книги из ГПНТБ / Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах

450

Литература

858.

Байдаков

Л. А ., В икторовский\И. В.,

Изв. А Н СССР,

Неорг. материалы

7,

516

(1971);

7,

222

(1971).

Оптические

свойства

стекол

исевдобииарного

разреза

A s S e ^

— T l .

Исследование концентрационной зависимости магнитной восприимчи­

вости

стекол

псевдобпнариого

разреза

AsSe^s

— T l .

859.

Байдаков

Л. А.,

Михайлов

В. Н.,

Изв. А Н

СССР,

Неорг. материалы, 8,

1384

(1972).

Температурная зависимость магнитной восприимчивости стеклообразных

860.

соединений A s S e l и A s S I .

ФТТ, 11, 1564 (1969).

Байдаков

Л. А.,

Новоселов

С. К.,

Страхов

Л.

П.,

Температурная зависимость магнитной восприимчивости As2Se3 при

фазовых переходах кристалл — расплав, стекло —

расплав.

861.

Байдаков

Л.

А.,

Новоселова Н.

А.,

Новоселов

С.

К., Ж П Х ,

44,

2548,

1970.

Термические свойства стеклообразных сульфидов мышьяка.

862.

Байдаков

-Л.

А.,

Новоселова

Н.

А.,

Страхов

Л.

П.,

Изв. А Н СССР,

Неорг. материалы, 4, 193 (1968).

863.

Бартенев

Г.

М.,

Цыганов

А.

Д.,

Дембовский

С. А.,

Михайлов

В.

И.,

Журнал структурной химии, 12, 926 (1971).

Эффект Мессбауэра в оловосодержащих халькогенпдиых стеклах.

S64.

Белле

М.

Л.,

Колонией

Б.

Т.,

Павлов

Б.

В.,

ФТП, 2, 1448 (1968).

Сравпптельиое исследование оптических свойств халькогеиидов мышья­

ка при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние.

865.

Berkes

J . S.,

Ing.

S.

W.,

Hillegas

W.

J . , J o u r n .

A p p l .

P h y s . ,

42,

4908

(1971) .

Photodecomposition

of

amorphous

A s 2 S e 3

and

A s 2 S 3 .

866.

Bermuder

V.

M.,

Journ .

Chem . P h y s . ,

57,

2793

(1972).

Vibrations of

glasslike

disordered

systems.

I I . The

A 2 B 3 network

in two

dimentions — application to vitreous

A s 2

S e 3 and

A s 2 S 3 .

867.

Блинов

Л.

П.,

Байдаков

Л.

А.,

Страхов

Л.

П.,

Изв. А Н

СССР,

Неорг.

материалы, 4,

22

(1968).

Исследование

магнитной

восприимчивости

стеклообразной

системы

868.

As — Se.

Лазукин В. Я . , ДАН СССР,

168, 560

(1966).

Богомолова Л. Д.,

Влияние

термической

обработки

некоторых

халькогенпдиых

стекол

на спектры электронного

парамагнитного

резонанса в них.

869.

Борисова

3.

У.,

в сб. «Стеклообразное состояние», труды Всесоюзного

симпозиума,

изд-во

А Н

Арм.

ССР, 1970,

стр.

89.

Некоторые вопросы строения халькогепндиых стекол по данным изме­

рения

электропроводности.

870.

Борисова

3.

У.,

Изв. А Н

СССР,

Неорг. материалы,

7,

1720

(1971).

Некоторые особенности стеклообразовапия в халькогеиидных. системах.

871.

Борисова

3.

У.,

Дойников

Л.

И.,

в

сб.

«Стеклообразное

состояние»,

изд-во «Наука», 1965, стр. 181.

Исследование стеклообразных сплавов AsSex I„.

872.

Борисова

3. У., Крылова

Л. А.,

Ж П Х ,

40,

61

(1967).

Электропроводность

и

микротвердость

стекол

системы

мышьяк —

873.

фосфор —

селен.

А. Я . ,

Ж П Х ,

45,

1198

Борисова

3.

У.,

Михайлов

В.

Н.,

Кулешина

(1972) .

Электропроводность йодосодержащих

халькогеиидных

стекол.

874.

Борисова 3. У.,

Чернова

Г. А.,

в сб. «Химия твердого тела», изд-во

ЛГУ,

1965,

стр.

