детектора (см. рис. 8.1, б) входное сопротивление определяется диодом и резистором Я, включенными по высокой частоте параллельно, по скольку емкость конденсатора С представляет токам этой частоты весь ма малое сопротивление. Обозначая входное сопротивление диода с учетом реакции нагрузки как Я в* посл, получаем
|
|
|
|
|
|
|
|
Я вх пар |
вх иоспЯ^Я вх |
посл + Я), |
(8.43) |
где Явх посл |
— входное сопротивление |
последовательного детектора, |
величина которого определяется выражением |
(8.41). |
сопротивление |
При больших сопротивлениях |
нагрузки |
входное |
параллельной |
схемы |
детектора |
получается |
равным |
ЯВх пар = Я/3. |
До сих пор предполагалось, что емкость нагрузки выбрана из усло вия 1/(оС Я, что соответствует С -> оо. На практике величина ем кости конечна и уменьшение ее по сравнению с С -> оо приводит к двум нежелательным явлениям — к снижению Кя и возрастанию ц, опреде ляемого (8.8). Следовательно, возникает практический вопрос о выборе реальной величины шунтирующей емкости. Очевидно, желательно, чтобы емкость С была выбрана настолько большой, чтобы Кя мало от личался от максимально возможного значения Кя макс» вычисленного при условии С ОО (/Сд макс = COS 0).
Значение конечной емкости С, при которой |
|
Кл = 0,9КДмакс, |
(8.44) |
называют критическим значением Скр. Последнее обычно определяют из семейства кривых, вычисленных для различных значений параметра БЯ. На основании вычисления величины С„р для различных значений БЯ построен график на рис. 8.12, в котором по оси ординат отложено
безразмерное произведение соСкрЯ, |
а по оси абсцисс — параметр 5 Я. |
Очевидно, |
для обеспечения |
/Сд > |
0,9/Сд ма„с |
необходимо выбирать |
величину |
емкости С > Скр. |
Как |
показывают |
исследования, умень |
шение емкости до нуля (С — 0) снижает Кя до значения, равного Кя -> 1/я. Однако такой результат получен без учета междуэлектродной емкости Сак (Сан » 1 -Ь 3 пФ). С одной стороны, при С = 0 и при условии 1/соСак С R величина Кя может упасть не в я раз по сравне нию с Кя макс» а в десятки и больше раз, поскольку основная часть входного переменного напряжения будет падать на нагрузке и лишь небольшая часть его будет приложена к диоду. С другой стороны, при том же условии 1/юСак < Я и при соизмеримости С « Сак входное напряжение будет перераспределяться между емкостями, что также приведет к значительному снижению коэффициента передачи. Поэтому для увеличения выпрямленного напряжения на выходе детектора ми нимальное значение емкости определяют из условия Смив ^ 10 Сак.
Увеличение шунтирующей емкости способствует уменьшению пуль саций выпрямленного напряжения. При конечной величине емкости напряжение на нагрузке детектора периодически изменяется с частотой входного переменного напряжения от значения исми„ до значения мемакс (рис. 8.13). При воздействии на детектор синусоидального на-
290 ч
пряжения конденсатор заряжается с малой постоянной времени, рав
ной т3 = RiC\ |
в установившемся режиме это соответствует участкам |
АБ, |
А'Б', |
.... |
При мгновенных значениях напряжения на диоде и <С |
< |
«гМа1(0 |
конденсатор будет медленно разряжаться на сопротивление |
нагрузки. Этот неуправляемый разряд характеризуется постоянной времени, равной Тр —RC (участки БА', Б'А", ...), и происходит до тех пор, пока величина мгновенного значения переменного напряжения на диоде не превысит величину напряжения на емкости « > «cMlw-
Коэффициент пульсации, являющийся третьим основным парамет ром детектора, можно характеризовать отношением
Т|п == ( « С макс Ч с мин)/2 | ^ е = |> |
(8.45) |
где 6/_, — выпрямленное напряжение на нагрузке детектора. Величина т]п определяется схемой и параметрами детектора.
