Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Зайцев Ю.В. Переменные резисторы

.pdf
Скачиваний:
61
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.18 Mб
Скачать

 

 

 

 

Продолжение

k*

К

К'

К'/К

К/К'

(А)1

0,07

1,59942

2,74707

1,71754

0,58223

0,93

0,08

1,60371

2,68355

1,67334

0,59761

0,92

0,09

1,60805

2,62777

1,63414

0,61194

0,91

0,10

1,61244

2,57809

1,59887

0,62544

0,90

0,11

1,61689

2,53333

1,56680

0,63825

0,89

0,12

1,62139

2,49264

1,53734

0,65047

0,88

0,13

1,62595

2,45534

1,51009

0,66221

0,87

0,14

1,63058

2,42093

1,48471

0,67353

0,86

0,15

1,63526

2,38902

1,46094

0,68449

0,85

0,16

1,64000

2,35926

1,38258

0,69513

0,84

0,17

1,64481

2,33141

1,41744

0,70550

0,83

0,18

1,64968

2,30523

1,39738

0,71562

0,82

0,19

1,65462

2,28055

1,37829

0,72553

0,81

0,20

1,65962

2,25721

1,36007

0,73526

0,80

0,21

1,66470

2,23507

1,34262

0,74481

0,79

0,22

1,66985

2,21402

1,32588

0,75422

0,78

0,23

1,67507

2,19397

1,30978

0,76349

0,77

0,24

1,68037

2,17483

1,29425

0,77265

0,76

0,25

1,68575

2,15652

1,27926

0,78171

0,75

0,26

1,69121

2,13897

1,26476

0,79066

0,74

0,27

1,69675

2,12213

1,25070

0,79955

0,73

0,28

1,70237

2,10595

1,23707

0,80836

0,72

0,29

1,70809

2,09037

1,22381

0,81712

0,71

0,30

1,71389

2,07536

1,21091

0,82583

0,70

0,31

I ,71978

2,06088

1,19834

0,83449

0,69

0,32

1,72577

2,04689

1,18607

0,84312

0,68

0,33

1,73186

2,03336

1,17409

0,85172

0,67

0,34

1,73805

2,02028

1,16238

0,86030

0,66

0,35

1,74435

2,00760

1,15091

0,86887

0,65

0,36

1,75075

1,99530

1,13986

0,87744

0,64

0,37

1,75727

1,98337

1,12867

0,88600

0,63

0,38

1,76390

1,97178

1,11786

0,89457

0,62

0,39

1,77065

1,96052

1,10723

0,90315

0,61

0,40

1,77752

1,94957

1,09679

0,91175

0,60

0,41

1,78452

1,93891

1,08652

0,92037

0,59

0,42

1,79165

1,92853

1,07640

0,92903

0,58

0,43

1,79892

1,91841

1,06642

0,93771

0,57

0,44

1,80633

1,90855

1,05659

0,94644

0,56

0,45

1,81388

1,89892

1,04688

0,95522

0,55

0,46

1,82159

1,88953

1,03730

0,96404

0,54

0,47

1,82916

1,88036

1,02782

0,97293

0,53

0,48

1,83749

1,87140

1,01845

0,98188

0,52

0,49

1,84569

1,86264

1,00918

0,99090

0,51

0,50

1,85407

1,85407

1,00000

1,00000

0,50

344

 

 

 

 

Продолжение

k2

К

К'

КЧК

К/К'

 

 

Значения модуля, близкие к 0 и 1

 

