Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

23.10.2023

Размер:

4.89 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 78 / 138 9 10 11 12 13 > Следующая >>>

t no ф-ле (1.10), решая ее относительно

ия

= и в при 1я=1в,

находим

Vv=U*+(Us-L\)y

———

' 1 — ' з

т У

(0,75 — 0,25)-10~3

= 0,6 +

( 1 , 2 - 0 , 6 ) У

\ 5

_ Q i 2 5

) , 1 0 - 3

~ 0 , 8 8 В.

tlo ф-ле (3.82)

рассчитываем

R =

UB — UA

0,88 — 0,08

—

'А—1

= 246 ON.

(4 — 0 , 7 5 ) 1 0 - 3

н по (3.83) находим Е:

E=I.R ! A

R ++ UUA A =

4-10-3.246 +

0,08 = 1,06 В.

Окончательно принимаем R=240

Ом и £ = 1 В. Так как выбранные

значения

R и Е очень незначительно

отличаются

от расчетных, то для дальнейшего расчета

оставляем полученные

ранее значения

IА,

/в, UA

и UB

неизменными.

3. Для нахождения

сопротивления

строим

область

возможных

значений

UQ taf(Ri),

в которых

осуществляется нормальный запуск триггера. Границы

этой области определяются ур-ниями (3.48), (3.49) для

процесса переключения

ы ур-нием (3.50), выполнение которого

обеспечивает невозможность возвратного

переключения ТД после окончания действия запускающего импульса. Кроме того,

границы этих областей определяются ур-ннями					(3.53) и (3.54) для случаев
.»ж»»тс И <« а <тс . Из		(3.48), (3.49) и (3.53) получаем
	V		'Я
=	(5 —4)-10-3.500 —0,08 + 0,1				Л ,
=	Ri~		5 0 7j	:	J—!—-0,if*Ur3Rt-0,l;
	{1/-ив		+	иг)г„
Ri	< ('в—	li)r»	+	UB-Ut
	(0,8—		0,88 + 0,6) 500		: 490 Ом;
					: 490 Ом;

—(0,75 —0,25) 1 0 - 3 - 5 0 0 + 0,88 —0,6

<^<£/Л + £/ = 0,08 + 0,8 = 0,88 в;

UQ > ^ д =	0,08	В.
Из (3.50) и (3.54) находим
Щ < Rt		'—			+ иг =
(5— 0,75)-10-3-500+ 0,1—0,88
*=Ri-		win			+0, 1 = 2 7 - 1 0 - 3 ^ + 0 , l ;
			500
UBri	+	!B г 1 г	н	+ U(ri	+ г»)
		ri	+	rH

0,88-20 + 0,75-10__3 -3 201-500 + 0,8 ( 2 0 + 500)

20 + 500

~ = 0 , 8 5 B ;

U'0 < Us = 0,88 B.

По

полученным

уравнениям

строим

области

U'o=l(Rt)

и UQ=f(Ri)

(рис.

3.15). Находим такое значение,

которое

удовлетворяло бы обеим

областям. Из

рис. 3.15 видно, что

280</?,<490

Ом.

Принимаем

Ri=39Q

Ом

области

U0=f(Ri)

выбираем

соответствующее этому Ri значение UQ

=0,5

(точка Р),

после чего

по

(3.53)

рассчитываем

О, М О - " 6

0,134-10— мкс,

0,8

0,8 + 0,08—0,5

При выбранном

значении Ri верхняя и нижняя границы

области

V^"f(Rt)

определяются

только

выражением

(3.64)

с учетом

Г н з ^ т с

и /иэ 'Стс,

rtosrOM?

нет

необходимости

производить

проверку

обеспечения

необходимого

значения

при

полученной

постоянной

времени. Если при

построении

областей UQ «

— [(Ri)

и UQ =f(Ri)

окажется,

что они не имеют обще!u

Rt,

то необходимо вы

бирать ТД с большим током Л

или

увеличить

амплитуду

за

пускающих

импульсов

рас

чет повторить

заново.

4.Рассчитываем емкость

конденсатора Ci, из ф-лы (3.52) при г д = г ' получаем

Tv,

0,134-10- 6

390 -г- 20 =328 пФ.

