Ток

/бо проходит

от

+ ЕК (корпус) через

эмиттерный переход, объемное

сопротивле­

ние

базы, резистор

Re

и на —Ек . Поскольку сопротивление Re ве­

лико, то с достаточной

точностью

 

 

 

 

 

 

Л » « 4 [ .

 

(2.66)

245

Затем находится

точка

исходного

режима

(ТИР)

на

КДХ.

С определением этой

точки

становятся

известны

величины

/к о и

(У„о. Ток / к 0 представляет

собой постоянную составляющую

коллек­

торного тока. Нельзя

его

путать

с тепловым

(обратным)

током

коллектора, который

будем

обозначать

/ К о .

 

 

 

 

Ток /к о проходит от + ЕК

через

транзистор,

сопротивление

RK и

на —Ек . Его наличие обусловлено процессом инжекции дырок в базу. Инжекция происходит потому, что на эмиттерном переходе транзистора действует прямое напряжение смещения. Оно пред­ ставляет собой постоянную составляющую напряжения базы. По­ этому на многих графиках напряжение смещения обозначено £/боНа схемах транзисторных каскадов напряжение смещения целесо­ образнее' обозначать Еб.

Наличие начальной инжекции обеспечивает возможность усиле­ ния двусторонних сигналов. К такому их виду относится и синусо­

идальный испытательный сигнал,

показанный

на рис. 2.31.

С

мо­

мента t[ он

изменяет

прямое напряжение на

эмиттерном переходе

и уровень

инжекции

изменяется.

Коллекторный

ток

становится

пульсирующим. Одновременно пульсирует и ток базы.

 

 

 

Коллекторное напряжение изменяется в противофазе с коллек­

торным током. При помощи переходной цепи

CnRn

осуществляется

выделение

переменной

составляющей коллекторного

напряжения.

Заметим, что в усилителе на транзисторе с общим

эмиттером

вы­

ходное напряжение противофаэно с входным.

 

 

 

 

 

Для показа цепей

переменных

токов базы

и коллектора

руко­

водствуются следующим принципом. Если мгновенные значения тока электрода транзистора превышают его среднее значение, то в это время переменный ток проходит в одном направлении с посто­ янным током. Если же мгновенные значения тока электрода оказы­ ваются меньше его среднего значения, то в это время переменный ток проходит навстречу постоянному току. Заметим еще, что вход­ ной переменный ток проходит под воздействием реального источ­ ника входного сигнала, а выходной переменный ток проходит под воздействием ЭДС условного эквивалентного генератора.

На рис. 2.30 показаны направления переменных токов базы и коллектора для обоих полупериодов входного напряжения. Показ сделан в тех точках схемы, где проходят только эти токи. Очевид­ но, что переменный ток эмиттера равен сумме переменных токов базы и коллектора.

Напомним, что мы рассматривали

усилитель, в котором

Rn^>RK,

т. е. каскад

считался обособленным.

На практике такой

случай

встречается

редко.

 

 

б) В з а и м н а я с в я з ь

т р а н з и с т о р н ы х

 

ка с к а д о в

Всхеме приемника работа транзисторного каскада всегда за­ висит от параметров его смежных каскадов. Наиболее заметно влияние входного сопротивления последующего каскада. Оно при-

247

водит к тому, что нагрузка предыдущего транзистора по перемен­ ному току коллектора отличается от нагрузки по постоянному току.

Для уяснения этого обстоятельства рассмотрим схему, изобра­ женную на рис. 2.32.

В этой схеме переменный коллекторный ток транзистора Т\ про­ ходит по двум основным цепям. Они образованы параллельным со­

единением резистора

RKi и входного сопротивления следующего

каскада RRX2- Резистор

R&2 также входит в нагрузку транзистора Tlt

но его сопротивление обычно велико. Поэтому с достаточной точ­

ностью можно

сказать, что через Res проходит только постоянный

ток смещения

/бог-

Рис. 2.32. Рези торно-емкостная связь смежных транзисторных каскадов

Таким образом, сопротивление нагрузки транзистора Т\ по пе­ ременному коллекторному току

л ' '

 

( 2 - 6 7 )

Л К 1 т л

в х 2

 

 

 

Или более точно:

 

 

 

 

Именно это нагрузочное сопротивление

определяет

усилитель­

ные свойства каскада на транзисторе

Т\,

а

не резистор

RK\.

Рассмотрим физические процессы, происходящие в первом кас­ каде усилителя с учетом влияния на них второго каскада. Они всегда рассматриваются в области средних частот усилителя. По­ этому входное сопротивление второго каскада считается активным. Усиливаемый сигнал полагаем синусоидальным.

Ввиду заметного различия в сопротивлениях нагрузки для по­ стоянного и переменного тока приходится строить две коллектор­ ные динамические характеристики (рис. 2.33). Одна из них строит­ ся прежним способом и называется в дальнейшем нагрузочной пря­ мой (НИ). Нагрузочная прямая необходима только для рлределе-

248

Рис. 2.33.

Процесс усиления синусоидального сигнала в резисторном усилителе

на

транзисторе р— п — р с учетом влияния следующего каскада

ю

( о

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