
книги из ГПНТБ / Электронно-зондовый микроанализ [сборник]
..pdfЭлектронно-зондовый микроанализ |
109 |
ния). Недостаток этого выражения состоит в том, что оно не учиты вает ионизацию, обусловленную обратно рассеянными электрона ми до их выхода из мишени, и поэтому потери на обратное рассея ние оказываются завышенными.
Кастен [3] из экспериментально найденного распределения по глубине характеристического рентгеновского излучения получил приближенные значения коэффициента обратного рассеяния для золота, алюминия и меди при Е 0 = 29 кэВ. Пул и Томас [11] по строили график зависимости 1/R от Z, основываясь на данных Кас-
тена [3] для меди и на собственных данных. Применение этого гра фика ограничено значением Е 0 = 29 кэВ и тем, что он не учитывает значения Е с для исследуемой аналитической линии. С учетом этих
ограничений можно ожидать, что будут получены только прибли
женные значения R , причем только для некоторых |
определенных |
|
условий возбуждения. Практически в локальном |
анализе та |
|
кое определение R не может быть использовано. |
Более точные ме |
|
тоды определения фактора обратного рассеяния |
R для анализа в |
более широком диапазоне энергий включают расчет потерь доли интенсивности рентгеновского излучения за счет рассеяния элект ронов из распределения энергии обратно рассеянных электронов; подобный метод применялся в работе [57].
Если предположить, что потери на обратное рассеяние отсутст
вуют, из уравнений (3) и (11) можно найти і а — интенсивность
аналитической линии характеристического излучения элемента А в мишени из чистого А:
ІЛЛ = f l y dB ■ <20>
Пусть dr\ — число обратно рассеянных электронов от мишени из чистого А в диапазоне относительных энергий от W до W dW, где W = Е ІЕ 0. Потери на обратное рассеяние определяются уравне
нием |
WEo |
|
N |
|
|
dE dW-, |
(21) |
|
М 'а = ®4 Яа А Л |
Е, |
|
следовательно, фактор обратного рассеяния может быть выражен в виде
(22)
110 П . Мартин, Д . П ул
Интегрирование уравнения (22) эквивалентно расчету интенсивнос ти рентгеновского излучения, порождаемого одним электроном, с последующим суммированием по общему числу обратно рассеян ных электронов. Другой аналогичный, но более удобный подход, когда данные по распределению энергий представлены в интеграль
ной, |
а |
не в дифференциальной |
форме, |
заключается |
в подсчете |
|||
числа |
электронов |
с энергией |
Е |
и последующем интегрировании |
||||
по энергии; в этом случае |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
£, |
|
|
(23) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
На основе уравнения |
(22) |
или (23) можно получить |
семейство |
|||||
кривых R a , 1—R a |
и л и |
(1—й(л)/т)0, соответствующих зависимости |
||||||
от Z для |
постоянного U0 или от U0 для |
различных |
элементов. |
В дальнейшем изложении все эти кривые мы будем называть «^-кри выми». Значения U0 и Z, для которых построены кривые, перекры
вают широкий диапазон используемых энергий и исследуемых эле ментов в микроанализе; при этом нет необходимости прибегать к
интерполяции |
или к первоначальному |
уравнению. Расхождение |
в значениях R , |
полученных разными авторами, обусловлено глав |
|
ным образом различными выражениями |
или данными для Q, S , |
dr\ldW иг|0. Например, Томас [4, 5] использовала значения, найден
ные с помощью приближенного метода графического интегрирова ния. Томас — единственный автор, использовавший данные по распределению энергии dr]ldW из работы [58]. Однако эти данные
получены для дискретных значений углов рассеяния и для огра ниченного диапазона энергий обратно рассеянных электронов, причем в этом случае необходимо экстраполирование от W = 0,5
к 0. Данные по распределению энергии в работе [59], по-видимому, более удовлетворительны, поскольку измерения проводились в пределах угла выхода обратно рассеянных электронов от 0 до 180°, тем самым перекрывая весь диапазон значений W. Их использовали
Грин [28], Шпрингер [60] и Бишоп [61, 62] с различными значения ми Q, S , ті0 в каждом случае для получения семейств Д-кривых,
которые хорошо согласуются друг с другом. Однако графики за висимости R от Z отличаются по форме от кривых, построенных
Томас по данным [58], которые имеют ярко выраженную зависимость R от Z в области малых Z, убывающую с увеличением Z. Такая форма кривых R от Z для больших Z не наблюдается у других ав
торов, что отражает, по-видимому, специфику использованных
Электронно-зондовый микроанализ |
111 |
Томас данных из работы [58]. Если такой метод интегрирования применить к данным работы [59], получим зависимость R от Z такой же формы, что и у других авторов, несмотря на то что R имеет бо
лее низкие значения. Предпочтение, которое Томас отдает данным работы [58], обусловлено тем, что они дают лучшие результаты в широком диапазоне используемых энергий и исследуемых элемен тов в микрозондовом анализе. Однако такой вывод справедлив толь ко для зависимости между отношением интенсивностей и концентра цией, использованной Томас.