0,000001

1,57080

8,29405

5,28016

0,18939

0,999999

0,000002

1,57080

7,94748

5,05952

0,19765

0,999998

0,000003

1,57080

7,74475

4,93046

0,20282

0,999997

0,000004

1,57080

7,60091

4,83888

0,20666

0,999996

0,000005

1,57080

7,48934

4,76786

0;20974

0,999995

0,000006

1,57080

7,39818

4,70982

0,21232

0,999994

0,000007

1,57080

7,32111

4,66075

0,21456

0,999993

0,000008

1,57080

7,25434

4,61825

0,21653

0,999992

0,000009

1,57080

7,19545

4,58076

0,21830

0,999991

0,000010

1,57080

7,14277

4,54722

0,21991

0,999990

0,000100

1,57083

5,99159

3,81427

0,26217

0,999900

0,000200

1,57087

5,64512

3,59362

0,27827

0,999800

0,000300

1,57091

5,44249

3,46454

0,28864

0,999700

0,000400

1,57095

5,29875

3,37295

0,29648

0,999600

0,000500

1,57099

5,18727

3,30191

0,30286

0,999500

0,000600

1,57103

5,09620

3,24385

0,30828

0,999400

0,000700

1,57107

5,01921

3,19477

0,31301

0,999300

0,000800

1,57111

4,95253

3,15225

0,31723

0,999200

0,000900

1,57115

4,89373

3,11474

0,32105

0,999100

0,001000

1,57119

4,84113

3,08118

0,32455

0,999000

0,001100

1,57123

4,79356

3,05084

0,32778

0,998900

0,001200

1,57127

4,75014

3,02312

0,33078

0,998800

0,001300

1,57131

4,71020

2,99763

0,33360

0,998700

0,001400

1,57135

4,67322

2,97402

0,33624

0,998600

0,001500

1,57139

4,63880

2,95205

0,33875

0,998500

0,001600

1,57142

4,60661

2,93149

0,34112

0,998400

0,001700

1,57146

4,57638

2,91217

0,34339

0,998300

0,001800

1,57150

4,54788

2,89396

0,34555

0,998200

0,001900

1,57154

4,52092

2,87674

0,34762

0,998100

0,002000

1,57158

4,49535

2,86040

0,34960

0,998000

0,002100

1,57162

4,47103

2,84485

0,35151

0,997900

0,002200

1,57166

4,44784

2,83002

0,35335

0,997800

0,002300

1,57171

4,42569

2,81586

0,35513

0,997700

0,002400

1,57174

4,40448

2,80231

0,35685

0,997600

0,002500

1,57178

4,38414

2,78929

0,35851

0,997500

0,002600

1,57182

4,36461

2,77679

0,36013

0,997400

0,002700

1,57186

4,34581

2,76476

0,36170

0,997300

0,002800

1,57190

4,32769

2,75317

0,36322

0,997200

0,002900

1,57194

4,31022

2,74198

0,36470

0,997100

0,003000

1,57198

4,29334

2,73117

0,36614

0,997000

22—978

 

 

 

 

345

^ 3. Р я д ы н ом и н альн ы х

 

со п р о ти влен и й

р е зи с то р о в

с д о п у ск а ем ы м и

о т к л о н ен и я м и

м ен ее

± 5 %

 

 

 

Индекс ряда Е192

Е96

Е48

Е192

Е96

Е48

Е192

Е96

Е48

Е192

Е96

Е48

Е192

Е96

Е48

О

о

о

Я

оз

о.

*

5

К

3*

8

О

2

ч

«0

Ш

X 2

ф

СО

*

о

2

3

X

а>

Я

Я

•е-

*©*

X

о

о

ч

Я

ГГ

100

100

100

162

 

162

162

261

261

261

422

422

422

681

681

681

101

 

 

164

 

 

 

264

 

 

427

 

 

690

 

 

102

102

 

165

 

165

 

267

267

 

432

432

 

698

698

 

104

 

 

167

 

 

 

271

 

 

437

 

 

706

 

 

105

105

105

169

 

169

169

274

274

274

442

442

442

715

715

715

106

 

 

172

 

 

 

277

 

 

448

 

 

723

 

 

107

107

 

174

 

174

 

280

2 8 0 '

 

453

453

 

732

732

 

109

 

 

176

,

 

 

284

 

 

459

 

