Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ицхоки Я.С. Импульсные и цифровые устройства [учебник]

.pdf
Скачиваний:
100
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.98 Mб
Скачать

M. M. Айзинова [201, О. H. Литвиненко 141], П. H. Матханова [92] и др., а также интересные работы американского исследователя Е. А. Гиллемина [931. С результатами ука­ занных исследований можно ознакомиться в книгах [9, 15, 41].

12. Наиболее широко применяется метод синтеза кор­ ректированного двухполюсника, разработанный Ф. В. Лу­ киным. Форма получаемых при этом импульсов изображена на рис. 21, где указаны также параметры соответствующих формирующих двухполюсников 2-го вида. В зависимости от требуемой длительности фронта следует применить двух­

полюсник с числом пар реактивных

элементов s

== 3 (при

іфНа

s 0,12), s = 4 (при іфЯа

0,08)

и s = 5 (при /<//„ s*

^

0,05). Двухполюсники с числом реактивных

элементов

2s >

10 — на практике почти не применяются.

 

§

7.5. СХЕМЫ

ВКЛЮЧЕНИЯ

ФОРМИРУЮЩИХ

ЦЕПЕЙ

 

1.

Блок-схема.

Для технической

реализации свойств

формирующего двухполюсника следует, вообще говоря,

производить двойную коммутацию двухполюсника

(рис. 1).

 

е

&

Но ее можно упростить при работе по

7

_1_

блок-схеме, показанной

на

 

рис. 22,

Токоограни-

 

которая

применима

при условии, что

чивающий.

 

длительность

Г в стадии

запасания

элемент

 

энергии

в двухполюснике

(называе­

 

 

 

 

 

Форми-

мой зарядной

стадией

или

стадией

6Кл

о-

двухпо-

восстановления)

значительно превосхо­

дит длительность Тѵ

рабочей

(разряд­

fРис.

l

люсник

ной) стадии. Условие Тп >

 

Г р

обыч­

 

 

 

 

 

но выполняется.

 

 

 

 

 

22.

 

Благодаря

применению

 

в

схеме

 

 

 

токоограничивающего

элемента

нет

 

 

 

нужды производить коммутацию

под­

ключения двухполюсника к источнику питания е0

и можно

ограничиться применением только одного коммутирующего прибора Кл для подключения нагрузочного элемента R H K двухполюснику. В зарядной стадии (при разомкнутом ключе Кл) производится запасание энергии в двухполюснике, пос­ ле чего он через посредство ключа приключается к нагруз­ ке, и начинается разрядная стадия работы двухполюсника.

Правда, при этом через

ключ протекает не только

разряд­

ный ток двухполюсника,

но также и ток і0 источника. Од­

нако при наличии токоограничивающего элемента

ток і0

140

 

 

настолько мал, что он не влияет на процессы в разрядной стадии и не приводит к существенному расходу энергии источника питания, так как Тр < Тв. После окончания разрядной стадии ключ Кл размыкается и начинается за­ рядная стадия работы двухполюсника.

В качестве токоограничивающего элемента обычно при­ меняется либо резистор достаточно большого сопротивле­ ния R3ap, либо катушка достаточно большой индуктивности La a p. В качестве коммутирующего прибора чаще всего ис­ пользуется тиратрон или тиристор [94, 133—134], которые автоматически разрывают разрядную цепь двухполюсника после истощения запасов энергии в нем. В импульсных моду­ ляторных устройствах большой мощности, где также при­ меняются формирующие двухполюсники, роль коммути­

рующего прибора иногда

выполняет нелинейная индуктив­

ность в виде катушки с

ферромагнитным сердечником, ко­

торый при протекании через катушку разрядного тока двух­ полюсника приходит в состояние магнитного насыщения. При насыщенном сердечнике индуктивная катушка почти не препятствует протеканию через нее тока (падение напряже­ ния на ней относительно очень мало), и она как бы выпол­ няет роль короткозамыкающего ключа. Нелинейная индук­ тивность лежит в основе действия магнитных генераторов импульсов [3, 5, 95, 96]. В качестве источника питания чаще всего применяется источник постоянного напряжения е0 =

— Е0 = const; в импульсных модуляторах используются также источники синусоидального напряжения.