Принимаем Ci =330 пФ.
5.	Сопротивление				в	цепи
запуска		Ri	находим		по	фор
муле
		Ri	= Ri	— rt	= 3 9 0 -
		— 3 0 = 360 Ом.
Принимаем			/?1 =	360ом.
6.	Решая			неравенства
(3.89)	и	(3.90), определяем				ин
дуктивность			L ,	полагая		з
(3.89)		( = г 3 =12 6 Ом,
(3.90)		=/•, = 20		Ом:

508 Ъ,0*

Рис. 3.15. Область возможных значений

t/'o =f(RO Д л я триггера на одном ТД со счет ным запуском

L > (5-г 10) (R + г3) tH3 = (5-=-10) (240 + 126)-0, М О - 6 =

=	(183^366) мкГ;	— — - — _
	Т3 (R+r{)	5.1 о ~ 6 (240 + 20)	(260-Т-430) мкГ.
	- 3 X 5 -	3-ь5	(260-Т-430) мкГ.
		3-ь5
Принимаем	L = 300 мкГ.

Г Л А В А Ч Е Т В Е Р Т А Я

Генераторы на диодно-транзисторных элементах

•

4.1. Г Е Н Е Р А Т О Р С Т Д В Ц Е П И Б А З Ы Т Р А Н З И С Т О Р А

Н а р я д у с многими положительными свойствами (простота схем, большое быстродействие, устойчивость к радиаци онному облучению) импульсные устройства на Т Д обладаю т рядом


недостатков. Основными из них являются: м а л а я амплитуда						выход
ных импульсов (0,54-0,8) В и совмещение входных и выходных							за
жимов, что иногда представляет трудности при согласовании							кас
кадов между собой. Эти		недостатки устраняются в схемах,				где	сов
местно используются Т Д		и	транзисторы.
Кроме	того, совместное		использование Т Д		и транзисторов в ря
де случаев	позволяет получать			стабильность	временных парамет
ров генерируемых импульсов при изменении					температуры	значи
тельно выше, чем в генераторах				только на Т Д	или транзисторах.

Известно [22], что устройство, состоящее из транзистора и Т Д , подключенного параллельно участку база — эмиттер транзистора, образует между выводами коллектор—эмиттер нелинейный двух полюсник с S-образпой вольтамперноп характеристикой. Поэтому в генераторах, построенных на основе такого двухполюсника, в ка честве реактивности используют емкость.

Один из вариантов генератора представлен на рис. 4.1а. Гене


ратор может	работать как в автоколебательном		(см. [22]), т а к и в
ж д у щ е м режимах .
Рассмотрим		ждущий режим . Исходное состояние		характеризу
ется низким	уровнем напряжени я на Т Д , при этом ыв =			" т д невелико
и транзистор	Т заперт. Конденсатор С з а р я ж е н		до максимального
^аПрЯЖеЬШЯ UC		— Не max-
С приходом		отрицательного запускающего импульса			Т Д пере
ключается в состояние с высоким уровнем напряжения,					потенциал

базы транзистора понижается и транзистор открывается и насы

щается. Ранее заряженны й конденсатор					С р а з р я ж а е т с я через ре
зисторы Ri и R2. П о		мере р а з р я д а		ток базы и ток Т Д		уменьшаются .
Когда	убывающий	ток Т Д	станет	равным	току / 2 , диод переключа
ется в	исходное состояние		и транзистор		закрывается .	Н а п р я ж е н и е

на коллекторе запирающегося транзистора понижается, и конден сатор С з а р я ж а е т с я через резисторы R2 и RK до напряжения ис =

~ UC max-

Н а рис. 4.16 приведены д и а г р а м м ы напряжений на коллекторе и на базе транзистора, ф о р м и р у е м ы й положительный импульс име ет крутой передний фронт и пологий срез. При запирании транзи стора вначале наблюдается скачок напряжения, обусловленный ре зистором Яг. а затем напряжение уменьшается по экспоненциаль-

— 1 ^

'на ja

Рис. 4.1. Схемы генератора с ТД в цепи базы транзистора:

а) принципиальная; б) диаграммы напряжений на элементах схемы; в) эквивалентная для исходного состояния; г) эквива лентная для процесса разряда конденсатора С

•ному закону. Наличие пологого среза импульса 'является .одним из недостатков генератора.

После з а р я д а конденсатора генератор возвращается в исходное состояние.