Б и ш о п ;------ |
. — Ш прингер;------------ |
Томас; |
$ Дериан |
(с оценкой погрешности); |
Грин. 0,1; |
0,4 и 0,8 — значения ВJ E 0, к |
которым |
относятся приведенные данные. |
Экспериментальная установка, описанная в работе [59], имела ряд недостатков, которые впоследствии были устранены Бишопом [61, 62] при проведении измерений распределения энергии обратно рассеянных электронов. Бишоп использовал измерения dr\/dW для
получения второго семейства /?-кривых; третье семейство ^-кри вых было получено путем использования значений dr^ldW, теорети
чески рассчитанных по методу Монте-Карло. Два последних се мейства кривых и кривые, рассчитанные Данкамбом [12] на основе экспериментальных данных Бишопа, находятся в хорошем согласии
112 |
П . Мартин, Д . П ул |
(в пределах погрешности эксперимента) с полученными эксперимен тально значениями R для меди, золота и алюминия [63, 64]. Рис. 6 показывает различие форм кривых зависимости R от Z, рассчитан
ных Томас и другими авторами. Как можно видеть, кривые Бишо па, основанные на экспериментальных значениях dr\ldW, находятся
внаилучшем согласии с результатами работы [64]. Интересно, что результаты [64] для R в случае золота получены на основе измере
ний линии AuLa, тогда как данные Бишопа получены для Аи/С«- Согласие результатов этих авторов не противоречит теоретическому и экспериментальному исследованию (разд. I, А , 2), которое пока зывает аналогичное изменение сечения ионизации для К- и L -серии
взависимости от энергии и подтверждает обычно принимаемое до пущение, что одно семейство кривых R (Z) может быть использова
но для всех рентгеновских серий, причем его выбор производится с учетом соответствующих значений Е 0ІЕС.
В конструкциях некоторых микроанализаторов угол между пучком электронов и поверхностью бомбардируемой мишени мень ше 90°. Однако большинство опубликованных ^-кривых относит ся к случаю падения электронного пучка по нормали к мишени. Экспериментально было показано [65], чтоті0 возрастает с уменьше нием угла между падающим пучком и поверхностью мишени. Фор ма распределения энергии зависит от угла падения электронов [59]. Таким образом, R убывает с уменьшением угла падения элект
ронного пучка. Грин [28] построил ^-кривые для угла 45° по дан ным [59, 62], а для углов 67,5 и 45° — с помощью расчетов по мето ду Монте-Карло. Значения Грина на 10—20% занижены по сравне нию с результатами, полученными Бишопом.
Значение R для многокомпонентной мишени может быть рассчи
тано из значений R для чистых элементов по уравнению |
|
Я? = 2 c , R ? ' |
(24) |
Бишоп [61, 62] показал, что это приближение Дает незначительную погрешность.
Томас [4, 5] приняла допущение, согласно которому S и R
комбинируются по правилу аддитивности следующим образом:
С} &£ |
(25) |
К
Теоретически этот шаг не обоснован и, по-видимому, не дает какойлибо выгоды, кроме предполагаемого незначительного упрощения расчетов; это допущение может привести к дополнительным погреш ностям [12]. Данкамб и др. [12, 13], а также Шпрингер [8, 15] вы
числяли Sa и R'a по уравнениям (10) и (24) соответственно.
