книги из ГПНТБ / Гущо Ю.П. Фазовая рельефография
.pdfВ частном случае при Юм = сор формулу (6-10) можно записать проще:
____ Ч(-0С/->/7рМ]П;С___ |
1— ■ |
--Ш t |
Рср — |
— е |
|
? м а м Л т ( 4 G P + a p F ) « О м |
|
|
(6- 11)
Применение полученных в этом параграфе выраженнй'для расчета тех пли иных параметров или характе ристик системы РЗС зависит от ее конкретного назна чения. В следующих двух параграфах мы рассмотрим применение этих выражении для расчета оптимального континуума геометрических, электрических и механиче ских параметров деформируемого слоя для систем РЗС.
6-3. Расчет оптимального континуума параметров
деформируемого слоя системы РЗС с помощью формулы
чувствительности (6-5)
Данный расчет по формуле чувствительности (6-5) целесообразно проводить для тех систем РЗС, в кото
рых |
процессы |
проявления |
и воспроизведения |
записи |
|||||
|
|
|
разделены. Такой режим рабо |
||||||
|
|
|
ты |
этих систем |
часто |
приме |
|||
|
|
|
няют при использовании тер |
||||||
|
|
|
мопластических |
|
носителей. |
||||
|
|
|
В случае |
большой |
длительно |
||||
|
|
|
сти цикла «запись — стирание» |
||||||
|
|
|
(более |
0,01 сек) |
этот |
расчет |
|||
|
|
|
можно |
произвести |
и |
для си |
|||
Рис. 6-2. Графики зависимо |
стем с одновременным прояв |
||||||||
лением |
и |
воспроизведением |
|||||||
сти /1о в относительных еди |
записи. |
|
|
|
|
|
|||
ницах от толщины слоя d |
|
Для |
случая термопластиче |
||||||
при |
отпимальном |
контину |
|
||||||
уме всех других парамет |
ских слоев выпишем |
типичные |
|||||||
ров. |
|
|
значемия иезависимых величин, |
||||||
|
|
|
входящих в формулу (6-5): |
||||||
е1 = 2,8; 82= |
1; е0= 8,85 • Ю” 12 ф/М] «в= 10-"-г-10- я сим-, |
||||||||
y>vl= 1 0 -13H-10~15 сим/м; |
kvz— O; |
а = |
0,03 н/лг; |
G = 103-f- |
|||||
104 |
н!м2\ ц = (0,5-J-2) • 103 н-сек/м2; |
d = (5ч-30) ■10—6 иг; |
А, = 40-10-6 м.
Значения щ и а0, не влияющие на определение опти мального континуума параметров слоя, для определен ности положим равными единице.
120
Задавая шаг изменения величин xs; хуц G; ц; d, оп ределим такой набор этих пяти параметров, чтобы вели чина Л0 оказалась наибольшей. Набор параметров, при
котором А0 оказывается наибольшей, |
назовем оптималь |
||
ным континуумом параметров. |
сделанный на ЭВМ, |
||
Расчет оптимального континуума, |
|||
приводит к |
следующему результату: x s = 1 0 -13 сим-, |
||
xyi —1,6*10-14 |
сим/м; |
G = 0,12 • 10-4 |
н/м2; jo.= 0,5 • 103 |
н-сек/м2; й = 0,3-10-4 м. |
Имея этот континуум, оценить |
влияние изменения каждого из этих пяти параметров на величину Л0 можно с помощью формулы (6-5). При этом другие параметры слоя целесообразно взять из опти мального континуума. В качестве примера на рис. 6-2 изображен график зависимости А0 от толщины слоя d. Из рассмотрения графика следует, что чувствительность записи быстро растет с увеличением d только до значе ний d = K/2.
6-4. Расчет оптимального континуума параметров
деформируемого слоя системы РЗС с помощью формулы
среднего коэффициента светоотдачи
Результаты этого расчета применимы для систем РЗС, регистрирующих и отображающих входные сигна лы в реальном масштабе времени. Типичный представи тель систем РЗС этого вида-—проектор «Эйдофор».
Для масляных деформируемых слоев характерны
следующие значения исходных величин, |
входящих в фор |
мулу (6-10): |
10- 9ч-10-12 сил*; |
ei= 2,8; 82— 1 бо = 8,85 • 10-12 ф/Л4; xs= |
xvi = 10_7ч-10~10 сим/м.; ху2=0; а=0,03 н/м; G = 0;
р= 0,1ч-5 н-сек/м2; d— (5ч-200) • Ю-0 м; А,=200-10_6 м; /от= 0,02 сек.
