Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Электронно-зондовый микроанализ [сборник]

..pdf
Скачиваний:
14
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
10.57 Mб
Скачать

Определение потерь энергии киловольтных электронов

189

согласно работам [5, 10], остаточная энергия при у =

1 составляет

2%, следовательно:

ТП

 

 

 

0 ( 1 ) =

1 + /С 2 а; = 0.02

 

или

/=і

 

тп

 

 

 

К

= — 0,98 2 dy

(П8>

 

;'=1

 

Были использованы и другие методы определения К , что приве­

ло, однако, лишь к весьма незначительным изменениям результи­ рующего уравнения для %(у). В настоящей работе установлено,, что многочлен четвертого порядка для ф обеспечивал оптимальное

согласование, сводя к минимуму влияние разброса эксперимен­ тальных данных. Метод минимизации среднеквадратичной относи­ тельной погрешности, по-видимому, превосходит другие методы

определения

коэффициентов

многочлена.

 

 

СП И СО К ЛИТЕРАТУРЫ

1.

Kanter Н .,

Sternglass Е. J . ,

Phys. Rev., 126, 620 (1962).

2.

Katz L ., Penfold A . S ., Rev.

Mod. Phys., 24, 28 (1952).

3.

Cosslett V. E ., Thomas R. N .,

Brit. J . Appl. Phys., 15, 1283 (1964).

4.Schumacher В. E ., in First International Conference on Electron and Ion: Beam Science and Technology (R. Bakish, ed.), Wiley, New York, 1965,. pp. 5—70.

5.Bishop H. E ., Brit. J . Appl. Phys., 18, 703 (1967).

6.Shimizu R ,, Murata K ., J . Appl. Phys., 42, 387 (1971).

7.

Reimer L ., Optik, 27, 86 (1968).

8.

Wittry D . B., Kyser D. K-, J- Appl. Phys., 38, 375 (1967).

9.Klein C. A ., Appl. Opt., 5, 1922 (1966).

10.Gruen A. E ., Z. Naturforsch., 12A, 89 (1967).

11.Everhart T. E ., Gonzales A. J ., Hoff, P. H ., MacDonald N. C., Electron-

Microscopy, vol. 1 (R. Uyeda, ed.), Marazen,

Tokyo, 1966, p. 201; Hoff

P. H ., Everhart T. E ., in Record of the 10th

Symposium on Electron,

Ion and Laser Beam Technology (Marton L .,

ed), San Francisco Press,.

San Fancisco, 1969, p. 454—458.

 

12.Ehrenberg W., King В. E. N., Proc. Phys. Soc. (London), 81, 751 (1963).

13.Birkhoff R. D ., in Handbuch der Physik, vol. 34 (E. Fluegge, ed.), Sprin­

 

ger, Berlin,

1958, p. 53.

 

14.

[13], уравнения (7.10) и (8.1).

Mather R., Segre E.,.

15.

Bakker C. J . ,

Segre E ., Phys. Rev., 81, 489 (1951);

16.

ibid., 84, 191 (1951).

Res. Council Publ.,.

Berger M . J . ,

Seltzer S. M ., Nat. Acad. Sei.-Natl.

1133, 205 (1964).

17.Nelms A ., Natl. Bur. Std. (U. S.) Circular No. 577, U. S. GPO, Washing­

ton, D. C ., 1956.

18. Марков А . Ф., ФТТ, 2, 2161 (1960); Drescher H ., Reimer L., Seide H.,

Z. Angew. Phys., to be published.

19.Palluel P. C. R ., Compt. Rend., 224, 1492, 1551 (1947).

20.Cosslett V. E ., Thomas R. N., Brit. J . Appl. Phys., 16, 779 (1965).

21.Sterngläss E. J . , Phys. Rev., 95, 345 (1954).

390

Т. Эверхарт, П . Хофф

22.Kanter Н ., Ann. Physik., 20, 144 (1957).

23.MacDonald N. С., Everhart Т. Е ., J . Appl. Phys., 39, 2433 (1968).

24. Fuchs К ., Proc. Cambridge Phil. Soc., 34, 100 (1938).

25.Reynolds F. W., Stillwell G. R ., Phys. Rev., 88, 418 (1952).

26.Deal B. E ., J . Electrochem. Soc., 110, 527 (1963).

27.