В заключение определим внутренние параметры детектора. Их можно рассчитать или найти по характеристикам выпрямления. Для расчета параметров первое выражение (8.37) представим в виде
/_ = — sine — — /_Д. |
(8.46) |
яя
Если свести (8.46) к структуре выражения для закона Ома, то получим
SU . |
sin 0 |
и |
— sin 0 |
|
/ = = — -------0 |
= —П— |
(8-47> |
i+ s r —
яSQ
Сравнивая первое выражение (8.18) с (8.47), приходим к выводу, что параметры детектора можно определить выражениями
|
Рд |
sin 0 |
р __ |
_Д_ |
М-д |
_ 5 |
sin0 |
(8.48) |
|
0 ’ |
~ |
S 0 ’ |
Riji |
я |
|
|
|
|
откуда следует, что рд |
1 при 0 ->- 0; Rta> |
Rt, так как я/© < 1 и |
|
S n < S, поскольку sin 0 /я < |
1. Эти параметры зависят от крутизны' |
|
характеристики диода S |
и угла отсечки 0. |
|
|
|
|
Для графического нахождения параметров детектора по известным характеристикам выпрямления воспользуемся рис. 8.9. Первоначально проведем нагрузочную прямую из начала координат под углом а =
— arctg (1/i?) и определим рабочую точку 0 как пересечение характе ристики при амплитуде U — 1)г с нагрузочной прямой. Задаваясь при ращением амплитуды напряжения на входе детектора ЛU — U2 — Ult построим соответствующее ему приращение выпрямленного тока. Тогда в соответствии с определением параметры рд, 5 Д, R ia в рабочей точке могут быть выражены в виде
Рд |
и ^ 2- и ^ |
S д « |
ов |
|
I/. |
(8.49) |
иг- и 1 |
R |
*Д |
АБ |
|
|
£/2-£ Л |
|
|
Точность определения параметров повышается с уменьшением ин тервалов между соседними кривыми семейства характеристик выпрям ления.
8.7. Детектирование сильного модулированного сигнала на ламповом диоде
Напомним, что при детектировании модулированного сигнала с оги бающей V (t) = U0 [1 + т cos (Ш + ср)1 параметры нагрузки детек тора выбирают л з условия
которое на практике не всегда выполняется идеально, особенно когда частота несущей со соизмерима с частотой низкочастотного сигнала Q. Тогда сопротивление нагрузки детектора на частоте модуляции можно приближенно считать равным сопротивлению постоянного тока Z (jQ) fa та R. В этом случае уравнение детекторной характеристики AU= =
— — — U cos 0 линейного детектора остается справедливым для модулированного сигнала, и можно записать
|
А£Л= (0 = U= (t) = —U0 (1 + т cos (Qt + cp)cos ©, |
(8.51) |
откуда |
AU= (t) представим в виде |
|
|
|
|
|
U= (t) — —U^о — Uq cos (Qt + |
<р), |
|
где £/=„ = |
U0 Кл — среднее значение выпрямленного напряжения, |
причем |
для |
немодулироваиного |
напряжения |
/Сд — cos 0; |
Ua = |
= m(JQK д — полезный результат детектирования. |
|
Следовательно, при аппроксимации ВАХ (8.30) и при выполнении |
условия |
(8.50) детектор не вносит |
искажений и осуществляет идеаль |
ное детектирование модулированного сигнала. |
|
|
В соответствии с определением Кда получаем Кяа = Ад, т. |
е. при |
идеальном детекторе его коэффициент передачи одинаков для модули рованного и немодулированного сигналов.
Равенство Кя = /Сда = cos 0 можно получить также, подставив в (8.19) значения параметров (8.48).
Перейдем к рассмотрению вопроса о нелинейных и частотных иска жениях, понятие о которых было введено в §8.3.