Коэффициент в формуле (6-10), равный /шсХ ХооОфмакс/фмако и не влияющий на подбор оптимально го континуума параметров деформируемого слоя, при мем равным единице.
'Задавая шаг изменения величин xs; х»уц ц и d, опре делим такой набор значений этих четырех параметров, при котором величина рор оказалась бы наибольшей.
Для того чтобы запись в новом цикле начинать на выровненную поверхность, необходимо в расчеты ввести условия
/о<^/ст И ро5^ Юр (Д т ) > |
( 6- 12) |
121
где р(Дт) —значение светоотдачи, вычисленной по фор
муле (6-7) при |
t= tст. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Расчет оптимального континуума параметров, вы |
||||||||||||
полненный |
на ЭВМ, |
приводит к следующему резуль |
||||||||||
тату: |
с?= 15,5 |
мкм\ |
xs=10-12 |
сим; |
xyi=10~10 сим/м\ |
|||||||
(.1= 0,1 н-сек/м2. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Оценим влияние изменения каждого из этих четырех |
||||||||||||
параметров |
на величину рср, взяв другие параметры из |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
оптимального континуума. |
||||||
|
|
|
|
|
|
сти |
Графики рС в зависимо |
|||||
|
|
|
|
|
|
от Ks; |
иу; |
р, |
и d по |
|||
|
|
|
|
|
|
строены на рис. |
6-3. |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
Из графиков видно, что |
|||||
|
|
|
|
|
|
светоотдача |
монотонно рас |
|||||
|
|
|
|
|
|
тет с увеличением поверхно |
||||||
|
|
|
|
|
|
стной |
и объемной |
проводи |
||||
|
|
|
|
|
|
мостей и вязкости материала |
||||||
|
|
|
|
|
|
слоя. |
Зависимость |
же рср |
||||
о м 40 |
-11 |
1 |
5 |
тсек/м-1 |
от толщины слоя имеет чет |
|||||||
'--- -J—r-- L |
|
|
V. |
d. |
ко |
выраженный |
максимум. |
|||||
10 |
VI |
|
|
Этот |
максимум |
обусловлен, |
||||||
им-'-*4 -3 |
|
|
||||||||||
Рис. 6-3. Графики |
зависимости |
с одной стороны, ростом |
||||||||||
плотности |
эффективных |
|||||||||||
Рср от |
параметров |
xs, |
ху, |
р |
электростатических сил и, с |
|||||||
и d. |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
другой, |
снижением чувстви |
тельности собственно деформируемого слоя при умень шении его толщины. Для найденного набора оптималь ных параметров светоотдача максимальна при d = = 15,5 мкм, что составляет около 0,1 от периода электри ческого растра X. Светоотдача для данного континуума параметров перестает зависеть от d при увеличении по следней свыше 120 мкм. Ее значение при этом равно
0,6 рср.маис-
6-5. Светоотдача, кривая свечения и чувствительность систем РНС
Как и для систем РЗС, светоотдачу систем РНС при заданной глубине синусоидальной фазовой решетки можно рассчитать с помощью выражений (4-12) или (4-15). В этом случае расчет р также сводится к вычис лению глубины рельефа А.
Определим зависимость глубины рельефа синусои дальной фазовой решетки от времени для систем РНС
122
при воздействии входного сигнала U (х) |
вида |
||
I U (д-) = |
U0-j- Ur cos (Зл' при 0 < |
/ < tK; |
|
( U (л) = |
0 |
при t > i “K, |
|
где /и — момент отключения |
сигнала U(x). |
||
При подавлении |
частотных искажений при переходе |
от потенциала на управляющей плоскости к плотности сил (см. § 2-6) с помощью формул (2-42), (3-9) и (3-23)
получим следующие выражения, описывающие кривую
свечения, |
незаряженного |
деформируемого |
слоя: |
|
|
|
||||||||
|
|
-4орР+ ^ д |
|
- |
e~""t ) ПРИ 0 < |
t < |
|
(6-13) |
||||||
Al3 |
' |
|
р |
р |
|
|
—Щ / —Шt |
|
|
|
|
|
||
|
|
-4GP+TPV-- |
|
( * ~ g |
МК) е |
“ п р и ' > ' - |
|
(б'14) |
||||||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
D ___e0e2 ^ 0 ^ iP |
|
|
|
|
/ д |
i |
||
|
|
|
|
|
|
7 ”3^ |
/shp/ |
|
|
|
|
|
|
|