Rose A ., Proc. IR E ,

43, 1850 (1955).

 

 

 

 

 

 

28.

Schumacher

B.

W.,

Mitra

S.

S .,

Electr. Reliab., Microminiatur.,

1, 321

 

(1962).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29.

Integrated

Silicon

Device

Technology,

Technical

Documentary

Report

 

No. ASD-TDR-63-316, vol.

V II,

Research

Triangle Institute,

Durham,

 

North Carolina,

1965,

p.

104.

 

 

 

 

 

 

 

30.

Spencer

L.

V.,

Energy

Dissipation by

Fast

Electrons,

Natl.

Bur. Std.

 

(U. S.)

Monograph.

No.

1,

U. S.

GP O ,

Washington,

D.

C ., 1959.

 

31.Lenzlinger M ., Extended Abstracts, Electronics Division, Report of the Electrochem. Soc. Meeting, 1970, p. 10 (unpublished).

32.Goodman A . M ., Phys. Rev., 144, 588 (1966).

33.Lenzlinger M ., Snow E. H ., J . Appl. Phys., 40, 278 (1969).

34.Hamming R. W., Numerical Methods for Engineers and Scientists, McGraw-Hill, New York, 1962, p. 229.

Ц. МИД

Рентгеновский микроанализ в минералогии*"

I. Введение

Применение рентгеновского микроанализа в минералогии чрез­ вычайно разнообразно. Сюда входит анализ новых минералов мик­ роскопических размеров, а также такие исследования, относящие­ ся к минералам, как идентификация включений, срастания мине­ ральных фаз и определение однородности в пределах одной фазы. Исследовались металлические и неметаллические составляющие метеоритов, частицы космического и земного происхождения, для идентификации использовалось также явление катодолюминесценции, характерное для ряда минералов [1]. Преимущество рентге­ новского микроанализа перед другими методами заключается в том, что в процессе исследования образец не разрушается; этот метод, позволяет изучать поверхности микронных размеров. Утомитель­ ный, а иногда и невозможный отбор мономинеральны х фракций сейчас уже не является необходимым, поскольку стало возможным изучение состава минералов непосредственно в прозрачных или массивных шлифах.

За 20 лет, прошедших со времени первого применения рентге­ новского микроанализа, возможности метода значительно расши­ рились. Микроанализаторы непрерывно усовершенствовались, и в настоящее время с помощью электронного зонда диаметром меньше 1 мкм можно анализировать все элементы от Be до U .

II. Подготовка образцов для анализа

Подготовка минералогических образцов подробно описана в ра­ боте [2]. Поэтому достаточно напомнить, что большинство минера­ логических образцов для анализа приготовляется либо в виде от­ дельных полированных аншлифов, либо в виде прозрачных шлифов. Поскольку канадский бальзам и лаксайд испаряются в вакууме,, они не пригодны для крепления прозрачных шлифов, предназна­ ченных для исследования на микроанализаторе; для этих целей может служить чистая эпоксидная смола. Независимо от фазового-

* Глава

из книги

«Electron Probe Microanalysis» (ed.

by A . J .

Tousimis„

L . Marton),

Academic

Prass, New York — London, 1969.

Прим.

ped.

192

Ц . М ид

состава образцов они должны быть отполированы так, чтобы по­ верхность была гладкой и не имела оптически видимого рельефа. Такая подготовка количественно анализируемой поверхности необ­ ходима во избежание ошибок [3]. Если невозможно хорошо отполи­ ровать шлиф из-за опасности разрушения минерала, для проведе­ ния качественного анализа можно использовать неполированные образцы. Неэлектропроводные материалы должны быть напылены тонким электропроводным слоем (100— 150 Â); для этой цели обыч­ но используется углерод или алюминий. Для точных количествен­ ных измерений желательно предварительно получить возможно более полные сведения о качественном элементном составе и об от­ носительном содержании всех компонентов, чтобы можно было вы­ брать соответствующие стандарты и напылить их одновременно с образцом.