Электронно-зондовый микроанализ |
113 |
Прежде чем закончить рассмотрение фактора обратного рассе яния, следует упомянуть метод, принятый Арчардом и Мулви [18] для учета потерь на обратное рассеяние. Эти авторы предполагают, что электроны распространяются в мишени по прямолинейным тра екториям до глубины полной диффузии zd, а затем равномерно рас
сеиваются по всем направлениям. Это допущение обосновывается в работе [66], где показано, что такое представление о поведении электронов в мишени приводит к хорошему согласию с эксперимен тальными значениями г]0 для элементов тяжелее кремния. Порож дение рентгеновских лучей на пути движения каждого электрона рассчитывается по уравнениям Бете для тормозной способности и сечения ионизации [уравнения (7) и (15) соответственно]. Таким образом, полную интенсивность получают суммированием соответст венно взвешенных значений интенсивностей для выбранных траекторий электронов. Расчет выполняется на электронно-вы числительной машине и приводит к получению поправок на атом ный номер только для нескольких комбинаций элементов. Практи чески нецелесообразно проводить подобные расчеты для любой комбинации элементов, исследуемых методом электронно-зондового микроанализа.
Б. Интенсивность первичного излучения
Рентгеновское излучение, порождаемое в мишени, ослабляется главным образом в результате фотоэлектрического поглощения. Величина ослабления зависит как от глубины образования рентге новского излучения, так и от массовых коэффициентов поглощения для элементов, входящих в исследуемый образец. Представим урав нение для интенсивности регистрируемого излучения, выразив ин тенсивность порождаемого излучения иначе, чем это было сделано в разд. I, А , 1. Воспользуемся функцией cp (pz)3, которая дает рас пределение по глубине A -излучения, порождаемого в мишени, причем z изменяется от поверхности в глубь образца по нормали.
Следовательно, интенсивность A -излучения, порожденного в слое d (рz) на глубине z, составляет
dIaA =5 СА фа (Р2) dP2' |
(26) |
|
Если массовый коэффициент поглощения мишени для А-излучения
обозначить (|х/р)а, то полная интенсивность излучения в пределах телесного угла dQ при угле выхода Ѳопределяется введением в урав
нение (26) коэффициента ослабления ехр [— (p./p)apzcosec Ѳ] и инте грированием по z. Таким образом,
(27)
О
114 |
П . Мартин, Д . П ул |
И Л И
I a '= - ^ - CA F a ( ' d ) , |
(28) |
где іа = (^lp)a cosec Ѳ и Fa (уа) — преобразование Лапласа функ
ции ф а (р Z)
СО
F t ( Ха ) = J фа (р2 )ехр (— Ха pz) dpz. (29)
о
Тогда отношение интенсивностей первичного излучения при ис пользовании эталонов из чистого элемента составляет
/аА |
FAa ( l a)A |
(30) |
/А |
|
|
|
|
|
А |
|
|
Концентрация Fe, вес. %
Р и с . 7. Влияние поглощения рентгеновского излучения на отношение интенсив ностей излучения Fe/^a [67] в сплавах Fe—Cr при 40 кэВ.
----------- экспериментальные данные Колби и Конли [67]; ........... теоретический расчет по формуле Филибера, модифицированной Данкамбом и Шилдсом [68].
Выражение (30) можно записать в виде |
|
|||||||
|
|
J l - r |
F> > |
|
|
fa(l-a) |
(31) |
|
|
|
А |
Fa(°) |
’ |
|
і а Ы ) ’ |
||
где |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ft ( i t ) |
(32) |
|||
|
|
U |
|
Ft ( |
) |
|||
Здесь |
F |
|
|
|||||
(0) — значение функции |
F |
( |
х), когда поглощение отсутст |
|||||
|
|
|
|
0 |
|
|||
вует, |
так что сa F(0) — интенсивность порожденного излучения. |
Отсюда следует, что отношение F Aa (0)/7щ (0) — поправка на атомный
номер для уравнения (4).
Электронно-зондовый микроанализ |
|
115 |
Отношение fA (/_л)//а (/.а), которое содержит члены, |
представля |
|
ющие ослабление излучения, известно как поправка |
на |
поглоще |
ние; в предельных случаях она может достигать 100% |
и более, |
например для легкого элемента в тяжелой матрице. На рис. 7 приведены некоторые экспериментальные значения отношения ин тенсивностей [67], которые иллюстрируют влияние поглощения на это отношение при анализе сплавов железо — хром различного состава. Применение соответствующего метода поправок может значительно уменьшить погрешность (рис. 7). В разд. I, А , 2 будет описан метод Данкамба и Шилдса [68], основанный на примене нии модифицированной формулы Филибера [69—71].