Нелинейные искажения. Как уже было показано, детектирование слабых сигналов всегда сопровождается нелинейными искажениями (8.29). Нелинейные искажения могут возникать и при детектировании сильных сигналов вследствие неравенства сопротивления нагрузки де тектора постоянному току и току частоты модуляции пли из-за инер ционности нагрузки детектора. Им соответствуют условия
Z (Р) = |
~ Да. причем Ra =f*R, Z{jQ)<R, |
(8.52) |
где R, Rq — сопротивления нагрузки детектора постоянному |
току |
и току частоты модуляции соответственно (R — /?=). |
|
Рассмотрим нелинейные искажения, возникающие при неравенст ве сопротивления нагрузки детектора постоянному току и току частоты модуляции; этому случаю соответствует первое условие (8.52). Обра тимся к схеме, приведенной на рис. 8.14, в которой из-за наличия пе реходной цепи между детектором и входом усилителя низкой частоты сопротивление нагрузки для тока частоты модуляции получается рав ным
Rq — RcRKRo + R),
а сопротивление нагрузки постоянному току /?= — Rx -f- R2, причем
R ^ > Rq-
Для выявления возникающих нелинейных искажений обратимся к характеристикам выпрямления, изображенным на рис. 8.15. Они
построены при трех |
значениях амплитуды |
входного напряжения: |
U = U0 (1 + т), U = |
U0 и U = U0 (1 — т), |
причем характеристика, |
соответствующая амплитуде напряжения 11 = 0, представляет собой идеализированную статическую характеристику детектора (8.30). Режим работы детектора в отсутствие модуляции входного напряжения будет характеризоваться рабочей точкой Л; она образуется в результа те пересечения нагрузочной прямой, проведенной под углом а = = arctg (1/7?), с характеристикой, соответствующей амплитуде напря жения U = f/0.
При модулированном напряжении нагрузочной прямой для токов модулирующей частоты будет являться другая прямая, образующая
с осью абсцисс угол р = arctg (1//?я), причем р > а. В отличие от предыдущей нагрузочной прямой она называется динамической и проходит также через рабочую точку А, поскольку положение рабочей точки определяется постоянным напряжением на нагрузке детектора. При уменьшении глубины модуляции входного напряжения точки Б и В будут стремиться к точке А, где Б и В — точки пересечения ди намической нагрузочной прямой с характеристиками, полученными при амплитудах напряжения U — U0 (I + т) и U = U0 (1 — т) соот ветственно.
Очевидно, нелинейные искажения отсутствуют, если нагрузочная прямая пересекается с характеристикой, снятой при U — U0 (1 — т), выше оси абсцисс. При изменении амплитуды входного напряжения пропорционально закону модуляции изменяется выпрямленный ток А/= (Ь> а следовательно, и выпрямленное напряжение (t). Одна ко при увеличении глубины модуляции входного напряжения или, что одно и то же, при уменьшении сопротивления нагрузки Rq точка их пе ресечения может оказаться ниже нуля, что будет свидетельствовать о наличии нелинейных искажений. Действительно, увеличивая глубину модуляции входного напряжения до значения, которому соответствует новая характеристика (пунктирная линия), убеждаемся, что точка пе ресечения Г лежит ниже оси абсцисс. В этом случае при уменьшении амплитуды входного напряжения получается отсечка выпрямленного тока, поскольку в цепи детектора не может быть выпрямленного тока меньше нуля. Возникновение нелинейных искажений, связанных с от сечкой выпрямленного тока, обусловлено действием запирающего на пряжения, образуемого на конденсаторе Ср переходной цепи Ср, Rc. Дело в том, что разряд емкости Ср на суммарное сопротивление R + -f Rc происходит медленно, и в течение времени — t 2, когда диод находится в запертом состоянии, напряжение на конденсаторе практи чески мало изменяется. Следует иметь в виду, что в целях уменьшения частотных искажений в области низких частот QHвеличину емкости Ср
выбирают достаточно большой. Представляя значение запирающего напряжения как
и,, А'д |
R = |
и „ |
R, |
Езап |
/г -f* |
R + R c |
|
R0 |