III. Проблемы, связанные с анализом минералов

Минералы редко представляют собой химически простые систе­ мы, и поэтому рентгеновский микроанализ в минералогии не явля­ ется легким, как можно было бы предположить. Минералы, содер­ жащие лишь два элемента, встречаются крайне редко. Значительно чаще они состоят из пяти или шести элементов. Многокомпонент­ ные образцы, если они содержат фазы различной твердости, трудно полировать. Проводящий слой, напыленный на непроводящие образ­ цы, может усилить оптический контраст анализируемых фаз, но часто нанесенные пленки делают их неразличимыми. Для проведе­ ния эксперимента необходимо предварительно определить опти­ мальную толщину и материал покрытия, которые обеспечивают хо­ рошую проводимость и позволяют оптически наблюдать фазы. Не­ которые неметаллические и непроводящие минералы могут разла­ гаться или расплавляться под действием электронного зонда. По­ следнее из этих явлений может быть устранено путем напыления более тяжелого материала на образец, уменьшения тока через обра­ зец или небольшой расфокусировкой электронного зонда. Большин-

•ство микроанализаторов имеет три спектрометра для одновремен­ ного анализа. При настройке спектрометров для анализа последую­ щих элементов может возникнуть ошибка в процессе перемещения электронного зонда по поверхности из-за загрязнения анализируе­ мого участка. Эта ошибка возрастает с увеличением неоднороднос­ ти анализируемого образца. Потенциал возбуждения для каждой серии рентгеновского излучения возрастает с увеличением атомного номера, и, если анализируемый образец содержит элементы с су­ щественно различающимися атомными номерами, необходимо тща­ тельно подбирать ускоряющее напряжение, чтобы могли быть оп­ ределены все элементы. Но поскольку оптимальное ускоряющее напряжение для легких элементов ниже, чем для тяжелых, часто

Рентгеновский микроанализ в минералогии

193

приходится использовать различные ускоряющие напряжения для обеспечения анализа на все элементы, которые могут присутство­ вать.

IV . Качественный анализ минералов

Несомненно, что в делом ряде случаев количественные опреде­ ления состава минералов важны, но далеко не всегда они необхо­ димы. Часто достаточно знать, какие элементы присутствуют и как

Р и с . 1. Характеристические спектры Ва и Ті в бенитоите (а) и в металли­ ческом титане (б) с использованием кристалла РЕТ (спектрограммы).

они распределяются в пределах образца. Качественный рентгенов­ ский микроанализ в сочетании с другими аналитическими методами позволяет решать проблемы, которые без его применения могли бы оказаться неразрешимыми.

При качественном анализе минералов используются различные возможности микроанализа: сканирование спектрометра по углам, линейное перемещение анализируемого участка под электронным

Ѵ 2 8-584

Р и с . 2. Концентрационные профили Ni
и S в хондрите Bonita Spring; для Ni
кристалл LiF и для S кристалл РЕТ .

194

Я. М ид

зондом с

одновременной записью интенсивности рентгеновского

излучения; использование растровых картин распределения эле­ ментов в электронах или рентгеновских лучах, получаемых на экра­ нах В К У (видноконтрольное устройство).

Угловое сканирование спектрометра осуществляется синхронизованно с перемещением диаграммной ленты самописца. Фиксируе­ мые максимумы соответствуют линиям характеристического рент­ геновского спектра присутствующих элементов. Если микроанали­ затор оснащен тремя спектрометрами, возможна одновременная

регистрация трех элемен­ тов. При тщательном вы­ боре кристаллов это поз­ воляет анализировать боль­ шинство, если не все эле­ менты периодической сис­ темы. Угловое сканирова­ ние может быть проведено на образцах и соответст­ венно подобранных стан­ дартах, а по величине од­ ноименных пиков можно получить качественную информацию об относи­ тельных количествах при­ сутствующих элементов. Если химические составы стандарта и исследуемого образца не столь близки, как хотелось бы, то для количественного определе­ ния недостаточно непосред­ ственного сравнения орди­ нат интенсивностей линий, записанных на ленте по­ тенциометра. В качестве

примера такого приема на рис. 1 показаны спектры Ва и Ті в бенитоите (BaTiSi30 9) и металлического Ті. Концентрация Ті в бенитоите 11%. Непрерывная запись концентрационного профиля очень полезна, если исследуемый материал имеет зональную структуру или неоднороден. Такую запись получают при установке одного или нескольких спектрометров на аналитические линии определяе­ мых элементов с последующим перемещением исследуемого участка под пучком с постоянной скоростью. Изменения концентрации ис­ следуемого элемента в образце регистрируются на диаграммной ленте самописца.