2. Схема с активным токоограничивающим элементом изображена на рис. 23. Здесь роль токоограничивающего

элемента выполняет резистор сопротивлением

R3ap

^> RH,

роль • коммутирующего

прибора — тиратрон,

а в качестве

формирующего

двухполюсника

используется

трехзвенная

искусственная

линия

с дополнительной индуктивностью

L 4 (обычно ЬД

= L„).

Питание

схемы производится

от ис­

точника постоянного напряжения Е0. Процессы в схеме ил­ люстрируются представленными на рис . 24 временными диа­ граммами.

В зарядной стадии, когда тиратрон заперт смещающим напряжением — Ес в цепи сетки тиратрона, осуществляется

заряд

конденсаторов

С я двухполюсника от

источника Е0

через

резистор R3ap

и нагрузочный элемент

RB. Процесс

заряда конденсаторов протекает относительно столь мед­ ленно, что влиянием на него индуктивностей искусственной линии можно пренебречь (все индуктивности можно замеHI

нить короткозамкпутым элементом). Это позволяет заменить

все конденсаторы одной емкостью С0

sC„

рассматри­

ваемой

схеме s — 3).

Соответственно

можно

полагать,

что

напряжение

и на всех

конденсаторах

С я (практически рав­

ное напряжению ип

на входе искусственной линии) нарастает

по экспоненциальному

закону

гг =£'0 (1 — е~~і/ѳв)

(рис. 24 б);

здесь принято, что в момент t

= 0 напряжение

на

конден­

саторах

«(0) =0,

а

постоянная времени

0П

=

(Язар

+

+ Rb)C0

=

Rsa-pC0.

Как показывает анализ [3], наиболь­

 

 

 

 

шая стабильность

работы схемы

 

 

 

 

и вместе с тем наивысший к. п. д.

 

 

 

 

запасания

энергии в двухполюс-

 

Рис. 23.

 

 

Рис. 24.

 

нике

(он не превышает

50%)

достигаются

при

условии,

что к концу зарядной стадии

напряжение

на конденсато­

рах линии и(Гаар) = £ s

£„.

Для этого должно

выпол­

няться

соотношение

(рис.

24)

 

 

 

 

30в -

З Я з а р

С0 <

Г п - Г р ~ Г п .

(7.32)

Окончание зарядной стадии фиксируется подачей на сет­ ку тиратрона запускающего импульса ы3 (рис. 24, а), вы­ зывающего зажигание тиратрона. В этот момент начина­

ется разрядная (рабочая) стадия формирующего

двух­

полюсника,

в течение которой на нагрузочном сопротивле-

* нии формируется импульс напряжения uR(t)

отрицательной

полярности

(рис. 24, в); его длительность

ta ^ Г р

выра­

жается формулой (16). Из-за падения напряжения (Ут на ти­ ратроне высота формируемого импульса Un несколько ни­ же значения 0,5£ — ÙB + Uj. Обычно Uj < Un, но, по­ скольку тиратрон все же оказывает некоторое сопротивле­ ние протеканию через него тока, то характеристическое 142

сопротивление

двухполюсника

должно

быть

согласовано

с суммой сопротивлений Rn + Rï

= R.

 

 

 

В течение разрядной стадии

напряжение па входе двух-

. полюсиика

ип

s Е/2 (рис. 24, б). В завершающей части

разрядной стадии напряжение ид

снижается почти до нуля,

что вызывает

гашение тиратрона

при условии,

что ток

іа,

протекающий

через

сопротивление

Я 3 а Р » не в

состоянии

поддержать

ионизационный процесс

в тиратроне [94, 121,

122]. Для этого должно выполняться

неравенство'/0

=

E0/Rsav

<

/ г а ш ,

где / г а ш ток

гашения

тиратрона.

Это требование при недостаточно высокой скважности Qc = = TJTV может сделать невозможным выполнение соот­ ношения (32). В таких случаях (особенно в устройствах большой мощности) целесообразно применять индуктивный токоограничивающий элемент.