 

741

 

 

ПО

 

ПО

178

 

287

 

287

464

464

464

750

750

750

110

178

 

178

287

111

 

 

180

 

 

 

291

 

 

470

 

 

759

 

 

113

113

 

182

 

182

 

294

294

 

475

475

 

768

768

 

114

 

 

184

 

 

 

298

 

 

481

 

 

777

 

 

115

115

115

187

 

187

187

301

301

301

487

487

487

787

787

787

117

 

 

189

 

 

 

305

 

 

493

 

 

796

 

 

118

118

 

191

 

191

 

309

309

 

499

499

 

806 .

806

 

120

 

 

193

 

 

 

214

 

 

505

 

 

816

 

 

121

121

121

196

 

196

196

316

316

316

511

511

511

825

825

825

123

 

 

198

 

 

 

320

 

 

517

 

 

835

 

 

124

124

 

200

 

200

 

324

324

 

523

523

 

845

845

 

126

 

 

203

 

 

 

328

 

 

530

 

 

856

 

Г

127

127

127

205

 

205

205

332

332

332

536

536

536

866

866

866

129

 

 

208

 

 

 

336

 

 

542

 

 

876

 

 

130

130

 

210

 

210

 

340

340

 

549

549

 

887

887

 

132

 

 

213

 

 

 

344

 

 

556

 

 

898

 

 

133

133

133

215

 

215

215

348

348

348

562

562

562

909

909

909

135

 

 

218

 

 

 

352

 

 

569

 

 

920

 

 

137

137

 

221

 

221

 

357

357

 

576

576

 

931

931

 

138

 

 

223

 

 

 

361

 

 

583

 

 

942

 

 

140

140

140

226

226

226

365

365

365

590

590

590

953

953

953

142

 

 

229

 

 

370

 

 

597

 

 

965

 

 

143

143

 

232

232

 

374

374

 

604

604

 

976

976

 

145

 

 

234

 

 

379

 

 

612

 

 

988

 

 

147

147

147

237

237

237

383

383

383

619

619

619

 

 

 

149

 

 

240

 

 

388

 

 

626

 

 

 

 

 

150

150

 

243

243

 

392

392

 

634

634

 

 

 

 

152

 

 

246

 

 

397

 

 

642

 

 

 

 

 

154

154

154

249

249

249

402

402

402

649

649

649

 

 

 

156

 

 

252

 

 

407

 

 

657

 

 

 

 

 

158

158

 

255

255

 

412

412

 

665

665

 

 

 

 

160

 

 

258

 

 

417

 

 

673

 

 

 

 

 

4. Некоторые свойства интегралов Ферми Интеграл Ферми F# i(fr) определяется формулой

1

* е; de

Fj (О )=

I exp (е — Ф) + 1

Г (/+ 1)

где Г (/+1) — гамма-функция.

В классическом пределе, когда величина О отрицательна и доста­

точно велика по абсолютной

величине,

Fj(ft)

.

При больших положительных О имеет место асимптотическое

разложение

 

 

 

 

 

0-4-1

г

 

 

Г (/ + 2)

 

F № = Г ( / + 2

) [

+ 60=

Г (/)

 

Приближенное выражение для

интеграла Ферми,

дающее при 0 ^

^ 1 ,3 ошибку не более 3%:

 

 

 

 

 

F\/2 W ~

 

(l + 0,27e^)_1.

 

Приближенная формула

(0 ^ 1 ),

также дающая ошибку не бо­

лее 3 %:

 

 

 

 

 

FU2 (0) и 1,3303/2 (1 +

1,150~2) я ~ 1/2.

Таким образом, приближенные формулы перекрывают весь ин­ тервал значений от случая сильного вырождения до невырожденно­ го (классического) случая.