Разделение полной поправки F (у) на две части — поправки
на атомный номер и поправки на поглощение — получило почти универсальное распространение в микроанализе, так как установле но, что для /(у) и поправки на атомный номер легче получить более точные значения, чем для F (у). Единственным исключением слу
жит метод Боровского и Рыдника [31] (разд. I, А, 3). Однако сна чала следует рассмотреть экспериментальные и теоретические по пытки определения / (у).
1. Экспериментальное определение f(y)
Для чистых элементов возможно экспериментальное определе ние / (у), но для мишеней из нескольких элементов подобное изме
рение fA (ул) представляет определенную сложность. Существуют
два способа определения / (у); прямое измерение / (у) и получение распределения по глубине характеристического рентгеновского излучения ф (pz) с последующим расчетом / (у).
Прямое определение / (у) состоит в измерении интенсивности излучения для данной характеристической линии в зависимости от у при изменении угла выхода Ѳ. Интенсивность пропорциональна F (у), причем коэффициент пропорциональности определяется гео
метрией и эффективностью спектрометра. Величина интенсивности, пропорциональная F (0), определяется экстраполяцией. Результа
ты обычно представлены в виде графиков зависимостей / (у) от у при различных значениях Е 0. Впервые подобные исследования были
выполнены Кастеном [2] на цилиндрическом образце из железа, при этом электронный луч был неподвижен, а спектрометр строго фиксирован на линии Ка• Угол выхода Ѳ изменялся путем переме
щения цилиндрического образца перпендикулярно его оси и парал лельно плоскости падения электронного пучка и области образова ния рентгеновского излучения. Влияние изменения угла падения пучка на поверхность образца при перемещении последнего, повидимому, не учитывалось.
По методу Кастена и на образце с поверхностью, имеющей на клон относительно падающего электронного пучка (вместо цилинд
116 Л . Мартин, Д . П ул
рического образца), были определены кривые f (у) для излучения U L a [72]. В этом случае также нет каких-либо указаний на введе
ние поправки, учитывающей изменение угла падения. В экспери менте Грина [28, 73] зависимость изменения интенсивности излуче ния, испускаемого с поверхности плоского образца, от угла выхода Ѳизмерялась с помощью перемещения спектрометра; при этом пу
чок падал по нормали к поверхности. Грин приводит кривые /(у) для К аі-линии элементов С, Al, Ti, Fe, Cu, Ge, Mo, Ag и для Ад-ли нии Nd, Та и Au, а также для 44а-линии Au. В свете новых данных некоторые использованные Грином значения коэффициента погло щения вызывают сомнение; к тому же кривые / (у) не содержат по правки на влияние вторичной флуоресценции, которое может быть значительным для любой серии элементов со сравнительно высоки ми атомными номерами. Грин нашел, что значения / (у) для различ
ных элементов располагаются близко друг к другу, если построить их зависимости от Е 0—Е с при данном у. Таким образом, этому ав
тору удалось построить на основании своих данных два семейства «универсальных» кривых / (у). Эти кривые могут быть применены
для любого элемента с атомным номером меньше 30, причем выбор производится в соответствии с величиной Е 0—Е с.
Построены кривые / (у) для различных энергий пучка при изме рениях на алюминиевых и медных мишенях с наклоном поверхнос ти относительно электронного зонда [74, 75]. Получены значения / (у) для мишеней из А1, Си и Au при ускоряющем напряжении 31,1
и 29 кВ и с углом наклона поверхности относительно электронного пучка 74,7° (в отношении величины угла имеется некоторая неопре деленность; другое возможное значение 15,3°) [76]. Полученные Броуном [76] значения /(у) могут быть использованы в случае падения зонда под углом 90° при умножении их на коэффициент, предложенный Бишопом [77]: (1—Ѵ2 сos2y), где у — угол между падающими электронами и поверхностью образца. Данные, получен ные таким способом, хорошо.согласуются с результатами Грина для нормального падения зонда [28, 73]. Это дает возможность на ходить f (у) дляу ф 90° из кривых для нормального падения элект
ронного пучка с помощью переводного коэффициента Бишопа. Однако коэффициент (1— V 2 cos2y) дает удовлетворительные ре зультаты лишь для энергии пучка ~29 кэВ и не обеспечивает дос таточную поправку для более низких энергий [78]. Бишоп [62] по казал на основании теоретических расчетов, что значения / (у) для образцов с падением пучка по нормали и наклонно к поверхности образца не могут быть связаны простым геометрическим множите лем.