Если запертый транзистор представить генератором тока /к<ъ а туннельный диод на туннельной ветви сопротивлением п, то экви

валентная		схема генератора					для исходного		состояния	примет	вид
рис.	4.1 е.
В	соответствии			с эквивалентной				схемой	напряжение,	до которо
го з а р я ж а е т с я			конденсатор				С
		•ц		=	EK(R1		+ r1) +		IKU(R2r1-RKR1)		(4.1)
							R« + Ri + R2 + rx				(4.1)
			С т а х				R« + Ri + R2 + rx
Сопротивление				^	много		меньше	сопротивлений резисторов,			вхо
д я щ и х в выражение					(4.1),	поэтому
	UC	~	U С max '		(£к —		о RK)	RI			(4.2)
	UC	~	U С max '		Rk	+ Ri + Я2					(4.2)
					Rk	+ Ri + Я2

4—191


Чтобы генератор находился в ж д у щ е м режиме, необходимо											вы
полнить	условие
	U,С max		и С max		( £ к	-	/ к 0 Д к )
	+ Ъ		У?!	~	RK	+ Ri + Rt
Д л я	определения длительности						импульса / п	рассмотрим		эквива
лентную	схему		генератора,		соответствующую			высокому		уровню
напряжения		на	Т Д и насыщенному				состоянию	транзистора.
Применив		линейную		аппроксимацию, представим					Т Д на	диффу
зионной ветви приведенным источником н а п р я ж е н и я									e3^Uz	и	со
противлением rs			(1.7), а участок			эмиттер — база		насыщенного тран

зистора соответственно приведенным источником напряжения ев и сопротивлением г^. Тогда эквивалентная схема генератора для про

цесса

разряда

конденсатора

С примет

вид рис. 4.1 г, где

г6 г3

(4.3)

гб

г3

ез

'б +

с б гя

(4.4)

Анализ эквивалентной схемы

с учетом

того,

что

Ri^rSKB<^R2,

дает следующее

выражение

для тока

диода:

r3v.aUc

а х — Ri

(U2

— £"экв)

Ri r3

где

Ri R2

(4.5)

Ri-R*

При t=t„ и iTR

= I z

г экв Uс max — Ri

(^2

— ^экв)

Г Р

/о.

Rir3

откуда с учетом

(4.2) — (4.5)

(U2 — еб)

R1 + R2

L (Я к +

+ Я2 ) (га + г3)

('б + г3)

(4.6)

Температурная

стабильность

длительности

импульсов

генера

тора

определяется

основном

стабильностью

источника

питания

и параметров транзистора и Т Д . Влияние температурной нестабиль ности сопротивлений резисторов и емкости конденсатора на дли тельность импульса может быть скомпенсировано подбором дета лей с различными по знаку температурными коэффициентами, по этому их влиянием можно пренебречь.

Д и ф ф е р е н ц и р у я			выражение (4.6) по Ек,				/«о, е&, И% гъ, т% и 1% оп
ределим относительную				нестабильность длительности					импульса:
б t„ = б ttt ( £ к ) -\|- б ta (7К о) + б fH (еб ) + б t„ (U2) + б f„ ( г б ) +
+	б/и (/-з) +		б^,(/2 ) = б £ к
				( Д к	+ K i +	tf*) (Гб-г-'-з) / 2			я 1 п а
—	б / к 0		!лл!к£б		j	.6	е	fB
	( Д к + Я Н - Я г ) (''б+'-з) ha				I" а		(г б +	г,) l t	a In а
— б г / в		+	г т — • — + б / - б — Г б				- -
	('"б	+	'з) h а	1 п "	(Гб + Гз) 1		п а
	бл 3	^		в / 8 — ! — ,					(4.7)
	(''б +	''з)1па		1па
где
Относительную			нестабильность		длительности			импульса оценим
в интервале температур				(25н-70)"С. Известно [17], что температур

ный коэффициент напряжения отпирания германиевых диффузион


ных транзисторов		Еъ0	отрицателен		и	составляет			примерно
2 мВ/град . Обычно		£ б о ~ (0,1 -=-0,2) В,			поэтому		относительные			тем
пературные коэффициенты				напряжени я е§		и	сопротивления			Гб
участка эмиттер — база открытого и					насыщенного			транзисторов
можно примерно оценить в (l-f-2) %/град .
Одним из достоинств			Т Д	по отношению		к остальным			полупро
водниковым	приборам является повышенная						температурная			ста
бильность их основных параметров . В этом						отношении		Т Д из арсе-
нида галлия наиболее предпочтительны.						Правильным			выбором
концентрации	исходного		материала и		технологии			изготовления