Для оценки интегралов, содержащих функцию Ферми или ее производные, в- случае сильного вырождения часто используется разложение

+°°

СdS

.)

de — , [exp (e — 0) + 1 j * =

de

= 2(d) — 2(oo) + л 2 d2'~ (0)

6 dd2

Здесь 2 ( e ) — произвольная функция энергии, плавная вблизи точки е = д .

Список литературы

1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. М., «Наука», 1967, 418 с.

2. Адгезия полимеров. Под ред. П. В. Козлова, М., Изд-во АН

СССР, 1968, 144 е.

3.Белевцев А. Т. Потенциометры. М., «Машиностроение», 1970,

328 с.

4.Богородицкий Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электро­

технические материалы. М., «Энергия», 1969, 408 с.

5.Богородицкий Н. П., Пасынков В. В. Материалы радиоэлек­ тронной техники. М., «Высшая школа», 1969, 423 с.

6.Бочкарев Б. А. Вопросы технологии изготовления тонкослой­ ных непроволочных сопротивлений. М., Изд-во МДНТП, 1958, 36 с.

7.Бонч-Бруевич В. Л. и др. Сборник задач по физике полу­

проводников. М., «Наука», 1968, 112 с.

8. Власов Л. Г., Зайцев Ю. В. Использование полупроводни­ ковых материалов для создания резисторов. — «Известия ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина)», вып. 57, ч. 1, 1966.

9. Власов Л. Г., Зайцев Ю. В. Некоторые вопросы получения переменных резисторов с нелинейными функциональными характе­ ристиками. Доклады научно-технической конференции МЭИ. Изд. А4ЭИ, 1967.

10. Власов Л. Г., Зайцев Ю. В. Металлопленочные подстроеч­

ные резисторы. — «Изв.

вузов. Радиотехника», 1970, № 11.

11. Воюцкий

С. С.,

Рубина С. И. Современные представления

о размере,

форме

и строении частиц сажи. — «Успехи химли», 1952,

т. XII, №

1.

 

 

12. Гальперин Б. С. Непроволочные резисторы. Л., «Энергия», 1968, 284 с.

13. Гальперин Б. С. К вопросу о проводимости электрического

контакта.— ЖТФ, 1952, т. XXII.

1953,

14. Гальперин Б. С. Об электропроводности сажи. — ЖТФ,

т. XXIII, вып. 6.

1955,

15. Гальперин Б. С. О контактных шумах. — ЖТФ,

т. XXV, № 3.

16. Гальперин Б. С., Солдатова Л. П. Ориентационный эффект в саженаполненных лаковых пленках. — «Коллоидный журнал», 1959, т. 21, вып. 4.

17.Гальперин Б. С., Солдатова Л. П. Исследование характера контакта сажевых структур в полимерных композициях. — «Кол­ лоидный журнал», 1964, № 1.

18.Грибов Б. Г. и др. Термическое разложение бис-ареновых

соединений переходных металлов, V Международный конгресс по

349

металлоорганической хим.ии (тезисы докладов). Изд. ВИНИТИ,

1971.

19. Гурвиц Л., Курант Р. Теория функции. М., «Наука», 1968,

648с.

20.Даммер Д. и др. Расчет и конструирование электронной ап­

паратуры. М., «Энергия», 1964, 287 с.

21.Данилин Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М„ «Энергия», 1967, 312 с.

22.Даховский И. В. и др. О подвижности электронов в силь­

нолегированных полупроводниках. — «Физика и техника полупро­ водников», 1970, № 11.

23.Демкин Н. Б. Контактирование шероховатых поверхностей. М„ «Наука», 1970, 226 с.

24.Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния

вкристаллах. М., «Мир», 1968, 264 .с.

25.Дроздов Н. Г., Никулин Н. В. Электроматериаловедение.

М., «Энергия», 1964, 311 с.

26.Дульнев Г. Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. М., «Госэнергоиздат», 1963, 288 с.

27.Евграфов М. А. Аналитические функции. М., «Наука», 1965,

471с.