видим, что для уменьшения £ зап следует либо увеличивать R c, либо уменьшать R (R — /?=). Однако уменьшение R приведет к снижению входного сопротивления детектора, а увеличение R c — к образованию напряжения на входе лампового усилителя из-за действия ионных то ков. Чтобы уменьшить величину £ зап, а следовательно, и степень не линейных искажений, нагрузку детектора разделяют на Rt и R it причем R 2 « 0,1/?! (см. рис. 8.14); последнее связано с уменьшением коэффициента передачи детектора. Положение нагрузочных прямых в плоскости характеристик выпрямления на рис. 8.15 отражает режим, называемый режимом критической модуляции, при котором не воз никает еще нелинейных искажений. В этом случае обеспечивается равенство токов /_, и I&, определяемых выражениями
Iа = |
Uq/Rq = |
tnKPU0Knti/Ra> |
|
/_ = |
U J R ^ |
= U0Ka/R=. |
(8.53) |
Поскольку для идеального детектора Кла = |
Ка, |
то из (8.53) получаем |
ткр ■= R 0/(RC+ R) = /?й//?= . |
(8.54) |
Следовательно, при сопротивлении утечки |
лампового усилителя |
R c та 1 МОм и при нагрузке детектора R ^ |
100 кОм получаем величи |
ну ткр < 0,9. |
|
|
|
|
Таким образом, при нагрузке детектора R — 100 кОм его входное сопротивление R BX та 50 кОм может сильно шунтировать контур узко полосного усилителя промежуточной частоты, ухудшая тем самым из бирательность и чувствительность приемника. Если же разделить на грузку на R t и R 2, как сделано в схеме на рис. 8.14, то при R 0 — 1 МОм можно принять R 2 = 100 кОм (пг 0,9). Тогда суммарное сопротив ление нагрузки детектора, определяющее его входное сопротивление, будет равно R та 1 МОм, поскольку R x та 900 кОм. Сопротивление R t обычно шунтируют небольшой по величине емкостью С2 так, чтобы вы полнялись два неравенства
1/<юС2 > (2 -f- 3)Rt, 1/<оС2 « Rt.
Сопротивление нагрузки детектора для тока частоты модуляции можно принять равным Rq = Ri + R 2R C/(R2 + Rc), если величина емкости С выбрана из условия 1 /QC > R.
Приведенные построения показывают возможность непосредствен ного определения полезного результата детектирования. При равен стве Rq — R= динамическая нагрузочная прямая совпадает с нагрузоч ной прямой, построенной под углом а. При изменении амплитуды вход ного напряжения от U0 (1 + m) до U0 (1 — m), что соответствует точ кам Б ' , В' на нагрузочной прямой, выпрямленное напряжение меняется
от до U=2- Графические методы расчета с использованием характе ристик выпрямления, снимаемых обычно экспериментально, приме няют тогда, когда отсутствуют простые аналитические методы расчета; в частности, они дают достаточно точные результаты при средних и сильных сигналах, если сопротивление нагрузки детектора невелико.
Рассмотрим нелинейные искажения, возникающие вследствие инер ционности нагрузки детектора; в этом случае неравенство 1/QC > R не выполняется. Физические процессы при комплексном характере на грузки детектора, для которого SR » 1 и ^ » R t, иллюстрируются на рис. 8.16. В установившемся режиме при положительных напряже
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ниях на аноде конденсатор на |
|
|
грузки заряжается |
от периода к |
|
|
периоду входного |
высокочастот |
|
|
ного напряжения (зубчатая |
ли |
|
|
ния). Напряжение на конденса |
|
|
торе |
ис (t) до |
некоторого |
мо |
|
|
мента времени |
tx воспроизводит |
|
|
огибающую входного напряже |
|
|
ния |
«вх (/) |
(пунктирная линия). |
|
|
Однако |
с |
некоторого |
момента |
|
|
времени, соответствующего точ |
|
|
ке А, амплитуда входного на |
|
|
пряжения уменьшается, а на |
|
|
пряжение ис (0 не успевает от |
|
|
слеживать это уменьшение оги |
бающей. |
Поэтому диод |
запирается |
(«Вх(0 < |
«с (0) к конденсатор |
разряжается на сопротивление нагрузки |
R |
с |
постоянной |
времени |
тр = RC, |
существенно |
превышающей |
постоянную |
времени |
заряда |
конденсатора т3 — R tC. Свободный разряд емкости на сопротивление будет определяться экспоненциальной кривой АБ, проходящей выше огибающей UBX (/).
Очевидно, нелинейные искажения будут отсутствовать при условии
где ис = Uca exp {—t/Rc) — напряжение на нагрузке детектора при запертом диоде; UBX (t) = U0 [1 + т cos (Qt + <p)] — огибающая входного напряжения.