можно довести температурные коэффициенты основных параметров

арсенидо-галлиевых Т Д до		десятых	и д а ж е сотых долей	процента
на 1°С [2].
Однако	Т Д из арсенида	галлия	при работе в режиме	переклю

чения изменяют с течением времени свои характеристики. Это яв ление получило название старения (деградации) ТД . Последние ис следования показали, что если ток на диффузионной ветви ограни

чить величиной (0,33-f-0,67) / 4 , то явлением деградации можно				пре
небречь. Более того, в настоящее время		возможно изготовление		тун
нельных диодов из арсенида галлия с		£ / 3 ЯЙ0,8 В, для которых вы
шеуказанное ограничение тока практически оказывается			несущест
венным [3].
Эксперименты показали, что для диода	типа ЗИ306К. ток /1 с		увеличением
температуры па ГС уменьшается примерно	на 0,06%, а ток / 2 увеличивается на
0,3%. Что касается напряжении (Л, U2 и U3,		то с увеличением температуры на
ГС они уменьшаются примерно на 0,054%, 0,065% и 0,12% соответственно.
Для ТД типа ЗИ306К ( Л - 5 мА, /2 =0,25		мА; £/2 =0,5 В; U3=l	В) темпера

турная нестабильность аппроксимированного сопротивления (1.7) диффузионной •ветви, с учетом полученных выше данных, составляет примерно — 0,1% при

повышении температуры на ГС.
4*	75

Относительную		нестабильность		длительности импульса оценим для генера
тора, собранного на германиевом диффузионном транзисторе					типа	П416Б	и ТД
шпа ЗИ306К, со следующими исходными данными: Е„=—-Q0					В;	6£'к = 5%;	#к =
=0,51	кОм; Я, = 3,6	кОм; Я 2 =0,51		кОм н С=0,47 мкФ. Для	транзистора		П416Б
можно	принять ток	/«о « 8	мкА, а	приведенное напряжение	ее и	сопротивление
го участка эмиттер—база насыщенного транзистора соответственно						0,1 В л\ 220 Ом.
Подставив в выражение			(4.7)	исходные данные, получим	б / п	« — (33 +	68)%.

Знак минус свидетельствует об уменьшении длительности импульса с ростом тем пературы. Полученные результаты показывают, что нестабильность длительности импульса в основном определяется иестабнльностями гц, ев, h и Ек. Нестабиль ность б/„(7ко) в указанном диапазоне температур пе превышает 0,1%, и ею мож но пренебречь.

Экспериментальная проверка показала, что генератор			с	указанными		выше
параметрами в диапазоне	температур (25-4-70)°С	обладает	относительной			неста
бильностью длительности	импульса б / ц « — 6 0 % . Таким образом, генератор					с дио
дом в цепи базы обладает низкой температурной		стабильностью,			что является
его существенным недостатком. Этот недостаток		присущ всем		вариантам		генера
торов с диодом в цепи базы.
Нетрудно заметить, что если максимально уменьшить влияние температурной
нестабильности параметров транзистора е,-, и гъ		на длительность			импульса, то
стабильность / и можно существенно улучшить.

4.2. Г Е Н Е Р А Т О Р С Т Д В Ц Е П И Э М И Т Т Е Р А

ТР А Н З И С Т О Р А

Вгенераторе рис. 4.2а, в отличие от ранее рассмот

ренного, туннельный диод включен в цепь эмиттера	первого тран
зистора. М е ж д у собой транзисторы Ti и 7'2 связаны	коллекторно-

базовой связью. Конденсаторы Ct и С 2 — ускоряющие и иа прин цип работы не влияют. Генератор может работать как в автоколе


бательном, так и в ж д у щ е м режимах . Ж д у щ и й						режим работы		гене
ратора	состоит в следующем .
П а р а м е т р ы генератора			выбираются так,		что Т Д находится			в со
стоянии	с низким уровнем		напряжения . Н а п р я ж е н и е на базе					тран
зистора	7\	« б 1 < 0 , и он открыт и насыщен.			Транзистор		Т2	заперт
напряжением Е§. Конденсатор				С з а р я ж е н	до	напряжения		ис =
= ucmax-	Через Т Д протекают			эмиттерный ток		насыщенного		тран
зистора	7\	и ток делителя,	состоящего из		резисторов Яю		<Re, R5 и

Т Д . Однако сумма этих токов меньше тока h, поэтому исходное со стояние устойчиво.