28.Евстропьев К. С. и др. Электропроводящие пленки на стек­ ле.— «Оптико-механическая промышленность», 1957, № 1.

29.Ермолаев Ю. П. и др. Конструирование и расчет контактов в интегральных пленочных схемах. Изд. КАИ, Казань, 1967.

30.Железнов М. Т. и др. Проволочные резисторы. М., «Энер­

гия», 1970, 240 с.

31.Зайцев А. К. Основы учения о трении, износе и смазке ма­ шин. М., Машгиз, 1948, 256 с.

32.Зайцев В. В. Вычисления с приближенными числами и учет погрешностей. Изд. МЭИ, 1955, 46 с.

33.Зайцев Ю. В. Полупроводниковые резисторы. М., «Энергия»,

1968, 42 с.

34.Зайцев Ю. В. Некоторые особенности материалов, исполь­ зуемых в малогабаритных резисторах. — Доклады научно-техниче­ ской конференции. Изд. МЭИ, 1966.

35.Зайцев Ю. В., Боева И. А. Некоторые вопросы получения переменных резисторов с объемным токопроводящим элементом. — «Изв. вузов. Радиотехника», 1969, т. 12, № 11.

36.Зайцев Ю. В., Власов Л. Г. Исследование параметров низкоомных переменных резисторов пленочного типа. — Доклады на­ учно-технической конференции. Изд. МЭИ, 1967.

37.Зайцев Ю. В., Власов Л. Г. Низкоомные функциональные резисторы. — Доклады научно-технической конференции. Изд. МЭИ, 1969.

38.Зайцев Ю. В. Полупроводниковые резисторы. М., «Знание», 1971, 112 с.

39.Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Микромодульные схемы.

М., «Энергия», 1972, с. 80.

40.Зайцев Ю. В. и др. К вопросу использования электротехни­ ческого гетинакса марки VI при повышенных температурах (170— 190 °С), научно-техническая конференция. Изд. МЭИ, 1967.

41.Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Влияние повышенной темпе­

ратуры на

характеристики гетинакса марки VI. — «Электротехни­

ка», 1969, №

11.

350

42. Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Позисторы для полупровод­ никовых тепловых реле. — «Электротехническая промышленность», 1969, вып. 335.

43.Зайцев Ю. В., Марченко А. Н., Полупроводниковые тепло­ вые реле. М., «Информстандартэлектро», 1969, 36 с.

44.Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Магнитоуправляемые сопро­

тивления в аппаратуре низкого напряжения. М., «Информэлектро», 1971, 32 с.

45. Зайцев Ю. В., Марченко А. Н., Бесконтактные полупровод­ никовые сопротивления. — «Электротехника», 1972. № 8

46.Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Низковольтные нелинейные полупроводниковые сопротивления. — «Электротехническая промыш* ленность», 1969, вып. 330.

47.Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Расчет параметров переменных

резисторов. 18-я научно-техническая конференция МИРЭА. Изд. МЭИ, 1969.

48.Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Расчет функциональной харак­ теристики переменного резистора. XIX Юбилейная научно-техниче­ ская конференция МИРЭА. Изд. МЭИ, 1970.

49.Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Раечет сопротивления пленоч­ ных резисторов с юстировочной нарезкой. — «Изв. вузов. Радиотех­ ника», 1969, т. 12, № 11.

50.Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. К расчету прецизионных пле­ ночных резисторов. — «Электронная техника», 1970, _№ 8.

51.Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Расчет тонкопленочных рези­ сторов с распределенным сопротивлением. — «Электронная техни­

ка», 1970, сер. 8, вып. 2 (19).

52. Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Расчет сопротивления пленоч­ ного резистора с нарезкой.-— «Радиотехника», 1970, № 11.

53.Зайцев Ю. В. и др. Материалы новых конструкций перемен­ ных резисторов, 20-я научно-техническая конференция МИРЭА. Изд. МЭИ, 1971.

