книги из ГПНТБ / Аналоговые запоминающие и адаптивные элементы

147.

Stein

К.

U., Feldteller

Е.

Wall

Streaming

in

Ferromagnetic Thin

F i l m s . —

«Journ. Appl. Phys.», 1967, v. 38.

148.

Телеснин

P. В.

и

др.

Исследование

закономерностей процессов

сползания

доменных

границ в синусоидальных и импульсных

полях. —

«Известия

АН СССР . Серия физическая», 1967, т. 31, № 5.

149.

Kayser

W.,

Pohm

А.

V.,

Samuels

R.

Creep in Magnetic Films, a Phenome-

no-logical Theory. —

« Ш Е Е Trans.»,

1969,

v. M A G - 5 , №

3.

150.

Соколов

А.

В.

Оптические свойства

металлов. M., Физматгиз,

1961.

151.

Киренский

Л. В., Кан С. В. Изучение доменной структуры тонких ферро­

магнитных

пленок

при

медленном

перемагничивании. — «Известия АН

СССР . Серия физическая», 1961, т. 25.

152.

Дятлов

В.

Л.

Об

уравнениях, описывающих

процессы

в ферромагнитных

пленках. — В кн.:

Вычислительные

системы,

вып. 2. Новосибирск,

Изд-во-

СО АН

СССР,

1962.

153.

Spain

R.

J.,

Threshold Fields for Domain Tip

Propagation . — «1ЕЕЕ

Trans.»,

1967,

v.

M A G - 3 , № 3.

155.

Гостев

В.

А.,

Михалева

H.

А.

Требования к

характеристикам

тонких маг­

нитных пленок для применения в адаптивных

элементах,

использующих

движение

доменных

границ. — В

кн.: Тезисы

докладов

X I I I

Всесоюзного-

совещания по магнитным элементам автоматики и вычислительной техни­

ки. Минск, изд-во АН БССР,

1970.

156.

Галанский

В.

М.,

Шерстюк

В.

А.

Структурные

особенности

и магнитные-

свойства

тонких

пермаллоевых

пленок на подслое. — «Физико-технологи­

ческие

вопросы кибернетики». Киев,

1963, вып. 3.

157.

Feldtkeller

Е.,

Stein

К-

U.,

Harms

Н.

Improved

Magnetic

Film

Element

for

Memory Application. — «Ргос. Intermag Conf.»,

1965.

158.

Жариков

Г.

П.,

Знаменцев

В.

В.

Магнитные свойства

двухслойных:

пленок. — «Физико-технологические

вопросы

кибернетики»,

Киев,

1966,.

вып. 1.

159.

Domains

and Domain-Wall Motion in Grain-Oriented 50-percent

Ni —

Fe

Tapes. — « 1 Е Е Е Trans.», 1969,

v. M A G - 5 , № 3.

160.

Галанский

В. M. и др. К вопросу об управлении величиной коэрцитивной

силы тонких

магнитных

пленок. — «Физико-технические

вопросы

киберне­

тики»,

Киев,

1969,

вып.

2.

161.

Green

A.,

Prutton

М., Carter

W. S. A Polarizing Microscope

for

Observa­

tion of Magnetic Domains. —

«Journ.

of Scient.

Instruments*,

1963,

v.

40,.

№ 10.

162.

Kaenal

P.

Functional Domain Wall Propagation Wire Devices for

Use

in

Digital

Applications. — « 1 Е Е Е

Trans.», 1967, v.

M A G - 3 ,

№

3.

163.

Herickhoff

R.

J.,

Chaffin

J.

H.

Flux

Storage

Characteristics

of Thin Mag ­

netic

F i l m s

for

Analog

Operation. — « 1 Е Е Е

Trans.»,

1968,

v.

MAG-4,.

нитных

пленках — основа построения адаптивных «весовых» элементов. —

В кн.:

Магнитные элементы непрерывного действия. М., .«Наука», 1972-

169.

McCormac

Т.

L.,

Capell

W.

J. Intergrated Magnetic Variable-Gain Net­

works. — Lab.

for Electr. Inc.,

Boston,

Mass,

First

Interim Techn. Rept.

Contract A F 33 (615)-2273, 1965,

April.

170.

Boyarchenkov

M. A.,

Gostev

V. A., Raev

V. K-

Using

of Domain Tip Mo­

tion in Thin Permalloy

Films

in Construction of Adaptive

Weight. — «Ргос.

Intermag.