—• амплитуда плотности |
электростатических сил, |
деист- |
||||||||||||
вующих на незаряженный деформируемый слой. |
|
|
||||||||||||
Кривая |
свечения |
типичного |
|
|
|
|
|
|
||||||
вида |
незаряженного |
деформи |
|
|
|
|
|
|
||||||
руемого |
слоя |
приведена |
на |
|
|
|
|
|
|
|||||
рис. 6-4. |
|
|
3/шы- |
При |
|
|
|
|
|
|
||||
Обычно |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
этом |
условии |
в |
величина |
|
|
|
|
|
|
|||||
ехр(—сом/к) <С 1, |
и |
формуле |
|
|
|
|
|
|
||||||
(6-14) |
ею можно |
пренебречь. |
Рис. 6-4. Вид типичной |
|||||||||||
Из |
выражения |
|
(6-13) |
при |
||||||||||
|
кривой |
свечения |
незаря |
|||||||||||
t = tK |
получим |
формулу |
|
чув |
женных |
деформируемых |
||||||||
ствительности |
незаряженных |
слоев. |
|
|
|
|
||||||||
деформируемых |
слоев |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
H U J J f [1 — exp ( ' wmG)] |
|
(6-16) |
||||||
|
|
|
Анз — ' |
/ sh pi (4G + |
арF) |
|
|
|
||||||
При условии |
(к )> 3/шч |
формулу (6-16) |
можно |
упро |
||||||||||
стить: |
|
|
|
д |
|
— _____________ |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
(6-17) |
||||||
|
|
|
|
0113 |
/ sh |
р/ (4G + |
арF) • |
|
|
|
' |
> |
||
График |
нормированной |
частотной |
характеристики |
|||||||||||
Ло на, |
вычисленный |
|
по |
формуле |
(6-17) |
при |
условии |
|||||||
4-G^ap/7, |
|
типичном |
для |
гелеобразных |
слоев, |
приведен |
123
на рис. 6-5. Как видно из графика, чувствительность гелеобразного слоя имеет оптимум, зависящий от отно шения d/l. С уменьшением d при /= const чувствитель ность слоя уменьшается. Однако вершима частотной ха
рактеристики становится более |
плоской. Другими сло |
||||||
5 |
|
|
вами, с уменьшением d, проиг |
||||
|
|
рывая в чувствительности, мы |
|||||
4 |
|
|
можем расширить спектр запи |
||||
3 |
|
|
сываемых |
частот |
входного сиг |
||
|
|
нала. |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
Из |
рассмотрения |
формул |
||
1 |
|
|
(6-13) |
и |
(6-14) |
следует, что |
|
|
|
оптимальное время проявления |
|||||
О |
|
|
записи на незаряженных слоях |
||||
|
|
совпадает с /к. |
|
|
|||
Рис. 6-5. График зависимо |
Если величина А0нз извест |
||||||
на, параметры щелевой оптики |
|||||||
сти нормированной |
макси |
системы |
РНС всегда |
можно |
|||
мальной |
глубины |
канавки |
|||||
незаряженных -слоев от па |
выбрать так, чтобы коэффици |
||||||
раметра |
(3/. |
|
ент светоотдачи оказался ли |
||||
фазы. |
При этом условии |
нейной |
функцией |
угла |
набега |
||
коэффициент светоотдачи для |
систем РНС вычисляют, как и для систем РЗС, по фор мулам (6-7) и (6-8) с заменой А на Лнз и Л0 на /10ц3:
_ |макс_/га)сД 13;
Риз
Т Ш К С
Ронз -= * ™ пШсАвт.
тыакс
Среднюю величину светоотдачи
можно определить по формуле
(6-18)
(6-19)
для систем РНС
Рср.нз---- |
|
Рыакс,гсйс7'>яз^Г___ / |
j _ i |
i |
|
УмакЛхШ». (4GP + o-r-F)' |
|
Г |
|||
^ —СО t |
--2СО t |
—Ш t |
—ц> (/ + / ) |
||
+ 2е " к — |
е м к — |
е “ 0 Т + е “ к |
с т ) . ( 6 - 2 0 ) |
||
При t > 3/шм формула (6-20) выглядит проще: |
|||||
Рср.нз |
|
РмаксЩСРсР113^ |
/ |
|
|
|
,Й2£*» ''К* |
|
|||
|
|
Умам/стИбР + а?2Г) |
|
|
Как и для систем РЗС, для систем РНС с помощью полученных в этом параграфе выражений можно опре делить оптимальный континуум параметров деформиру емого слоя или всей системы записи в целом.
124
6-6. Динамическая поверхность проявления
Выше было показано, что выходные характеристики системы фазовой рельефографип зависят от вида ее кривой свечения A(t). Эти кривые для различных режи мов проявления и стирания записи можно рассчитать пли снять экспериментально.