54.Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Расчет сопротивления объем­ ных полупроводниковых резисторов методом конформных отобра­

жений.— «Электронная техника. Радиодетали», сер. 8, 1971, вып. 2 (23).

55.Зайцев Ю. В., Сурогин Л. И. Переходное сопротивление переменного резистора, Труды МЭИ, 1972, вып. 96.

56.Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Резисторы на основе слоисто­ го проводящего пластика. — «Электротехническая промышленность,

Аппараты низкого напряжения», 1971, вып. 8.

57. Зайцев Ю. В., Марченко А. Н. Резисторы переменные объ­

емные на

основе проводящих

пластиков. — «Электронная

промыш­

ленность»,

1972, № 4.

и др. Полупроводниковые терморезисторы

58. Зайцев Ю. В.

большой мощности. — «Электротехническая

промышленность,

Аппа­

раты низкого напряжения», 1972, вып. 3 (И ).

под

ред.

59. Конструкция и

расчет

приборов.

Справочник

С. С. Щедровского. М., «Машиностроение»,

1964.

 

 

60.Крагельский И. В. Трение и износ. М., Машгиз, 1962, 286 с.

61.Крыжановский Б. П. и др. Электропроводящие прозрачные

покрытия на поверхности слюды. —- «Заводская лаборатория», 1965,

и .

62.Кузнецов А. Я. Методы нанесения покрытий полупроводни­ ковой двуокиси олова для нагрева стекла и керамики. — «Заводская

лаборатория», 1957, № 1.

351

63.Кузнецов А. Я. Влияние подложки на свойства пленок. — «Оптико-механическая промышленность», 1959, № 7.

64.Кузнецов А. Я. и др. Пленки полупроводниковой двуокиси олова с повышенной проводимостью. — «Журнал прикладной хи­

мии», 1959, т. 32, № 5.

65.Лаврик В. И., Савенков В. Н. Справочник по конформным отображениям, Киев, «Наукова думка», 251 с..

66.Лебедев В. В., Трейерова В. В. Новые электроды для токо­

проводящей пленки на стекле. — «Оптико-механическая промыш­ ленность», 1961, № 3.

67. Левицкий М. Я. Проволочные потенциометры. М., Машгиз, 1961, 115 с.

68. Маркович В. Б. и др. Монокристаллические полупроводни­ ковые терморезисторы, М., ЦНИИ «Электроника», 1972, 78 с.

69.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В. Технология производства резисторов. М., «Высшая школа», 1972, 39 с.

70.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В. Резисторы (конструкции,

основы технологии и параметры). М., «Энергия», 1966, 216 с.

71.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В. Линейные и нелинейные со­ противления (резисторы).— Труды МЭИ, 1967, 105 с.

72.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В. Нелинейные полупроводни­ ковые резисторы. М., «Энергия», 1968, 190 с.

73.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Методы рас­

чета резисторов. М., «Энергия», 1971, 208 с.

74.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В. Исследование ТКС резисто­ ров. — Изд. МЭИ, 1966.

75.Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В. Исследование тепловых про­

цессов в резисторах. Изд. МЭИ, 1966.

76.Материалы в приборостроении и автоматике. Под ред. д. т. н. проф. Ю. М. Пятина. М., «Машиностроение», 1969, 631 с.

77.Международная электротехническая комиссия. Рекоменда­ ция МЭК. Публикация 190. Непроволочные потенциометры типа 2. Комитет по участию СССР в международных энергетических объ­ единениях. М., 1969.

78.Миролюбов Н. Н. и др. Методы расчета электростатических полей. М., «Высшая школа», 1963, 670 с.

79.Нейштадт С. П., Россиянский Л. С. Технология и оборудо­ вание производства радиодеталей и компонентов. М., «Энергия», 1969, 432 с.

80.Никифорова А. А., Горбунова К. М. Физико-химические основы процесса химического никелирования. М., Изд-во АН СССР, 1960, 207 с.