3.

Схема с индуктивным

токоограничивающий

элементом

изо­

бражена

на рис. 25. В качестве такого элемента используется

ка­

тушка

с

ферромагнитным

сердечником,

обладающая

значитель­

ной индуктивностью Lgap порядка 1 Г.

Роль

коммутирующего

прибора

в данной схеме выполняет р-п-р-п

тиристор Т

[97, 98,

121,

122, 133—134]. Тиристор способен коммутировать токи большой силы (единицы и десятки ампер), но сравнительно невысокие на­ пряжения (десятки и сотни вольт). Поэтому часто формирующий импульс подается на нагрузочный элемент Rn через повышающий импульсный трансформатор ИТ. В качестве формирующей цепи здесь применен реактивный двухполюсник 2-го вида (С0 — конден­ сатор, запасающий энергию). Питание схемы производится от ис­ точника постоянного напряжения Е0, и в этом случае последова­ тельно с индуктивностью L B a p включается фиксирующий диод Д. Данная схема сложнее, чем представленная на рис. 23, но она ра-

143

ботает более стабильно и обладает повышенном надежностью (нз-за использования тиристора вместо тиратрона); кроме того, потери энергии в токоограничивающем элементе и в коммутирующем при­ боре здесь получаются значительно меньшими [3).

Временные диаграммы процессов в схеме изображены на рис. 26. В зарядной стадии при практически непроводящем тири­

сторе

конденсатор С0

заряжается

от источника Еа через

индуктив­

ность

L 3 a p , диод Д

и первичную

обмотку ИТ ( L t <

LBup).

В этой

 

 

сравнительно медленно протекающей

 

 

стадии

работы

схемы

весьма

малые

 

 

индуктивности

L x , L 2

и

L 3

можно

 

 

заменить короткозамкнутыми элемен­

 

 

тами («л = ив).

Эквивалентная

схема

 

 

заряда конденсатора С0 изображена

 

 

на

рис.

27. Здесь R0 — эквивалент­

 

 

ное

активное

сопротивление

цепи

 

Рис. 27.

заряда

конденсатора;

оно опреде­

 

 

ляется в основном омическим

сопро­

тивлением обмотки индуктивной катушки и прямым сопротивле­

нием диода Д.

Собственная

частота

колебаний

зарядной цепи ш0

и ее добротность Q выражаются соответственно

равенствами

 

œ0

1

1

w0

Uзар

(7.33)

=

зар ь о

Q =

 

 

 

 

 

 

Обычно добротность Q > 1, н в этом случае заряд конденсатора происходит по колебательному закону

 

 

 

 

1 - е

20

 

0

 

1

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

•cos ш

 

/ + 2<2 • sin

І

(7.34)

где

принято (см. рис. 26, б), что в начальный момент t = 0

напря­

жение

и0 (0) =

0.

Зарядный

ток также

изменяется

по колебатель­

ному

закону і0

=

/ 0 m e _ u , " ' / , < 2

< ? ) sin ш0<

(см

рис. 26, s); в момент

t =

л/сй0 ток і0

=

0, после чего он должен был бы стать отрицатель­

ным,

 

что привело бы к уменьшению

зарядного

напряжения

и0

после

достижения значения

 

0 )тах- Д л я

предотвращения

этого

установлен диод Д, не допускающий

протекания тока

і0 <

0.

Таким образом,

напряжение

 

« л = " о

 

 

после

достижения в

момент

/ =л/(о0

максимального

значения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( « o W ^ £ o U + e - " / < 2 ( 2 > )

= £

 

(7.35)

сохраняется неизменным до отпирания тиристора Т. При Q > 10 зарядное напряжение Е близко к 2 £ 0 . Для обеспечения таких благоприятных условий работы зарядной цепи индуктивность L 8 a p выбирается из условия, чтобы полупериод собственных колебаний зарядной цепи удовлетворял с небольшим запасом неравенству

Тп

я

 

,—

 

- f

= —

^

nVL зар

(7.36)

2

0

 

 

 

здесь Тп — период

повторения

запускающих

импульсов тока іа

(см. рис. 26, а), подаваемых

на вход тиристора

Т и вызывающих его

отпирание.