'На кривой свечения можно выделить два характер ных момента времени (см. рис. 3-10): время /0, при ко тором глубина канавки максимальна, и условное время
Рис. 6-6. Динамическая поверхность |
проявления. |
||
/ — зона проявления записи; |
2 — зона стирания записи; |
||
Л0(/о) — плоскость |
оптимальных режимов |
проявления; |
|
/о и Тг, — время и |
температура |
наилучшего |
режима про |
явления, при котором глубина |
канавки максимальна. |
ter, соответствующее моменту стирания записи, напри мер, на условном уровне 0,1 Дс.
Если построить семейство кривых A( t ) для различ ных температур проявления Т, то можно получить зави симость A{t, Т), которая в геометрической интерпрета ции представляет собой поверхность, изображенную на рис. 6-6. Эта функция двух переменных полностью опи сывает динамику процесса образования и стирания рельефа, поэтому графическое представление Д(£, Т)
называют динамической поверхностью проявления.
На рис. 6-6 показаны три важнейшие характеристики этой поверхности: t0{T), tC7{T) и Ло(М-
Кривая оптимальных режимов проявления U(T) де лит плоскость времени и температуры проявления на зоны проявления и стирания записи. Для твердых носи-
125
телей записи по этой кривой может быть определен ре жим оптимального проявления (Го, /о) - В случае систем с жидкими носителями, в которых заданной величиной является длительность кадра, для данной длительности кадра по этой кривой можно определить наилучший тем пературный режим масла. С помощью зависимости М П можно найти время стирания записи при задан ной температуре стирания. Пространственная кривая чувствительности /10(Ф) позволяет оценить изменение глубины канавки для всех возможных режимов проявле ния и определить нанвысшую чувствительность носителя записи.
Итак, динамическая поверхность проявления в наи более простой форме отражает поведение выходного па раметра записи на деформируемом слое в зависимости от режима проявления пли стирания. В сочетании с мо дуляционными характеристиками эта поверхность по зволяет полностью оценить возможности рассматрива емого носителя записи. Под модуляционными характе
ристиками A (S) понимают |
зависимости глубины |
канавки А от внешнего сигнала 5 |
(заряд, электрическое |
или магнитное поле, световой поток и т. д.), полученно го для нескольких характерных режимов проявления.
Из сказанного следует, что испытывать и сравнивать
разрабатываемые слои различных видов можно по четы рем характеристикам1: 1) /о(П'> 2) /от(П; 3) Л0(^о);
4)A (S).
При применении твердых деформируемых слоев тем
пература проявления в ряде случаев не является посто янной величиной. Однако динамическая поверхность проявления сохраняет смысл и в этих случаях. При этом на оси температур необходимо откладывать эффектив ное или максимальное значение температуры проявле ния.
Таким образом, динамическая поверхность проявле ния является универсальным инструментом при анализе, расчете и сравнении носителей рельефной записи неза висимо от метода получения поверхностного рельефа и свойств деформируемого слоя.
Вопросы экспериментального ее определения будут рассмотрены в гл. 7.
1 В дальнейшем эти четыре характеристики будем называть
внешними характеристиками деформируемого слоя.
126
Г л а в а с е д ь м а я
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНИХ
ХАРАКТЕРИСТИК ДЕФОРМИРУЕМЫХ СЛОЕВ
7-1. Общие замечания
Экспериментальные исследования в рельефографын развиваются в трех направлениях.
Первое направление составляют опыты по изучению новых видов рельефографических систем пли их компо нент. Подавляющее большинство результатов этих иссле дований отражено в патентной литературе.
Второе направление связано с изучением физико-хи мических, теплофизических и других свойств материалов для деформируемых слоев, а также характеристик уст ройств управления и считывания. Обычно методика этих исследований известна и может быть прямо применена в рельефографии.
Третье направление, которому в основном и посвя щена настоящая глава, связано с изучением внешних характеристик деформируемых слоев.
Как п в теории, в экспериментальных исследованиях в качестве входного сигнала рассматривается либо плот ность заряда, внесенного в деформируемый слой, либо потенциал, распределенный па управляющей плоскости, расположенной вне слоя. Однако в отличие от теории, которая позволяет модели жидкого, упруговязкого и твердого термопластического слоев сводить к частным случаям одной модели Фойта, при экспериментах физи ческое состояние деформируемого слоя сильно сказы вается на методике снятия его внешних характеристик. Экспериментальное получение этих характеристик, как уже отмечалось, связно с регистрацией температурного режима и изменений рельефа поверхности или свето отдачи.