81.Некрасов М. М. Микроминиатюризация н микроэлектрони­

ка

на

нелинейных

сопротивлениях. М., «Советское

радио»,

1965,

488 с.

 

 

 

 

том

82.

Некрасов

М. М. Управление температурным

коэффициен­

сопротивления

полупроводников. — «Электричество», 1964 № 4.

 

83.

Нисков В.

Я. Измерение переходного сопротивления

омиче­

ских контактов к тонким слоям полупроводников. — «Приборы и тех­ ника эксперимента», 1971, № 1.

84. Ногути С. и др. Частотные характеристики

плоского тонко­

пленочного резистора. — «Дэнси пуснн гакай

ромбунси»,

изд.

ВНИТИ, 1970, т. 52—С, № 2.

Н. П., Техноло­

85. Панкратьев Е. М., Рюмин В. П., Шелкина

гия полупроводниковых слоев двуокиси олова. М.,

«Энергия»,

1969.

352

86.Паркес М. Г. Гамма устройств для обеспечения постоянно­ го натяжения и компенсации провода при рядовой намотке. — «Приборостроение», 1961, № 3.

87.Привезенцев В. А., Пешков И. Б. Обмоточные и монтажные

провода. М., «Энергия», 1971, 552 с.

88.Рвачев В. Л. Геометрические приложения алгебры логики. К., «Техника», 1967.

89.Русин Ю. С. Определение собственной емкости обмоток. —

«Радиотехника», 1964, т. 19, № 2.

90.Свешников А. Г., Тихонов А. Н. Теория функций комплекс­ ной переменной. М., «Наука», 1970.

91.Сорокин В.. Н. и др. Объемные резисторы с проводящим

элементом на основе сложных карбидов. — «Электронная промыш­ ленность», 1971, № 4.

92.Тареев Б. М. Основы физики диэлектриков. — Труды ВЗЭИ,

1961.

93.Тихонов А. Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. М., «Наука», 1966, 724 с.

94. Тихонов Ю. Н. Технология изготовления германиевых

икремниевых диодов и триодов. М., «Энергия», 1964, 240 с.

95.Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. М., «Энергия»,

1971, 272. с.

96. Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс ,М. Фейнмановские лекции по физике. М., «Мир», 1967, 238 с.

97. Фильчаков П. Ф. Приближенные методы конформных ото­ бражений. Киев, «Наукова думка», 1964, 531'с.

98. Френкель Я. И. Теория электрических контактов между ме

таллами.— ЖЭТФ,

1946, т.

16, вып. 4.

99. Фукс Б. А., Шабат

Б. В. Функции комплексного переменно­

го и некоторые их

приложения. М., «Наука», 1959, 387 с.

100. Хольм

Электрические контакты. Пер. с англ. М., Изд-во

Р.

иностр. лит., 1961, 464 с.

101.Цветков Н. М. К проектированию процессов изготовления открытых намоток. — В кн.: Прогрессивная технология приборостро­ ения, М., Машгиз. 1953, вып. 3.

102.Чумаков В. П. О двух основных условиях операции нама­ тывания.— Труды МАТИ, 1954, № 22.

103.Чумаков В. П. О скоростях и ускорениях при открытом наматывании. — ТрудыР МАТИ, № 22, Оборонгиз, 1954.

104.Шутова Ф. и др. Резистивные пленки на основе окиси

индия. — «Электронная промышленность», 1971, № 4.

105.Электрические контакты. — Труды совещания. М., Госэнергоиздат, 1958, 503 с.

106.Электрические контакты. — Труды совещания, М., Госэнергоиздат, 1960, 480 с.

107.

Юсов Ю. П.

и

др. Каталог непроволочных

резисторов

М„ Изд. МЭП, 1971.

А.

Новые электроизоляционные

материалы

108.

Яманов С.

ипроблема надежности. М., «Энергия», 1971, 152 с.

109.Янке Е. и др. Специальные функции. М., «Наука», 1964,

344 с.