144

После отпирания

тиристора

его сопротивление RT

— RT+ рез­

ко падает и начинается

разрядная (рабочая) стадия формирующего

двухполюсника. В течение этой

стадии длительностью

Тѵ на пер­

вичной обмотке трансформатора возникает импульс напряжения отрицательной полярности (см, рис. 26, г) высотой UK' = Е/2 — £/т, где UT < ІІц' —• падение напряжения на тиристоре в отпертом состоянии. Здесь предполагается, что эквивалентное волновое сопротивление W формирующего двухполюсника согласовано с сопротивлением RU' + R t = R, где RB' = RB/n? — входное соп­ ротивление трансформатора

Включение тиристора происходит с некоторой задержкой T m i l относительно начала действия запускающего импульса тока і3 (см. рис. 26, а, б). Длительность Т в к п определяется временем на­ копления в базовой области тиристора заряда, достаточного для лавинообразного нарастания тока в тиристоре, и временем установ­ ления высокой проводимости тиристора [134]. Согласно экспери­ ментальным данным скорость нарастания прямого тока тиристоров

средней

мощности типа

Д238,

УД63,

УД64

составляет

около

100 А/мкс [134].

 

 

 

 

 

 

Выключение тиристора также требует определенного времени.

Приводимое в паспортных

данных время выключения ТВШ!Л

ти­

ристора

состоит из двух

интервалов: времени спада Гсп. в течение

которого

прямой ток тиристора

уменьшается до 10% от рабочего

значения, и времени Т?,

нужного для восстановления высокого

сопротивления тиристора.

Для указанных выше

тиристоров

Тт s

=S 1 мкс. Для обеспечения

нормального

протекания процесса вос­

становления высокого сопротивления тиристора после окончания рабочей стадии необходимо ограничить скорость нарастания на­ пряжения на тиристоре на начальном этапе зарядной стадии (в за­ рядной стадии напряжение на тиристоре и7 = ип = и0). При применении индуктивного токоограничивающего элемента такое

ограничение обычно

обеспечивается, если скважность Тпр

более

нескольких сотен. В противном случае целесообразно

допускать не­

которое рассогласование сопротивлений

нагрузки и формирующего

двухполюсника (R < W). Тогда

в конце разрядной

стадии

проис­

ходит перезаряд емкости С0, и под воздействием небольшого

обрат­

ного

напряжения,

возникающего на

тиристоре

т = и0

< 0),

его

электрическая

прочность

быстро

восстанавливается.

 

*> Некоторое влияние на процесс формирования импульса ока­ зывает индуктивность намагничивания трансформатора (см. § 7.2, Л . 10).

Р А З Д Е Л Т Р Е Т И Й

Э Л Е К Т Р О Н Н Ы Е КЛЮЧИ И Н Е Л И Н Е Й Н Ы Е УСТРОЙСТВА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ФОРМЫ СИГНАЛОВ

Формирование пмпульсов напряжения иногда производится путем нелинейного преобразования синусоидального напряжения. Нелинейное преобразование сигналов применяется также для из­ менения формы импульсов и их уровня (постоянной составляющей). При таких преобразованиях наряду с нелинейной операцией, ле­ жащей в основе преобразования, часто производятся и линейные операции, играющие определенную роль в получении сигналов нуж­ ной формы.

К нелинейным преобразующим устройствам, нашедшим широ­

кое

применение,

относятся

рассматриваемые

в

данном

разделе

амплитудные

ограничители,

пик-трансформаторы

и фиксаторы

уровня. В этих и во многих других импульсных

устройствах

приме­

няются нелинейные устройства, называемые электронными

клю­

чами.

Они

также

рассматриваются в настоящем

разделе.

 

ГЛ А В А В О С Ь М А Я

ЭЛ Е К Т Р О Н Н ЫЕ КЛЮЧИ

§8.1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.Одна из наиболее часто производимых в импульсной

технике операций заключается в коммутации (включении и выключении) тех или иных электрических цепей. Эта опе­ рация осуществляется бесконтактным способом посредст­ вом нелинейных электронных устройств, работающих в ключевом режиме, называемых электронными ключами (ЭК). Одно из .применений ЭК рассматривалось в § 7.5.