В настоящее время применяют три способа регистра ции изменений рельефа поверхности или светоотдачи.
Наиболее совершенный из них, хотя и самый трудо емкий, основан на применении двухлучевого интерфе ренционного микроскопа МИИ-4. Этот метод позволяет снимать форму рельефа в динамическом режиме син хронно с режимом теплового проявления, например, с помощью киноаппарата. Синхронная регистрация из менений формы поверхности п температурного режима
127
деформируемого слоя позволяет наиболее полно проана лизировать динамику проявления и стираниязаписи.
Поскольку фокусное расстояние выходного объектива МИИ-4 равно нескольким миллиметрам, наблюдать поверхность непосредственно в момент записи очень трудно. Поэтому применять двухлучевой микроскоп для снятия динамики поверхностных изменений удобно толь ко в случаях заранее заряженных термопластических слоев с последующим импульсным тепловым проявле нием.
Другой способ регистрации основан на применении контактного профплографа-профнлометра М201 с корун довой иглой в качестве датчика профиля канавки. Он пригоден лишь для снятия рельефа на затвердевшем термопластике. Достоинство этого способа заключается в простоте и удобстве получения профилограммы на са мопишущей приставке.
Наконец, третий способ основан на использовании оптического устройства считывания. Его применяют главным образом для регистрации изменений рельефа жидких и гелеобразных слоев.
В термопластической записи нанесение потенциаль ного рельефа и проявление можно разделить во време ни. Условия записи на жидких и гелеобразных слоях не позволяют наблюдать изменение рельефа на слое с по мощью микроскопа н тем более профилографа. Поэто му в данном случае считывать запись приходится с по мощью щелевого оптического устройства, используя пря молинейный участок характеристики светоотдачи, на котором глубина канавок при заданной периодичности прямо пропорциональна освещенности экрана.
Важным достоинством третьего способа считывания является получение полной переходно-передаточной функции между входным сигналом (заряд, напряжен ность поля и др.) и выходным (освещенность экрана).
7-2. Внешние характеристики термопластических слоев
Внешние характеристики термопластика мы снимали, используя описанную выше установку для теплового проявления микрорельефа.
Рассмотрим методику получения внешних характе ристик на примере термопластика, изготовленного из пластифицированного полистирола, которому присуща
128
хорошая повторяемость результатов при многократных циклах «запись — стирание» информации1.
Раствор исследуемого термопластика наносили на поверхность датчика температуры, просушивали в тече ние 2 ч на воздухе и затем выдерживали около 6 чв ва куумном эксикаторе. Толщину и равномерность слоя из меряли на двухлучевом микроскопе МИС-11.
Далее на поверхность термопластика наносили элек трический заряд в виде десяти потенциальных полос с последовательно убывающей плотностью заряда. По тенциальный рельеф записывали в вакууме,расфокуси рованном электронным лучом через щель постоянной ширины при ускоряющем напряжении 15- кв. Плотность
тока в электронном |
пучке |
поддерживали постоянной, |
|||
а модуляцию величины заряда, |
|
||||
вносимого в термопластик, осу |
|
||||
ществляли |
изменением длитель |
|
|||
ности облучения |
термопластика |
|
|||
под щелью. Тепловой режим |
но |
|
|||
сителя фотографировали с экра |
|
||||
на осциллографа |
на |
фотопленку |
|
||
(рис. 5-6). Профиль |
канавки |
ре |
|
||
гистрировали |
профилографом- |
Рис. 7-1. График типич |
|||
профнлометром М201. |
|
ной зависимости темпе |
|||
Во всех опытах толщину тер |
ратуры носителя от вре |
||||
мопластика брали равной iOлит. |
мени. |
||||
Толщина |
основы |
из |
ситаллового |
|
стекла составляла 0,5 мм. Как уже упоминалось, тепло вая постоянная датчика такой толщины равна тепловой
постоянной времени лавсановой |
основы толщиной |
0,1 мм. В связи с этим результаты |
эксперимента можно |
применить к используемой в настоящее время термопла стической пленке.
При толщине термопластика 10 мкм перепад темпе ратуры между свободной поверхностью светомодулиру ющего слоя п проводящим слоем незначителен. Поэтому величины температуры датчика и свободной поверхности слоя считали одинаковыми.
Термопластический слой был исследован в диапазоне температур от 65 до 210°С и плотности заряда от 0,8 до
0,2 мкк/смг.
1 Зависимости механических и электрических параметров этого -
материала от температуры приведены на рис. 3-3 н 3-4.
9 — 509 |
129 |