С приходом запускающего импульса отрицательной полярно сти Т Д переключается в состояние с высоким уровнем напряжения . Потенциал базы транзистора 7\ повышается, и транзистор начинает запираться.. Это вызывает понижение потенциалов коллектора 7^ и базы Т% что отпирает последний. К а к только оба транзистора пе рейдут в активное состояние, в генераторе возникает лавинообраз ный процесс, следствием которого является запирание левого и от пирание и насыщение правого транзисторов. Конденсатор С начи

нает ^разряжаться			ш д в у м	цепям:	ТД—'резистглр		Яъ \\ насыщенный
транзистор Т2		—	резистор	Re- П о	мере	р а з р я д а	конденсатора ток
Т Д уменьшается.
Когда	ток	Т Д	станет равным		току	переключения 1% Т Д		пере
ключается	в	исходное состояние.			Это	понижает	потенциал	базы

т р ан зис т о ра Tt и повышает по
тенциал	коллектора	Г 4 и	базы
72. Оба	транзистора	вновь	ока

зываются в активном режиме. Возникает лавинообразный процесс, 72 запирается, а 7\ отпирается и насыщается . Кон

денсатор	С	з а р я ж а е т с я			через
резисторы Re		и	RK2	до	напря
жения uc=-Uc		max, и		генератор
возвращается		в исходное со
стояние.
Так	как	в	цепи	эмиттера
транзистора 7\			включен		ТД, то

потенциал эмиттера по отно шению к корпусу .всегда мень ше нуля. Поэтому для обеспе чения в генераторе лавинооб разного процесса после пере


ключения			Т Д	в исходное				со
стояние		резистивный				делитель
в цепи		базы		транзистора					Ti
необходимо			подключать				.не		к
коллектору			транзистора				7%		а
к части		резистора			Rvi.
Достоинством этого						генера
тора	является			то,	что		в	нем
сведено		к	минимуму			влияние
температурной				нестабильности
параметров			транзистора					eg	и
Гб на	длительность				генерируе

мых импульсов. Основными дестабилизирующими факторами при

этом являются температурные нестабильности параметров			Т Д и
источника	питания £ к . Что касается	нестабильностей эмиттерного
тока / Э 2 н а с	насыщенного транзистора	72 и обратных тепловых	эмит


терного	/ а о1 и коллекторного		/К 02 токов		транзисторов 7t			и	Т2,	то их
доля в общей нестабильности длительности импульса								($tH)		незна
чительна и их .влиянием на величину Ыи					можно		пренебречь.
Д л я	увеличения стабильности длительности						импульса Т Д			целе
сообразно		шунтировать резистором R			(на рис. 4.2а резистор R по
казан пунктиром.) Резистор			R	уменьшает		постоянную		времени це
пи р а з р я д а		конденсатора С,	и при одной			и той	ж е емкости		конден
сатора длительность импульса				уменьшается. Постоянную					времени
р а з р я д а	можно увеличить, если вместо				резистора Re включить диод
Д. Д и о д	Д	исключает р а з р я д		конденсатора			через	насыщенный
транзистор		7% и постоянная р а з р я д а т р			увеличивается.

В качестве отключающего диода можно 'использовать кремние вые импульсные диоды типов Д219А, Д220 и Д 2 2 0 Б с относительно малыми температурными коэффициентами н а п р я ж е н и я отпирания

Рис. 4.3. Эквивалентные схемы гене ратора с ТД в цепи эмиттера тран зистора:

а) для исходного состояния; б) для процесса разряда конденсатора; в) упрощенная схема для процесса разряда конденсатора

где

и сопротивлениями				постоянному
току. В [15] температурные					коэф
фициенты	для		указанных		типов
диодов	оценены			примерно		в
(О.З-г-0,5)	%	на	Г С .
Д и о д	Д	ухудшает форму				на

пряжения на коллекторе транзи стора Т2 (на рис. 4.26 для этого случая форма напряжения пока зана пунктиром) . Но ухудшение формы импульса можно допус тить, так как выходной отрица тельный импульс снимается с коллектора транзистора Ти где он имеет крутые передний и задний срезы.