119.

Электропроводность

стеклообразной

системы"

As — S — Se.

875.

Brasen

D.,

Journ . Non - Crystalline Solids,

11,

131 (1972).

E l e c t r i c a l

properties

of

glassy

A s 2 T e 3 .

452

Литература

Изменение микротвердости стекол T l S e • A s 2 S e 3

и T l 2 S e • A s 2

S e 3 под влияии-

ем Y-об лучения.

Изменение упругих свойств стекол системы A s 2

S e 3

— A s 2

S 3

под

действи­

898.

ем проникающей

радиации.

R., Solid State

Communs,

Drews

R. Е., Emerald

R.

L . , Slade М. L . , Zallen

10, 293 (1972).

899.

Interband spectra of

A s 2

S 3 and A s 2 S e 3 crystals and glasses.

DoumengM.,KoAOMuenB.

Т., Лебедев Э. А.,

Шпунт В. X.,

Таксами!!.

A.,

P h y s .

Status Solidi

(a) I I , 189

(1972).

Interdependence

des effects de commutation

et

de memorisation

et du

comportement

thermique

d'une

serie de

verres

chalcogenures.

900.

Ефимов A. M.,

Еокорина

В. Ф.,

веб. «Стеклообразное состояние». Труды,

V Всесоюзного совещания, Ленинград, 1969 г.,

изд-во

«Наука»,

1971,

стр.

92.

О соотношении структуры ближнего порядка

в стекле

и кристалле.

901.

Ефимов А. М.,

Харыозов

В. А.,

л сб. «Стеклообразное состояние». Труды

V Всесоюзного совещания, Ленинград, 1969 г.,

изд-во

«Наука»,

1971,

стр.

370.

Диэлектрические свойства и структура халькогенидных

стекол

системы

мышьяк — селен и

германий — селен.

903.

Zallen

Д . ,

Drews

R. Е.,

Emerald R. L . , Slade

М.

L . , P h y s . R e v . Letters,

26, 1564 (1971).

E l e c t r o n i c

structure of crystalline and amorphous

A s 2

S 3

and A s 2

S e 3 .

904.

Zallen

R., Slade M. L . , Ward А.

Т.,

P h y s .

R e v . B 3 , 4257

(1971).

Lattice

vibrations and

interlayer

interactions

in crystalline A s 2 S 3

and

905.

A s 2 S e 3 .

J . , Czechosl.

J o u r n .

P h y s . , B21,

1302

(1971).

Zamecnik

Effect

of

hydrostatic

pressure

on

VA - characteristics of

amorphous

semi­

906.

conductors

GejsTegiS^Aso.

ФТТ,

14,

2466

Захаров В.

П.,

Герасименко

В.

С,

Кучеренко

Л.

П.,

(1972).

Оптические

фононы

в

аморфных

пленках

халькогенидов

мышь­

907.

яка.

Phys .

S t a t u s

Solidi (а), 4, 391 (1971).

Златкин Л.

Б.,

Марков

10.

Ф.,

908.

O n the nature of the optical vibrations i n A s 2

S 3

and A s 2 S e 3

glasses.

Зорина

E.

Л.,

Дембовский

С. А.,

Величкова

В.

Б.,

Виноградова

Г.

3.,

Изв.

А Н

СССР. Неорг. материалы,

1, 1889

(1965).

Инфракрасное

поглощение

стеклообразных

A s 2

S 3

,

As 2 Se3,

As2 Se4.

909.

Йвкин

Е. Б.,

Коломиец

Б.

Т.,

Распопова

Е. М.,

Цэндин

К. Д.,

ФТП,

5,

1787

(1971).

Влияние давления на проводимость халькогенидных

стекол на высокой

910.

частоте.

Solid

State

Communs . ,

8,

Iizima

S.,

Sugi

М.,

Kikuchi

М.,

Tanaka

К.,

1621.

(1970).

Effect

of

stabilization

on

electrical

conductivity

in

chalcogenide

glas­

911.

ses.

Journ .

A p p l .

P h y s . ,

42,

Ing

S.

W.,

Jr.,

Neyhart

J . H.,

Schmidlin

F.,

696

(1971).

Charge

transport

and photoconductivity

i n

amorphous

arsenic

trisulfide

912.

films.