Кривые / (у) были построены, исходя из экспериментального оп ределения ф (рг) как функции рг, рядом авторов [3, 78, 79, 80, 81].« Метод измерения ф (рг), разработанный Кастеном и Дескампсом 179], основан на измерении характеристического рентгеновского
Электронно-зондовый микроанализ |
117 |
излучения от тонкого слоя элемента А' (индикатор), расположенно го на различной глубине в матрице элемента А , и сравнении этого излучения с излучением от изолированного слоя А. Поскольку целью подобных измерений является получение функций срл(рг), элементы А' и А должны иметь близкие атомные номера. Кастен и Дескампс не сумели выполнить это условие в экспериментах на А1, где в качестве индикаторного слоя использовалась Си, и кривые, полу ченные на основании этих данных, применяются для излучения СиК а
Р и с . 8. Распределение по глубине первичного излучения <p(pz) для Al/C^
(------- |
), СиКа (— ) и AuLa (--------- |
) и кривая поглощения (— х —) для элект |
ронов в меди (teu) [3].
в малолегированном сплаве Си—А1, а не для излучения АІ/(а в А1. Данная методика требует введения поправок на поглощение излуче ния элемента А' в поверхностном слое матрицы и на усиление излу чения элемента А' в результате флуоресценции, обусловленной непрерывным спектром, возбуждаемым в матрице. В работах [3, 79, 80, 81] приведены кривые <р (pz) для нормального падения пучка с внесенными поправками, полученные при следующих условиях
(рис. 8):
А1 Ка в А1 |
при |
10, 15, |
20, |
25 и 29 кэВ (Mg) [80], |
C u A a в Al |
при 29 кэВ (Cu) |
[3], |
||
Cu Ka в Cu |
при |
29 кэВ (Zn) |
[3], |
|
AuLa в Au при |
29 кэВ (Bi) |
[3], |
||
Ti Ka в Ti |
при 29 кэВ |
(V) |
[81], |
|
Pb L a в Pb |
при 29 кэВ |
(Bi) |
[81]. |
При угле падения 60° в |
работе [78] приведены |
данные для |
Си А а вСи при 27 кэВ (Zn). |
Поэтам данным были |
определены |
П . Мартин, Д . Пул
соответствующие кривые /(у). Бирке [82—85] попытался построить универсальное семейство кривых F(y) на основе данных cp (рz) из
работ Кастена и сотрудников. Пренебрегая в первом приближении изменением cp (pz) с атомным номером, можно использовать кривую С и К а для широкого круга исследуемых элементов. Для других значений Е 0 функция <р (pz) была получена из кривых глубины про никновения электронов; при этом для данных энергий Е величины
глубин проникновения совпадают с результатами работы [86], а Ф согласуется с кривой проникновения электронов и ф (pz) для Си по данным работ [3, 79]. На основании этих кривых было рассчита но семейство кривых F (у) для различных значений Е 0, примени
мых ко всем элементам.
По-видимому, наиболее надежными являются те эксперимен тальные кривые / (у), которые получены при измерениях тонкого слоя элемента А' (индикатор), а также кривые, полученные Грином. В последнем случае при необходимости вводятся поправки на не точность коэффициентов поглощения и эффекты вторичной флуо ресценции.
Разработан [87] метод проверки экспериментальных данных [3, 28, 73, 78, 80]. По-видимому, в литературе это единственная работа, в которой проведен критический анализ экспериментальных данных / (у). Основой служило допущение, что / (у) может рассмат риваться как функция произведения величин у и эффективной сред
ней глубины ионизации pz*, связанной с пробегом электрона, ко торый вычисляется по закону торможения Бете:
(33)
Основанные на экспериментальных данных графические зависимос
ти от произведения ypz* построены с использованием специальной шкалы для / (у) в предположении, что ф (pz) имеет гауссово распре деление. График представляет кривую, близкую к прямой ли нии для / (у)> 0,5 (рис. 9). Некоторый разброс результатов имеет место для / (у) < 0,5, однако неизвестно, связано ли это с влия нием экспериментальной погрешности или с недостаточностью ypz* для описания зависимости / (у) от Z, Е 0 и Е с. Этот вопрос не может
быть разрешен до тех пор, пока не будет получен больший объем экспериментальных данных для малых значений /(у). В любом случае при этих значениях / (у) трудно рассчитывать на высокую точность количественного микроанализа. Результаты разных авто
ров для зависимости / (у) от ург* хорошо согласуются для большого числа элементов и различных условий возбуждения. График / (у) от