Confer.,

Workshop

on Memory Technology*,

NM-72-6,

Kyoto,

1972.

171.

Шорыгин

А.

П.

Электрохимические элементы. — «Автоматика и

телеме­

ханика»,

1966, т. 30, № 8.

173.

Kierunki

rozwojowe

w

dziedzinie

elementow automatyki

(pod redakcjg

M. Nalecza), WNT, Warszawa, 1969.

174.

Gambardella

G.,

Rapisarda

F. A., Trautteur

G. Electrochemical

variable re­

sistors. — «Alta

Frequenza»,

1965, v. 34, № 8.

175.

Hawkins

J.

K.

Liquid

State

Electronics. — «Science

Journal*,

1966, v. 2,

№ 11, p. 64—69.

176.

Solion

Instruments

and

Devices.,

№

106,

1964,

July,

Self-Organizing

Systems

Inc., Garland Tex., U S A .

177.

Norman

R. S., Hewlett

C.

W., Marcotte

G. M. Solion Tetrode a Reliable

Integrator and Memory

Device. — « 1 Е Е Е

Trans.*, 1966, v. IM-15, № 3.

178.

Шорыгин

А. П. Электрохимические элементы; классификация, общие осо­

бенности. — «Энциклопедия

измерений,

контроля и автоматизации», М.,

«Энергия», 1967, вып. 8.

179.

Шорыгин

А.

П.

Электрохимические

адаптивные

элементы. — «Труды

186.

Solion

in

Adaptive Learning

Unit

(Cognitive Hibrid

Intelligent

Learning

Device;

Selforganizing

Systems

Inc.,

U S A ) . — «Electronic

Components*,

1963,

v.

4,

№

10.

187.

Beusman

С.

C.

Electrochemical

Devices

for Timing

and

Switching

Applica­

t i o n s . —

« 1 Е Е Е

Intern. Conv. Rec.», 1964,

March, pt

8.

188.

Heumann

H.

Electrolytic

Timer. —

«Control Engineering*, 1963,

v.

10, № 8.

мическим

времязадающим

элементом. — «Приборы

и

системы

управле­

ния»,

1972,

№

8.

191.

Electrochemical Timer. —

«Electrical Design*,

1966,

v.

14,

№ 3; Application

Sought

for

New

component. —

«Electronics

&.

Power*,

1972,

№

7.

192.

Графов

Б.

M.

Прохождение

тока

через

растворы

электролитов. — В

кн.:

Электрохимические

преобразователи

первичной

информации

(под

ред.

П. Д. Луковцева). М., «Машиностроение»,

1969.

193.

Графов

Б.

М.

К

теории

электрохимического

диода. — «Известия

АН

СССР . Серия химическая», 1964,

вып.

5.

194.

Шорыгин

А.

П.,

Казарян

Э.

В.,

Гварамадзе

Л. Л.

О

связи электрических

процессов и оптических явлений в ртутно-капиллярных

ячейках. —

«Элек­

трохимия»,

1971,

т. 7,

вып.

3.

195.

Левин

В.

Г.

Физико-химическая гидродинамика. М.,

Физматгиз,

1959.

196.

Феттер К- Я. Электрохимическая кинетика. М.,

«Химия»,

1967.

197.

Кинетика электронных процессов. М., Изд-во

МГУ, 1952. Авт.: Фрум-

кин А. Н., Багоцкий В. С , Иофа 3. А., Кабанов Б. Н.

198.

Нигматуллин

Р. Ш. Теория переходных процессов в цепи с электрохими­

ческим

диодом. — «Труды

Казанского

авиационного

института»,

1963,

вып.

73.

199.

Нигматуллин

Р.

Ш.

Теория

электрохимического

диода. — «Доклады

АН

СССР»,

1963,

т.

150.

200.

Нигматуллин

Р.

Ш.

Теория

электрохимического

диода. — «Труды

Казан­

ского

авиационного

института»,

1964,

вып.

82.

201.

Деляхей

П.

Новые приборы и методы в электрохимии. М., Изд-во

иностр.

лит.,

1957.

202.

Дамаскин

Б.

Б. Принципы современных методов изучения электрохимиче­

ских реакций. М., Изд-во МГУ,

1965.

203.

Нигматуллин

Р.

Ш.,

Баулов

Е.

Ф.,

Гордеева

А.

П.

Использования

ЯС-двухполюсников в качестве электрохимических аналогов диффузион­

ного сопротивления для решения задач линейной и сферической диффу­

зии. — «Труды

Казанского

авиационного

института»,

1968,

вып.