Эквивалентная схема генера тора для исходного состояния при линейной аппроксимации харак теристик Т Д и диода Д, без уче та цепи запуска, представлена на рис. 4.3а, где

	Гэкн =	Я Г 1 / ( # + Г1).
Так как	r i ^ R ,	то г Э К В « ; Г 1 .
Будем полагать,			что	транзи
сторы	ИДеНТИЧНЫ		(/?21.3l =		/l2io2 =
= /?21э.	/ к 0 1 =	Л<02 = Л;0,	/бо1 =		/ б о 2 ~
»/ко).	Сопротивление			г у	много
меньше	остальных		сопротивле

ний, входящих в схему генерато ра, и им можно пренебречь. Тогда

для	надежного запирания тран
зистора То необходимо		выполнить
условие
2 =	&б 2 экв Л{ 0 max '	2 экв 5^ О,
		(4.8)

R62^	=	RiRd(Ri	+ Rs);	(4.9)
£ 6 2	3KB =	£ 6 t f l / ( t f l + t f 2 ) .		(4.Ю)
Р е ш а я	(4.8)	с учетом	(4.9) и (4.10) относительно Rz,	получаем
R2<E6/IK0max,				(4.11)

где /к оmax — обратный тепловой ток при максимальной температу ре рабочего диапазона .

Чтобы транзистор 7\ был насыщен, необходимо выполнить ус ловие

			^к1 нас	(^21 э +	') 1к о
				/ I .
				21 Э
Так	Как	ОбЫЧНО	(А2 1Э + 1 ) / К 0 < / к 1 н а с ~ £ к / # к 1 ,			ТО	1*61 ^ Л н н а с »
ttEK/(hZi3		RKl).
Известно fl7], что			межэлектродные н а п р я ж е н и я				транзисторов
слабо	зависят от токов при			степени	насыщения	iV=34 - 5 . Обеспе

чивать высокие степени насыщения нецелесообразно, поэтому для

получения

минимально

возможной

нестабильности

длительности

импульса генератора

необходимо выполнить

условие

гб1 =

i R 3 ~

iRA

= / 6 i „ a c > ( 3

^ - 5

) .

•

(4.12)

"21 Э

Кк\

В соответствии с эквивалентной схемой

(рис. 4.3а)

и с учетом

ТОГО, ЧТО 1к1 = /К 1 Hac>tHl, а

1б1=/б1нас>!1'л4,

•

— /

"к2

(EK—lK0

RK2)

(Rs

+ г д

- f Я^ 2 ) + е д

£ б !

61 нас

/ n

Я 3

(Я6

к 2 +

0() # з

Поскольку

е д

< £ к > / к о # к 2 ,

a . ^ 2 < ( 7 ? 5 + г д

+ . г ^ 2

) ,

то для поактичес-

ских расчетов можно полагать, что

£ к ( Я 5 + г д + < , )

(Я5

# к 2 +

/"д)

Р е ш а я

ур-ние

(4.12) с

учетом

(4.13)

относительно

сопротивле

ния резистора R3,

получим

^213mifi^ K i(^5 +/"Д +

Я к 2 )

(3-5-5)

(/?, + / ? м + гд)

где AaiomiTi — коэффициент

усиления базового тока транзистора при

минимальной температуре рабочего диапазона .

Д л я обеспечения

исходного состояния

необходимо

выполнить

условие

*KI

i<si +

^ 5

< ( ° . 9

^ 0,95) . / l r a f n i

(4.15)

где

гк1 =

•'к! нас »

EjRKl;

(4.16)

*б 1 =

/в 1 нас « ( 3

-т- 5) £К /(Л2 1 э /?K i);

(4.17)

* 5

Я 5 + л д

(R-a +

RK2+rR)

a /imin — минимальное значение тока / ( в рабочем диапазоне тем

ператур.		В случае	использования арсенидо-галлиевых Т Д			макси
мум	тока	I i .имеет	место при	комнатной	температуре, поэтому
hmin	определяется		либо при максимальной		положительной,	либо
при минимальной отрицательной				температуре.

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 78 / 138 9 10 11 12 13 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