Основу ЭК составляет используемый в нем нелинейный элемент или прибор (диод, триод и др.). ЭК содержит и дру­ гие элементы (резисторы, конденсаторы и др.), а также ис­ точники напряжений (питающих и смещающих). Но в целом

ЭК можно рассматривать как нелинейный четырехполюсник (рис. 1), на входе которого действует напряжение ивх, уп­ равляющее работой ЭК**. Это напряжение создается сово­ купным действием источника смещающего напряжения, входящего в состав ЭК, и внешнего источника запускающих сигналов, обладающего э. д. с. е3 — e3(t) и внутренним сопро­ тивлением Яд**). Первый из упомянутых источников слу­ жит для установки нужного режима работы ЭК, а второй—

для

управления

работой

 

ЭК-

Четырехполюсник

 

обладает

тем

основным

свойством,

что

в зависимости

от

величины

 

 

 

 

 

 

^вых^(ивх)

I

I

Околопороговая

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭК . иь„„

 

 

 

 

I

 

область

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L

о-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ивх

относительно

некоторого

порогового

значения

UBX

п о р

выходное сопротивление

RBUX

четырехполюсника***) имеет

резко

различную

величину

(рис. 2):

либо

RBblx

 

=

Rtbu.

очень

мало (практически

 

единицы

и десятки

Ом),

либо

Япых

RThtx

достаточно

велико

(RBax

 

>

Rtm).

При

этом область значений ивх

 

в

которой величина

RBhtx

рез­

ко меняется, называемая

околопороговой

областью,

невели­

ка (обычно не более нескольких десятых долей 1В). Вне этой узкой области указанные значения RBUX практически не зависят] от ы в х . Таким образом, выходная цепь четырех­ полюсника обладает свойствами ключа, который замкнут

при RBUX = #в~ых и разомкнут при RBblx =#7ых. При подключении к выходу ЭК нагрузочного элемента (или

устройства) он в зависимости от величины ивх оказывается зашунтированным либо очень малым, либо весьма большим сопротивлением. В этом и заключается коммутация, про­ изводимая ЭК.

*> В некоторых случаях удобнее полагать, что управление ра­

ботой ЭК производится

не н а п р я ж е н и е

м, а током.

**) Реальная

схема

источника

е3 быв'ает более сложной, Но

она может быть сведена

к схеме,

показанной

на рис. 1.

***>. Здесь и

в дальнейшем

(при

отсутствии оговорок) имеется

в виду сопротивление постоянному

току.

 

147

2.Быстродействие ЭК- Переключение ЭК, т. е. его пере­ вод из разомкнутого состояния в замкнутое или наоборот,

происходит при изменении э. д. с. e3(t) источника запускаю­ щих сигналов, приводящем к надлежащему изменению входного напряжения ЭК (рис. 2)*). Переключение ЭК происходит быстро, но не мгновенно. Это обусловлено инер­ ционными свойствами ЭК и конечной скоростью изменения

э.д. с. e3(t). Длительность переключения ЭК определяет его быстродействие (чем меньше длителы.ость, тем выше быстродействие). При многих применениях требуется, что­ бы ЭК обладал высоким быстродействием.

3.Пороговым напряжением ЭК называется такое зна­

чение его входного напряжения ы в х = U a x n o p (рис. 2), в небольшой окрестности которого выходное сопротивление Явых ЭК резко меняется. Величина и полярность порого­ вого напряжения зависят от свойств нелинейного элемента, используемого в ЭК. Конкретное значение порогового напря­

жения связывается

с такой точкой характеристики

нели­

нейного элемента ЭК, которая является переломной

в отно­

шении фундаментального

свойства этого элемента,

важного

для его применения

в Ж-

Так, например, при использова­

нии в качестве нелинейного элемента ЭК полупроводники-*

вого диода за переломную точку его вольтамперной

харак­

теристики принимается точка, в которой напряжение на

диоде Ид =

0, так как при ыд > 0 возникает

инжекция

неосновных

носителей

тока

через

рл-переход

 

диода;

с этим явлением связано изменение проводимости диода,'

что и приводит к изменению выходного сопротивления

ЭК.