Продифференцируем выражения ис (0 и UBX (t) и подставим зна- - чения их производных в неравенство (8.52). Тогда, принимая за начало отсчета момент времени, соответствующий точке A (t = 0), получаем
Uca/RC ^ \m Q U 0s'uup\. |
(8.56) |
Поскольку напряжение на конденсаторе исл — Г/0 (1 + |
tn cos <p), |
то условие (8.53) принимает вид
|
mQ Uо sin <р |
(8.57) |
|
Un(1 -J-/n cos q>) |
|
|
и должно выполняться при любом значении фазы ер, зависящем от по ложения точки А на огибающей (JBX (t). Самым неблагоприятным яв ляется такое значение фазы, при котором правая часть неравенства (8.57) максимальна. Дифференцируя правую часть (8.57) по <р и при
равнивая |
производную нулю, |
находим, что правая часть максималь |
на при |
cos |
ф = |
С05фкр = |
—т; максимальное |
значение |
равно |
mQlY 1 — tri1- |
В |
результате условие отсутствия |
искажений |
можно |
записать |
в виде |
|
|
|
|
|
|
|
RC < V 1 — mlp/QmHV, |
|
(8.58) |
которое получило название условия безынерционное™ детектора. При нарушении условия (8.58) напряжение на нагрузке детектора не следует за спаданием амплитуды входного напряжения и емкость С вызывает нелинейные искажения; в этом случае детектор оказыва!ется инер ционным.
Условие безынерционное™ (8.58) можно использовать при детекти ровании напряжения, модулированного сигналами нескольких ча стот. В этом случае за частоту модуляции в знаменателе правой части неравенства следует принять частоту наивысшей частоты модуляции
(Q = Q B).
Частотные искажения. Как уже отмечалось, частотные искажения возникают вследствие неодинаковости сопротивления нагрузки детек тора различным частотам модуляции входного переменного напряже ния. Для их определения воспользуемся линейной эквивалентной схе мой детектора. Согласно рис. 8.6, б коэффициент передачи детектора равен
|
Кда = рд2 |
(jQyiRin + 2 (/Q)], |
(8.59) |
где |
Z (jQ) — сопротивление |
нагрузки детектора, представляющее со |
бой |
параллельное соединение сопротивления R |
и емкости С. |
Для высокой и низкой частот модуляции выражение (8.59) приво дится к виду
Кд12в |
/ |
______Мд___________ |
|
|
|
|
|
|
|
1Ф |
-Н^вСДгд)* |
|
|
К.Д.О.П |
|
Ид_____________ |
Ид |
(8.60) |
/ |
|
|
1Ф Riu.tR |
|
1+ |
Ф (£2ц С/?гд)2 |
|
|
где QCRj;д <£ 1 + RijJR, |
причем |
QH— низкая или |
средняя |
частота |
модуляции. |
|
|
|
|
|
Введем коэффициент частотных искажений в виде |
|
|
|
М в — К д П в /К д Я н * |
|
|
Тогда в соответствии с (8.60) получим |
|
|
|
Мв — \ l Y 1 + (««С/?,)*, |
|
(8.61) |
где R3 = RinR/(Rin + R )— эквивалентное сопротивление* причем R* С R, поскольку R iK < R при условии SR > 1 и © -v 1.
Разрешая (8.58) относительно mHp, получаем выражение
т кр= 1/ У 1 + (QCjR)2,
по виду аналогичное выражению (8.61). Отсюда можно сделать важ ный вывод о том, что при выполнении условия безынерционное™ де
тектора обеспечивается малость частотных |
искажений. Расчеты пока |
зывают, что при тир = |
0,8 величина Мв ^ |
0,98. В общем случае при |
заданном |
коэффициенте |
А1В и сопротивлении нагрузки R величина |
емкости |
С может быть выбрана согласно выражению |
Частотные искажения в области низких частот могут возникнуть из-за наличия разделительной цепочки между выходом детектора и входом усилителя низкой частоты (см. рис. 8.13). При заданном коэф фициенте частотных искажений Мн величину Ср выбирают из условия
Ср> --------- 1............... |
(8.63) |
Rc V MS - 1 |
|
известного из теории усилителей низкой частоты.
В заключение параграфа сформулируем основные требования по выбору параметров диодного детектора.