94.

204.

Geurst

J.

A.

Calculation of High Frequency Characteristics of Thin - Film

Field-Effect

Transistors. —

«Solid-State Electronics*,

1965,

v. 8,

№

1.

205.

Brume

R.,

Ebest

G.

Messung

der

Bahnwiderstande

von

Feldeffect-Transis-

toren. —

«Nachrichtentechnik»,

1968, v. 18, H . 10.

206.

Захаров

В.

M. Электролитический преобразователь сопротивления. А. С.

№ 122798

( С С С Р ) .

Опубл.

в

«Бюл.

изобрет.

и

товарных

знаков»,

1959,

207. Widrow

В.

Birth, Life

and Death in Microelectronic Systems. — «IRE

Trans.»,

1961,

v. M J L - 5 ,

№ 4.

208.

Боровков

В.

С,

Трейер

В.

В.

Электрохимические

аналоговые

запоминаю­

щие элементы

для

устройств

автоматики

и вычислительной

техники

(Под.

ред. А. П. Шорыгина). М., Изд. МИРЭА,

1967.

209.

Боровков

В.

С.

Твердофазные

электрохимические

преобразователи. —

В кн.: Электрохимические преобразователи первичной информации. М.,

«Машиностроение»,

1969.

210.

Kiryluk

W.

Electrochemical

Current

Integrating

Memory

Cell

with

Analo-

que Resistive

Readout. — «Instrument

Practice*,

1965,

v.

19,

№ 4.

211.

Белевцев

А.

Т.,

Воронков

Г.

#.,

Лидоренко

Н.

С.

Электрохимическое

управляемое

сопротивление. — «Приборостроение»,

1966,

№

8.

212.

Боровков

B.C.,

Луковцсв

П. Д.,

Панов

В. А.

Изучение

процессов

в

элек­

трохимическом

управляемом

сопротивлении. — «Электрохимия»,

1968,

т. 4, вып. 8;

1969,

т. 5,

вып. 3;

т. 5,

вып.

5.

213.

Трейер

В.

В.,

Боровков

В.

С.

Исследование

электрического

поля

ячейки

электрохимического управляемого сопротивления. — «Электрохимия»,

1965,

т. 1, вып.

9.

214.

Zaromb

S.

Geometric

Requirements

for

Uniform

Current

Densities

of

Sur­

face Conductive

Insulators

or

Resistive

Electrodes. — «Journ.

Electrochem.

Soc.». 1962, v. 109, № 10.

215.

Полцкаров

Ю. M.,

Кузнецов

В. А. Старение электрохимических осадков

меди. — «ЖФХТ»,

1962,

т. 36,

№

11.

216.

Вайнштейн

М.

3.,

Луковцев

П.

Д.

Исследование процессов на цилиндри­

ческом микроэлектроде ЭУС . — В кн.: Электрохимические процессы при

электроосаждении

и

анодном

растворении металлов.

М.,

«Наука»,

1969.

218.

Дмитриев

Ю. С,

Муртазина

А. А.,

Колосов А. С. Исследование импедан­

са медного электрода

в сернокислом растворе. — «Электрохимия»,

1969,

т. 5, вып.

5.

219.

Шорыгин

А. П. Исследование входных, выходных и передаточных харак­

теристик

твердофазных

канальных

электрохимических триодов. —

«Элек­

трохимия», 1968,

т. 4, вып.

12.

222.

Шорыгин

А.

П.

Об эффектах высших

порядков при

несинусоидальной

поляризации

в электрохимических

ячейках. — «Электрохимия»,

1969,

т. 5,

вып.

3.

223.

Analogue

Signal

Store. — «Measurement and Controb,

1962, v. 1,

№

3.

224.

Управляемое

электрохимическое сопротивление. А. С. № 189928

( С С С Р ) .

Опубл. в бюлл. «Открытия. Изобретения. Пром. образцы. Товарные зна­

ки»,

1966,

№

1.

Авт.: Боровков

В . С ,

Панов В.

А.,

Морозов

В.

П.,

Гуржеев

В. Н.

226.

Переходные

характеристики аналогового

элемента памяти

на ртутном ку-

лонметре. — «Новое

в производстве химических источников тока», 1969,

вып.

9

(изд. В Н И И Э М ) . Авт.: Лидоренко Н. С ,

Воронков Г. Я.,

Ефре­

мов Д . И., Глазков В. Е.

227.

Powers

R. A., Thomas

А. В. U S . Pat. № 3223639,

1965.