При таком подходе к определению порогового напряжения

ЭК

точка

£ / в х п о р

на

характеристике

Я в ы

х

=

/ д ( и в х )

(рис. 2) может оказаться

не в центре околопороговой облас­

ти. Это обстоятельство ввиду узости околопороговой облас­

ти не

имеет

особого

значения. Более существенно

то,

что

при таком подходе удается наиболее просто и с

наибольшей

*} В данной главе

рассматриваются только

ЭК

двухстороннего

' управления,

которые при

воздействии надлежащих

запускающих

сигналов могут переключаться в любом направлении.

 

Находят

применение и ЭК одностороннего

управления,

которые

могут

пере­

ключаться только в одном направлении — из разомкнутого • состоя­ ния в замкнутое; восстановление же разомкнутого состояния ЭК происходит в результате завершения процессов в нагрузочном эле­ менте, вызванных замыканием ЭК.. Рассмотренный в § 7.5 ЭК (на тиратроне) является типичным представителем ЭК односторон­ него управления.

148

определенностью выразить значение порогового напряжения ЭК.

4 . Чувствительность ЭК. Будем полагать, что источник еа имеет два стационарных уровня, которым соответствуют два стационарных состояния ЭК:

 

_ ІЕГ

при разомкнутом

ЭК (RBbzx

=

ЯвТіх),

 

(8.1)

 

( £ 3 +

при замкнутом ЭК ( Я в ы х

= #вых)-

 

 

 

 

 

 

 

Предположим, что все парамет-

Rebnt%(uB>,)

 

 

ры ЭК, а

также

напряжения

всех

~

Г

^ |

|

0 т

т щ р п о в т

еГО ИСТОЧНИКОВ фИКСИрОВаННЫ И Не-

 

1

Ѵ

\

'

область

изменны; неизменна также и харак-

/ ? в ы х -

р

 

 

лІ

теристика

Я в ы

х = /н("вх)

(рис. 3).

1

Ш

 

 

I

Пусть при этих условиях

напряжен

4

ZLP

 

ri

t

ния источников ЭК и стационарные

 

 

 

р

"х

I

уровни

Е^ и Ef

подобраны таким

 

 

Рис. з.

 

образом,

 

что

этим уровням

соот­

 

 

 

 

 

 

ветствуют

два

желательных в том или ином смысле уров­

ня

в х о д н о г о

напряжения (рис. 3):

 

 

 

 

 

 

и

 

[иг* при е3=ЕТ

( Я в ы х

=

Яйх), 1

{ 8 2 )

 

 

 

 

\и+

npue3

= E+(RBblx=R+x).

 

 

]

 

 

 

В рассматриваемых условиях переключение ЭК про­

исходит

при перепаде э. д. с. Ев, равном | El~ — Ef

|. Это­

му

соответствует

перепад

входного

напряжения |

i/tx\-

 

Зная

величины

сопротивления

Ra

(см.

рис. 1)

и входного сопротивления ЭК, можно по известному пере­ паду « в х определить перепад е3. Для получения минималь­ ного перепада | ЕГ Et | (что, вообще говоря, было бы же­ лательно), следовало бы выбрать такой режим работы ЭК, при котором стационарные уровни ІІ^ и t/вх расположены на характеристике ЭК (рис. 3) у самых границ околопоро­ говой области. Однако в реальных условиях это недости­ жимо как по причине нестабильности стационарных уровней ивх и е3, так и из-за требования предотвращения срабаты­ вания ЭК под воздействием помеховых импульсов.

Чувствительностью ЭК по запуску или, короче, чувстви­ тельностью ЭК называется его чувствительность к пере­ падам э. д. с. источника запускающих сигналов, приводя­ щим к переключению ЭКЧувствительность ЭК выра­ жается величиной I Е1~ Ef\ перепада э. д. с. источника

149

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