ПО. Adler R. a. oth. Introduction to semiconductor physics, New York, Wiley, 1964.

111. Arnold J. Selecting and specifying trimming potentiometes. «Electron. Design», 1965, 13, № 2.

353

112. A survey of British variable resistors. Part 1. General purpose types—up to 100 watts.—«Brit. Communs and Electron», 1964, II, №6.

113. Bader K. F. Pick the right hibrid technique. Electron Design,

1965, v. 15, № 6.

114. Blatt F. Physics of electronic conduction in solids. New York, McGraw—Ilill, 1968.

115.Burkett R. H. W. The properties of tin oxide resistors. Brit. Communic. and Electronics, 1963, 10, 6.

116.Bieck О. H. a. oth. Carbon—composition resistors. — «Elec­

tron World», 1965, 73, № 4.

117.Casey H., Mulligan W., Woods J. Resistive metal—glaze and its product applications. •— «Proc. Electron Compon. Conf.», 1963.

118.Conductive plastic pots gaining acceptance numerous techni­

cal achievements

cited. — «Space Age

News»,

1964, 6, № 9.

 

119. Conklin

R. E. and Olson E. R. Physics

of

thin resistive

films. — «Proc. Electronic Component Conf.», I960.,

 

 

field

120. Cermak

A. and Silvesta

Solution

of two-dimensional

problems by boundary relaxation. P.Proc. IEE

(London),

1968, vol.

115.

121. Chawla

B. R. a. o. A boundary technique

for

calculation of

distributed resistance. IEEE Transactions on electron

devices,

1960,

vol. ED-II, № 10.

 

 

 

 

 

 

122.Conwell E. Properties of silicon and germanium. Proc. IRE, 1952, vol. 40, №11.

123.Conwell E. Properties of silicon and germanium. Proc. IRE,

1958, vol. 46, № 6.

V. Theory of impurity scattering

in

124. Conwell E. and Weisskopf

semiconductors. — «Phys. Rev.»,

1950, vol. 77, № 3.

of

125. Chang C. J., Fang Y. K., Sze S. M. Specific contact resistance

metal—semiconductor barriers. — «Solid

State

Electronics», 1971,

vol. 14, № 7.

 

 

 

 

 

126. Cobe E. A. Noise problem in semiconductors. .«J. Inst. Maths.

Applies.», 1971, vol. 7, № 2.

On

high-electric-field conductivity

 

127.

Costato M., Reggiani L.

in

n-type

silicon. — «Physical Review»,

1971,

vol. 3,

№ 4.

128.Dummer G. W. A. Fixed resistors, London, 1956.

129.Dummer G. W. A. Component reliability—A Survey Brit. Communic. and Electronics,P., Component Issue, 1963, 10, 6.

130.Farrell J. Lane С. H. Cermet resistors by reactive sput­

tering. Proceedings Electronic Components Conference, 1966, Washing­ ton.

 

131.

Fixed

composition

resistors

and variable resistors. — «Japan

Electron.», 1965, 6, № 11.

 

 

 

 

132. Fowler A. O. Aging characteristics of vapor deposited chromi­

um film

resistors. — «Proc.

Electron.

Compon.

Conf.», Washington,

1963.

 

 

 

 

 

 

 

133.

Green H. E. The numerical solution of some important

transmission-line

problems. IEE Trans. Microwave Theory Tech., 1965,

vol. M.T.T.—13.

 

 

 

 

of

134.

Gupta S. C., Sharma B. L., Sreedhar A. K. Specific resistance

n+ -n-junction. — «Solid

State Electronics»,

1971, vol. 14, № 5.

 

135.

Hall

R.

M. Resistance calculations for thin film patterns.

Thin Solid Films,

1967—1968, vol. 1.

 

elements. EDN, 1963,

 

136.

Hartman

C. W. Metal ceramic resistive

8,

15, 92.

 

 

 

 

 

 

3 5 4

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