P h y s . Status Solidi (a), 13,

187 (1972).

Kalade

J . , Montrimas

E.,

PazeraA.,

e

K i n e t i c s of drift

mobility

of s m a l l charge

and determination of lifetime

of

913.

charge

carriers.

M., P h y s .

Letters,

A38,

15

(1972).

Callaerts

R.,

Nagels

P.,

Denayer

Thermopower

i n amorphous

A s 2 S e 3 .

Литература

453

914.

Касаткин Б. Е., Борисова

3. У., Изв. А Н СССР, Неорг. материалы, 8,

1554 (1972).

Электропроводность стекол системы мышьяк — селен.

915.

Kastner

М., B u l l . Amer .

P h y s . S o c , March 1972,

p. 345.

Pressure dependence of the refractive indes for several chalcogenide amor­

phous

semiconductors.

916.

Кокорипа В. Ф., в сб. «Стеклообразное состояние»,

Труды I V Всесоюз­

ного совещания, Ленинград, 1964 г., изд-во «Наука», 1965. стр. 174.

Некоторые вопросы строения стекла по данным исследования бескис­

лородных стекол.

918.

Костышин М.

Т., Романенко

П. Ф.,

Укр. физ. журнал, 8, 102 (1963).

919.

Коломиец. Б.

Т., Любин В. М.,

ФТТ,

4, 401 (1962).

Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом, и подвиж­

925.

ность в халькогенидных

стеклах.

ФТП, 6, 2073 (1972).

Коломиец

Б.

Т.,

Лебедев

Э. А.,

Сморгонская Э. А.,

К вопросу о механизме пробоя халькогенидных стекол.

926.

Коломиец

Б.

Т.,

Лебедев

Э.

А.,

Таксами И.

А.,

ФТП, 3,

312 (1969).

К вопросу о механизме пробоя в слоях стеклообразных халькогенидных

полупроводников.

927. Коломиец

Б.

Т.,

Лебедев

Э. А.,

Таксами

И.

А.,

ФТП, 3, 731 (1969).

Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стекло­

928.

образных

полупроводников.

К. Д . ,

ФТП 5, 1568 (1971).

Коломиец

Б.

Т.,

Лебедев

Э. А..,

Цтдин

Влияние токов, ограниченных пространственным зарядом, на тепловой

пробой.

929. Коломиец

Б.

Т.,

Любин

В. М.,

Аверьянов

В. Л.,

Mat . Res . B u l l . , 5, 655

(1970). The investigation of

local

states

i n

vitreous semiconductors by

photoconductivity and thermally

stimulated

depolarization

methods.

931.

Коломиец Б.

Т.,

Любин

В.

М.,

Наливайко

В. И.,

Фомина В. И.,

Цукер-

ман В.

Г.,

ФТП, 6, 2144

(1972).

Особенности кинетики фотопроводимости слоев A s 2

S e 3 в видимой и

рент­

932.

геновской области спектра.

П., Изв. А Н

СССР,

Неорг.

Коломиец

Б.

Т.,

Любин

В.

М.,

Шило В.

материалы,

7, 858

(1971).

933.

О температуре

размягчения

стекла

A s 2 S e 3 .

Коломиец

Б.

Т.,

Мамонтова

Т. Н.,

Сморгонская

Э. А.,

Бабаев

А.

А.,

P h y s .

Status Solidi

(а)

11, 441

(1972).

Study of the mechanism of radiative recombination i n vitreous and mono-

crystalline

arsenic

selenide.

454

Литература

935.

стекла

T l 2 S e - A s 2 T e 3 .

ФТТ,

9,

27

Коломиец

Б.

Т.,

Мамонтова

Т.

П.,

Степанов

Г.

П.,

(1967).

Флуктуационные

уровни

в

стеклообразном

полупроводнике

936.

T l 2 S e - A s 2 T e 3 .

P h y s . Status

Solidi

Коломиец

Б.

Т.,

Мамонтова

Т. Н.,

Степанов

Г. И.,

(а) 3, 309 (1970).

Influence of Impurities on the energy spectrum of charge carriers i n vitreous-

937.

T l 2 S e - A s 2 T e 3 .

Коломиец

Б.

Т.,

Мамонтова

Т. П.,

Степанов

Г. П.,

Сморгонская

Э.