На рис. 2 приведены кривые распределения Ni и S, записанные

Рентгеновский микроанализ в минералогии

195

Р и с . 3. Растровые картины распределения в рентгеновских лучах для N i, полученные с камаситового включения в хондрите Bonita Spring (рис. 2).

Время накопления импульсов: 30 с (а), 1 мин (б), 2 мин (в) и 4 мин (г).

через металлическое включение в хондрите Bonita Spring. Камасит состава 7% Ni + 93%Fe окружен троилитом, содержащим ~36%S

и 64%Fe.

Одним из лучших методов оценки однородности образца являет­ ся получение на экране В К У растровых картин распределения эле­ ментов в рентгеновских лучах. В большинстве микроанализаторов эти изображения получают сканированием электронного зонда по квадрату со стороной до 400 мкм, в то время как спектрометр на­ строен на анализируемый элемент. Когда электронный пучок обе­ гает участок образца, на экране В К У регистрируются точки, соот­ ветствующие импульсам характеристического рентгеновского излу­ чения исследуемого элемента. При малой концентрации элемента желательно, чтобы эти данные накапливались на В К У в течение длительного периода времени. В некоторых случаях, однако, из-за

Ч> 8 *

196

Ц . М ид

наличия излучения непрерывного спектра, космической радиации и радиотехнических шумов на экране возникают точки, которые при регистрации в течение длительного времени могут быть заре­ гистрированы как соответствующие элементы, которые в действи­ тельности отсутствуют в исследуемой области. Возможность наложе­ ния фона должна обязательно учитываться при анализе элементов с низкой концентрацией. Регистрация в течение длительного вре­ мени может привести к тому, что элементы, присутствующие в ма­ лых концентрациях, покажутся основными составляющими. Итак, чтобы сравнивать фотографии растрового распределения в рентге­ новских лучах необходимо, чтобы они были получены за одинако­ вое время регистрации излучения. Рис. 3 иллюстрирует эту возмож­ ность. Четыре фотографии получены с одного и того же участка камаситового включения в хондрите Bonita Spring. Единственное различие между снимками состоит во времени регистрации излу­ чения. Рассеянные белые точки представляют сигналы фона. Ана­ логичными являются изображения в поглощенных и отраженных электронах, по которым может быть установлено различие в сред­ них атомных номерах фаз, расположенных на участке сканирова­ ния. Изображения в обратно рассеянных электронах также переда­ ют рельеф образца.

V. Количественный анализ минералов

Методика количественного анализа изложена детально в статье Мартина и Пула [4], однако следует отметить, что при исследовании минералов сложного состава, даже при самых оптимальных усло­ виях анализа, точность количественных определений не превышает

± 1 —2 отн.%. Если образец анализируется несколькими операто­ рами или на разных микроанализаторах, как это имеет место для «круговых» стандартов, анализируемых группами исследователей,

то

точность определений уменьшается до + 5 отн.%.

При ма­

лых

концентрациях наиболее вероятная точность

составляет

± Ю

отн.%. Почти во всех случаях такая точность вполне доста­

точна для решения минералогических вопросов, особенно если информация о составе минерала не может быть получена никаким другим путем. Прежде чем интерпретировать результаты рентге­ новского микроанализа, геологам и минералогам необходимо по­ знакомиться со статистическими методами обработки данных, как это делают химики-аналитики.

В смысле получения количественных результатов самым прос­ тым образцом является такой, для которого имеется стандарт сход­ ного состава. Если возможно прямое сравнение интенсивностей, потребность во введении поправок отпадает, и в этом случае можно ожидать наиболее точных результатов. Большинство минералоги­ ческих объектов не принадлежат к этой категории. Если же состав

Рентгеновский микроанализ в минералогии

197

минералогических фаз хорошо известен, нет необходимости прово­ дить рентгеновский микроанализ. Однако анализ минералов из­ вестного состава может быть полезен для проверки стабильности электронного зонда, точности метода, а также для того, чтобы убе­ дить оператора в правильности используемых приемов анализа. Другим типом объекта исследования может служить образец, ка­ чественный состав которого определен методом рентгеновского мик­ роанализа, спектрохимически или при помощи рентгенофлуорес­ центного анализа, что позволяет подобрать стандарты, близкие по составу к исследуемому минералу. Таким образом, поправки сво­ дятся к минимуму, так что могут быть получены достаточно точные результаты.