Выбор параметров детектора. Из анализа работы диодного детек тора следует, что с увеличением амплитуды входного переменного на пряжения улучшаются основные параметры детектора — возрастают коэффициент передачи и входное сопротивление и уменьшаются не линейные искажения. Поэтому в первую очередь амплитуда детекти руемого напряжения должна быть такой, чтобы обеспечивался режим детектирования сильных сигналов. В этом случае детектор будет при ближаться к линейному, идеальному детектору.
При выборе SR > 1, что соответствует 0 -> 0, согласно рис. 8.10 и выражению (8.39) коэффициент передачи детектора Кя « 1. Большая величина сопротивления R обеспечивает также большее значение RBX, что уменьшает шунтирование контура, питающего детектор, ис кажения огибающей модулированного сигнала и избавляет от необхо димости применения неполной связи детектора с питающим контуром. Кроме того, с ростом R уменьшается протяженность нелинейного участка детекторной характеристики (см. рис. 8.3). Однако при детек тировании немодулированного сигнала увеличение R может быть ог
раничено из-за |
увеличения при этом постоянной времени разряда, |
а именно RC ^ |
тр, где тр — максимально допустимое значение постоян |
ной времени разряда, характеризующее допустимую инерционность детектора и определяемое его назначением. При детектировании моду лированного сигнала величина R должна быть такой, чтобы не нару
шались условия (8.54) и (8.58); в |
противном случае могут возникнуть |
нелинейные искажения. |
j |
В общем случае большая емкость С уменьшает пульсации выпрям ленного напряжения. Вместе с тем, увеличение С при выбранном зна чении сопротивления R может привести к появлению линейных и осо бенно нелинейных искажений, обусловленных инерционностью на грузки детектора. Поэтому величина емкости Сдолжна удовлетворять прежде всего условиям С > Скр (см. рис. 8.12) и С > Смин, где Смин > ^ 10 Са„, при которых не снижается существенно коэффициент пе редачи. При детектировании модулированного сигнала основным ус ловием выбора С является условие безынерционное™ детектора (8.58).
8.8. Особенности детектирования на полупроводниковых приборах
Среди детекторов на полупроводниковых приборах широко исполь зуют детектор на обычном кристаллическом диоде. В последнее время применяют детекторы на транзисторах, а с появлением туннельных дио дов — детекторы на туннельных и обращенных диодах. Рассмотрим основные особенности таких детекторов.
Детектор на полупроводниковом диоде. Принципиальная схема такого детектора полностью соответствует схеме детектора на электро вакуумном диоде (см. рис. 8.1). Нелинейным элементом в ней могут слу жить германиевые или кремниевые диоды, например типа Д 1, Д2, Д9 и др. По сравнению с ламповыми диодами полупроводниковые диоды обладают: малой междуэлектродной емкостью, более длительным сро ком службы, меньшими габаритами и весами, высокой механической прочностью и, вследствие отсутствия накала, не требуют энергии источ ников питания. Разброс параметров, нестабильность и зависимость па раметров от температуры следует отнести к существенным недостаткам полупроводниковых диодов.
При сравнительно больших сигналах (U > 0,7 ч- 0,8 В) реальную статическую ВАХ часто аппроксимируют в виде двух отрезков прямых (рис. 8.17), причем ее можно представить как сумму двух характери стик. Одна характеристика i2 = <р (и) соответствует линейному сопро тивлению и строится под углом Р (tg Р = 5 0бр), а другая характеристи ка ix — ф (и) — аналогична характеристике линейного детектора на
ламповом диоде; она строится под углом а и ее крутизна S' |
= 5 — |
— 5 0бр « 5, поскольку угол а > |
р. Полупроводниковый диод пред |
ставляют эквивалентной схемой, |
приведенной на рис. 8.17, |
б, в ко |
торой он заменен параллельным соединением идеального диода Д', крутизной S ' « S и сопротивлением /?0брПоэтому сопротивление на грузки такого детектора постоянному току R 3следует определять с уче том сопротивления R 06p, так что
R 3 = RRo6p/(R + ^обр)- |
(8.64) |
Очевидно, с увеличением амплитуды входного напряжения сопротивле ние диода при отрицательных напряжениях уменьшится и величина эквивалентного сопротивления будет примерно равна R 3 л* R 06p даже при больших значениях сопротивления нагрузки R.