А.,

P h y s .

Status

Solidi

(а)

12,

К119

(1972).

938.

Photoactivation

i n

vitreous

T l 2

S e - A s 2 T e .

Коломиец

Б.

Т.,

Мазец

Т.

Ф.,

Сарсембинов М. Ш., Лусис А.

Р.,

Лагздонс

Ю,

Л.,

ФТП, 5, 2327 (1971).

939.

A s 2 S 3 .

Коломиец

Б.

Т.,

Мазец

Т.

Ф.,

Сарсембинов

Ш. Ш.,

Эфендиев Ш.

М.,

Ф Т П ,

5,

2292 (1971).

Изменение оптических свойств стеклообразных слоев A s 2 S e 3

под действи­

ем электрического

поля.

946. Коломиец

Б.

Т., Рухлядев

Ю. В., Шило В. П., J o u r n . of Non - Crystalline

Solids,

5,

77

(1970);

5,

90

(1970).

The effect of gallium,

i n d i u m and t h a l l i u m of the conductivity and photoe­

lectric properties of

glassy arsenic selenide.

Примесная

фотопроводимость

в

стеклообразном

и

кристаллическом

948.

A s 2 S e 3 .

Czechosl.

Коломиец Б.

Т.,

Шило В.

П.,

Stourac

L . , Musil

С,

Striba

F.,

J o u r n .

P h y s . , 13, 21

(1971).

T h e r m a l conductivity

of amorphous

A s 2 S e 3 w i t h C u .

949.

Connel

N.,

P h y s . Status

Solidi

(b),

53,

213 (1972).

The

temperature

dependence of

the absorption

edge

in some

amorphous

950.

semiconductors.

ФТТ,

8,

571

Костышин

M.

Т., Михайловская

E. В.,

Романенко

П. Ф.,

(1966).

951.

вых

слоев,

находящихся

на

металлических

подложках.

Костышин М. Г., Романенко П. Ф.,

Дембовский

С. Л.,

Виноградова

Г.

3.,

Изв.

А Н СССР,

Неорг. материалы,

7,

210 (1971).

Литература

455

Фотохимические

превращения

в

системах A s 2 S e 3

— Ag

и Ge — As —

'952.

— Se — Ag.

ФТП,

2,

1164

Костышин

M.

Т.,

Романенко

П.

Ф., Красноженов

Е. П.,

(1966).

О применимости

правила Урбаха для

описания

светочувствительности

и поглощения света полупроводниковыми слоями с примесями и дефек­

'953.

тами.

Костышин

М.

Т.,

Романенко П. Ф., Шарый В. М.,

Дембовский

С.

А.,

Виноградова

Г.

3.,

Изв. А Н СССР, Неорг. материалы,

6, 1073

(1970).

Температурная зависимость скорости фотохимических превращений

системы

As — S

на

серебре.

'954.

Croitoru

N.,

Popescu

С,

R e v . R o u m . P h i s . , 16, 129

(1971).

T h e r m a l mechanism

of

the switching

phenomenon.

•955.

Crevecoeur

C, de

Wit

H.

/ . , S o l i d State Communs . ,

9, 445 (1971).

'956.

Dielectric losses

i n As2Se 3 glass.

ФТТ,

10, 226 (1968).

Круглое

В.

И.,

Зимкина

Т. M.,

Исследование зонной структуры в аморфном A s 2 S e 3

методом ультрамяг­

кой рентгеновской

спектроскопии.

Фоточувствительность

стеклообразной

системы

As — Se.

'958.

Круглое

В.

П.,

Страхов

Л.

П.,

Гришин

Н.

А.,

Вестник

ЛГУ,

10,

62

(1968).

Дрейфовая подвижность в аморфных слоях

A s 2 S e 3 .

•959.

Lacatos

A.

J . , B u l l .

Amer .

P h y s . S o c ,

16,

348 (1971).

Protoelectric and electric properties of metal contacts on amorphous

A s 2

S e s .

960.

Lacatos

A.

J . , Abkowitz M.,

P h y s . R e v . , B 3 , 1791

(1971).

•961.

E l e c t r i c a l

properties of

amorphous

Se, A s 2 S e 3

and A s 2 S e 3 .