228.

Соколов

Л.

А.

Концентрационные

электрохимические

преобразователи. —

В кн.: Электрохимические

преобразователи

первичной информации. М.,

«Машиностроение»,

1969.

229.

Hawkins

J. К.,

Nave

P. М. Large Signal and Transient Characteristics of

Electrochemical

Amplifiers. — «Ргос. Ш Е Е » ,

1965, № 11.

230.

Estes

N. N.

Solions,

their

Characteristics

and Commercial

Applications. —

« 1 Е Е Е Trans.»,

1963, v. IE-10,

№ 1.

231.

Нигматуллин

P. 111. Статические

вольт-амперные

характеристики

концен­

трационных

преобразователей

электрических

сигналов. — «Труды

Казан­

ского

авиационного

института», 1970, вып. 104.

232.

Komei

A.,

Fakecugu

Н.,

Fucuda

М.

Studies

on

an

Electrochemical

Integrator. — «Denki

Kagaku»,

1965, v. 33, № 11.

237. Шорыгин А. П., Казарян Э. В., Гварамадзе Л.

Л. Характеристика ка­

пиллярных ртутно-электролитических интеграторных триодов с резистив-

ным неразрушающим считыванием. — «Известия

АН Арм. ССР . Серия

технических наук», 1973, вып. 6.

240.

Поляков

В. В.,

Кассациер

К-

Е.

Адаптивный

элемент

памяти.

А. С.

№ 217052

( С С С Р ) . Опубл. в бюл. «Изобретения. Промышленные

образ­

цы. Товарные знаки», 1968, № 15.

241.

Гварамадзе

Л.

Л., Шорыгин

А. П.

Сравнение

характеристик

аналоговых

запоминающих

элементов

на

основе твердофазных электрохимических

преобразователей. — «Приборы

и системы управления»,

1972,

№ 6.

243. Шорыгин А. П.,

Гварамадзе

Л. Л. О действии униполярных

импульсов

тока на капиллярную ртутно-электролитическую

ячейку

с коротким меж­

дуэлектродным

промежутком. — «Электрохимия»,

1973,

вып.

6.

245.

Collins J.

L. The Solion, a

Liquid State Device. — «Naval Res. Rev.»,

1964,

№ 8.

246.

Шорыгин

А. П.,

Гварамадзе

Л. Л. О действии униполярных одиночных

импульсов

тока

на ртутно-капиллярную ячейку. — «Электрохимия»,

1973,

т. 9, вып.

6.

Оглавление

Предисловие

5

• • • • • • • • • • • • • • • •

Введение

В-1.

Определение

аналоговых

запоминающих

элементов (АЗЭ) и адаптивных элементов

(АЭ)

9

В-2.

Основные

характеристики

АЗЭ

и

АЭ

14

В-3.

Средства построения АЗЭ и АЭ

20

Часть

1

Магнитные

аналоговые

запоминающие

и

адаптивные

элементы

Глава

первая.

Запись

информации

в магнитные

АЗЭ

и АЭ

1-1.

Запись в тороидальные магнитные сердеч­

ники

35

1-2.

Запись

в аналоговые матричные

ЗУ

46

1-3.

АЗЭ и АЭ

на разветвленных магнитных сер­

дечниках

61

1-4.

АЗЭ на сердечниках с составным магнито-

проводом

68

1-5.

АЭ на тонких магнитных пленках. Запись

информации

69

Глава

вторая.

Считывание

аналоговой

информации

в магнитных

АЗЭ

и АЭ

2- 1.

Считывание

в

тороидальных

магнитных

сердечниках

с разрушением

информации

83

2-2.

Неразрушающее

считывание

информации

высокочастотным

полем

88

2-3.

Неразрушающее

считывание

возбуждением

короткими

импульсами

тока

103

2-4.

Неразрушающее

считывание

с

использова­

нием механического ультразвукового воз ­

буждения

106

2-5.

Неразрушающее

считывание

с

разветвлен­

ных магнитных сердечников

106

2- 6.

Неразрушающее считывание в АЭ на

тон­

ких магнитных пленках

(ТМП)

116

Глава

третья.

Принципы

построения

устройств

на

основе

АЗЭ

3- 1.

Аналоговые

запоминающие

элементы

и

устройства

122

3-2.

Аналоговые

сдвиговые

регистры

(АСР)

131

3-3.

АЗЭ в аналоговых и аналого-цифровых вы ­

числительных устройствах

138