К самому сложному виду анализа относится анализ небольших образцов минералов неизвестного состава. Все данные могут быть получены только с помощью рентгеновского микроанализа, и под­ ходящие стандарты отсутствуют. В этом случае приходится исполь­ зовать в качестве стандартов чистые элементы с последующим вве­ дением целого ряда поправок для перехода от относительных интен­ сивностей линий анализируемых элементов к весовой концентрации (см. статью Мартина и Пула). Если концентрация определяе­ мого элемента в неизвестном минерале мала, то точность определе­ ния будет тем ниже, чем больше величина поправочного множителя. Для получения точных результатов обычно необходимо провести несколько итераций.

V I. Примеры рентгеновского микроанализа

вминералогии

А. Минералы

Основные рудные минералы— сульфиды, арсениды и сульфо­ соли. Многие из них обладают металлическими свойствами и боль­ шинство непрозрачны. Обычно эти минералы электропроводны и могут быть изучены в виде полированных шлифов. Некоторые, в том числе галенит (PbS), пирит (FeS2) и пирротин (FeS), могут слу­ жить отличными минеральными стандартами. Многие минералы встречаются в полированных шлифах в виде мелких включений или срастаний, которые слишком тонки для петрографической иденти­ фикации и слишком малы, чтобы их отделить механически. Часто для диагностики этих минералов достаточно провести качественный рентгеновский микроанализ либо путем регистрации и расшифров­ ки спектрограмм, либо с помощью растровых картин распределе­ ния на В К У . Пример подобной идентификации— исследование медных и арсенидных минералов, где были определены включе­ ния никелина, раммельсбергита, халькозина, куприта, маухерита, саффлорита, тенорита, а также самородного сереб а и самородной

7—584

198 Ц . М ид

меди [5]. Некоторые из этих минералов имеют зональную структу­ ру, подобную полученной сканированием для бравоита в рентге­ новских лучах [6]. Окислы, сложные окислы и гидроокислы, ис­ следованные с помощью рентгеновского микроанализа, включают некоторые основные рудные минералы хрома, железа и титана, а некоторые содержат уран и редкоземельные элементы. Сульфаты, фосфаты и вольфраматы являются диэлектриками и в некоторых случаях разрушаются под действием пучка электронов, поэтому при их анализе необходима особая осторожность. Лучше всего проводить исследование в прозрачных шлифах или в аншлифах.

Изучение состава на микроанализаторе и рентгеновский струк­ турный анализ кальциоферрита и монтгомериита позволили точно предсказать формулы этих минералов [7]. Качественный анализ однородности и состава цинкового рокбриджеита показал, что он представляет собой смесь двух минералов: цинкового рокбриджеита и цинкового липскомбита [7]. Оба минерала содержат малые, но приблизительно равные количества цинка. Последующее рентге­ новское изучение подтвердило правильность идентификации обоих минералов.

В силикатной группе находятся некоторые основные породооб­ разующие минералы. Микрозондовые исследования этих минералов удобнее всего проводить или на аншлифах отдельных кристаллов, или в полированных прозрачных шлифах. Из силикатов микрорентгеноспектральным методом наиболее изучены пироксены и оливи­ ны. Основная часть этих исследований была связана с изучением фазового состава метеоритов.

Все более обычным становится использование рентгеновского микроанализа для обнаружения и диагностики новых' минера­ лов или их разновидностей. Число этих минералов постоянно уве­ личивается и в настоящее время их насчитывается более двухсот, в том числе маккинавит [8], бриартит [9], рокезит [10], холлингвортит [11], компреньясит [12], карелианит [13], марокит [14], моусонит [15], пэбстит [16] и др.

Некоторые минералы, за исключением метеоритных, состав которых определен с помощью рентгеновского микроанализа, при­ ведены в табл. 1.

Б. Метеориты

Врезультате возросшего интереса к объектам космоса при вы­ полнении программы космических исследований были проведены микрозондовые анализы многих метеоритов. Эти исследования ставили своей целью изучение происхождения, состава, структуры

итемпературной предыстории всех типов метеоритов. По некото­

рым результатам исследований были сделаны ценные дополнения к фазовым диаграммам отдельных систем. В железных метеоритах

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