P h y s . S t a ­

LezalD.,

Trkal

V.,

Srb I.,

Dokoupil

S.,

Smid

V.,

Rosickd

V.,

tus Solidi (a), 12, K 3 9

(1972).

Some

physical properties

of

vitreous

A s 2 S e 3

doped w i t h

I I I A group

ele­

ments.

•962. Lucovsky

G.,

P h y s . R e v . , B6,

1480

(1972).

963.

Optic

modes

i n

amorphous

A s 2 S 3

and

A s 2 S e 3 .

Любин

В. M.,

Мостовский

А.

А.,

Прокатор

Л. М.,

Федорова

Г. А.,

Фе­

дорова

Е. И.,

в сб. «Проблемы физики соединений А^В^1,

т. 2, Вильнюс,

1972,

стр. 142.

Гетеропереходы: селенпд

кадмия —

аморфный полупроводник.

964. Любин

В.

М.,

Федорова

Г.

А.,

Изв. А Н

СССР,

Неорг. материалы,

6,

1891

(1970).

Получение и свойства тонких пленок многокомпонентных стеклообраз­

965.

ных

полупроводников.

Д А Н

СССР,

161,324

(1965).

Любин

В. М.,

Фомина В. И.,

ЦирлинЛ.

9.,

Особенности проводимости и фотопроводимости тонких слоев системы

Se — A s и

областях сильных

электрических

полей.

966. Марков Ю. Ф., Решетняк Н. Б.,

ФТТ,

14,

1242

(1972).

Спектры комбинационного рассеяния кристаллического и стеклообраз­

967.

ного

A s 2

S 3 .

P h i l . Mag . 24,

192 (1971).

Marshall

J . М.,

Owen. А.

Е.,

968.

Drift

mobility

studies

in vitreous

arsenic triselenide.

Solid State

C o m ­

Matsuda

A.,

Okushi

П.,

Saito

M.,

Kikuchi

M.,

Eirai

Y.,

muns . ,

11,

387

(1972).

Observation of on and off states of the polarized memory

effects i n a m o r p ­

969.

hous

semiconductors.

Мельниченко

Т.

H.,

Михалъко

И.

П.,

Семак

Д.

Г.,

Туряница

П. Д. ,

Чепур

Д.

В.,

Известия

А Н

СССР, Неорг. материалы, 7, 1065 (1971) .

Некоторые

физические

свойства

мышьяковистых

стекол

системы

Л У В У 1 С У П

456

Литература

970. Miami

Т.,

Yoshida

А., Тапака

М.,

J o u r n .

Non - Crystalline

Solids,

7,

328 (1972).

G a m m a - r a y

induced conductivity

of

vitreous

semiconductors

i n the sys­

tems As — S — Те

and As — Se — Те.

971. Монтримас д., Пажера А., Вищакас

10., P h y s . Status Solidi (а),

3,

К199

(1970).

The drift of charge

carriers in Se — A s layers.

Кинетика фотопроводимости слоеп селеиида мышьяка.

973. Мучичка И. И., ДоегомейН.

И.,

Чепур Д. В., Туряница

И. Д.,

ФТП, 6,

2296 (1972).

Термостимулпроваииые токп

в

халькогеиидных стеклах

A s S e l

и A s S I .

975.

Мюллер

Р.

Л.,

Эль Мосли

М.,

Борисова

3.

У.,

Вестник

ЛГУ,

22,

94

(1964).

дость

стеклообразных

селеппдов

мышьяка.

976.

Nonushita

М.,

Aral

Я . ,

Solid

State

Communs . ,

11,

213 (1972).

Energy - band

gap in S i —

As —

Те

amorphous

semiconductors.

977.

Образцов

А.

А.,

Борисова

3.

У.,

Изв. А Н СССР,

Неорг. материалы,

8,

1417 (1970).

Электропроводность и температура размягчения стекол системы

As

—

978.

— Se — Те.

J o u r n .

Non - Cryslalline

Solids, 6,

362

Onomichi

М.,

Arai

Т.,

Kudo

N.,

(1971).

Optical properties of amorphous compounds

A s 2 S 3

and A s 2

S e 3

i n the i n ­

979.

frared

region.

Орешкин П. Т., Глебов А.

С,

Орешкин

В. П.,

Беляев

В. А.,

Михайли-