книги из ГПНТБ / Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах

440

Литература

653. Roy.

С. L . , Bhattacharya

А. К., P h y s . Letters, A35, 274 (1971).

On

electronic states of

disordered systems.

655.

Sak

J . , J o u r n .

P h y s . C : S o l i d

State

P h y s . , 5,

1335

(1972).

Statistical

electron-hole

correlation i n disordered

systems: interband trans

656.

sitions.

P h y s .

R e v . Letters,

27,

429

(1971).

Cyrot-Lackmann

F.,

Self-consistent theory of clusters

i n

disordered

alloys.

657.

Cyrot-Lackmann

F.,

J o u r n .

P h y s .

C: Solid

State

P h y s . ,

5,

300

(1972).

Spectral

l i m i t s

i n

disordered

systems.

658.

Cyrot-Lackmann

F.,

Ducastelle

F.,

P h y s .

R e v .

Letters,

27,

429

(1971).

Self-consistent theors' of

clusters in

disordered

alloys.

659.

Сморгонская

9.

А.,

ФТП,

5,

1360

(1971).

Расчет электронного спектра аморфного германия

вариационным

мето­

дом

Л К А О .

660.

Stem

R.

A., P h y s .

R e v . , В4,

342

(1971).

New

approximation

in the

electronic

theory of

disordered

alloys .

661.

Tong

В.

У . ,

Wong

Т.

C,

P h y s . R e v . , B6,

4482

(1972).

E l e c t r o n i c

wave

functions

i n

one-dimentional

disordered

systems.

662.

Thornton

D.

E.,

Sampanther

S., J o u r n .

P h y s .

C: Solid

State

P h y s . ,

4,

L 271

(1971).

Single site coherent potentials for cellular and structural disorder.

663.

Thouless

D.

J . , J o u r n .

P h y s . C: Solid State

P h y s . ,

5,

77

(1972).

dimentional

random

systems.

664.

Phillips

J . C,

P h y s .

Status

Solidi

(b), 44,

K l

(1971).

E l e c t r o n i c

structure

and optical

spectra

of

amorphous

semiconductors.

665.

Fischbeck

I I . J . ,

P h y s . Status

Solidi

(b),

49,

829

(1972).

Theory of disordered systems.

I . T h e functional

average.

666.

Freed

A". F.,

P h y s . R e v . , B5,

4802

(1972).

E l e c t r o n

localisation

in

disordered

system.

667.

Freed

K.

F., Cohen M. П., 3,

3400

(1971).

Cluster theory of the electronic structure of disordered

systems.

668.

Fritzsche

H., J o u r n .

Non - Crystalline

Solids,

6,

49

(1971).

Optica] and electrical energy gaps

i n amorphous

semiconductors.

669.

Fukuyama

#.,

Ebisawa

#.,

Tsuzuki

Т.,

Progr.

Theor .

P h y s . , 46,

1028-

(1971).

F l u c t u a t i o n

of the order parameter

and H a l l

effect.

670.

Ealpern

V., J o u r n .

P h y s . C: Solid

State

P h y s . , 5,

3322

(1972).

The electronic density of states for some model disordered

systems.

671.

Herbert

D.

C,

Jones

Д . , J o u r n .

P h y s . C: Solid

State

P h y s . , 4,

1145

(1971).

Localized

states

i n

disordered

systems.

672.

Hill

R.

M.,

P h i l .

Mag .

24,

1307

(1971).

Hopping

conduction

i n amorphous

solids.

673.

Hirota

Т.,

Ishii

K.,

Progs.

Theor .

P h y s . ,

45,

1713

(1971).

E x a c t l y

soluble

models

of

one-dimentional

disordered

systems.

674.

Хомский

Д.

И., Теор. и

матем. физика,

11, 130

(1972).

675.

цией.

P h y s . Status

S o l i d i

(b),

52, 119

(1972).

Hulin

М.,

L C A O

energies and wave

functions

in a covalent

semiconductor

w i t h topo­

676.

logical

disorder.

P h y s .

Status

Solidi

(b),

51,

613

(1972).

Hulin

M.,

Pettier

N.,

A new model for covalent semiconductors

w i t h

topological

disorder.

677.

Hulls

K.,

McMillan

P.

W.,

J o u r n .

P h y s .

D : A p p l .

P h y s . ,

5,

865

(1972).

Amorphous

semiconductors:

a review

of

current

theories.

Литература

441

678.

Шкловский Б. И., Письма в ЖЭТФ, 14, 397 (1971).

(

Оптическая и электрическая запрещенные зоны аморфного

полупровод­

ника.

Коэффициент Холла в жидких металлах Ag, G a , I n , Sri и сплавах

I n ? B i ,

H g -

S n .

681. Андреев

А.

А., Алексеев В.

А., Зайнутдинов Д. С, Тургунов Т.,

ШМу­

ратов

Е.

А.,

ФТП, 7, 842

(1973).

683.

Эффект переключения в жидких полупроводниках.

ФТТ,

Андреев

А.

А.,

Алексеев В. А.,

Манукян

Л.,

Шумилова

Л. П.,

15,

382

(1973).

О

переходе

к металлической проводимости в расплавах

Se — Те

при

684.

высоких

температурах.

Андреев

А.

А., Зайнутдинов Д. С, Мелех Б. Т., Тургунов

Т., Шмура-

тов Е. А.,

ФТТ, 14, 3702 (1972).

Эффект переключения в расплавленных окислах S b 2 0 3 и

В 2 0 3 .

685.

Андреев

А.

А.,

Мамадалиев М'.,

Регель А.

Р.,

ФТП, 5, 2187 (1971).

Эффект переключения в расплавах Se и

S b 2 S 3 .

687. Андреев А. А., Манукян Л., Певцов Е.

Б.,

ФТТ, 15, 1643 (1973).

Электропроводность жидкого селена

на

инфракрасных

частотах.

688. Андреев

А. А., Манукян Л., Певцов Е.

Б.,

Шумилова Л.

П., ФТТ, 14,

3701 (1972).

Частотная дисперсия электропроводности в жидком селене и сплавах

селен —

теллур.

693.

Gilbert

Д . ,

Morgan

G. J . , P h y s . Status

S o l i d i

(Ь),

47,

71 (1971).

A transport equation for electrons

i n

simple

l i q u i d

metals.

694.

Devlin

J .

F.,

Lugt

W., P h y s .

R e v . ,

B 6 ,

4462 (1972).

Accurate resistivity and thermoelectric-power

calculations

for

l i q u i d N a

695.

and

l i q u i d

K .

P h y s . Letters,.

Evans

K.,

Guntherodt

П.-J.,

Kunzi

H.

V., Zimmermann

A.,

38A,

151

(1972).

A n

extension

of the F a b e r - Z i m a n

formula

to

l i q u i d

alloys of

transition-

696.

metals.

А. Изв.

Каванджан

Б.

И.,

Лобанов

А.

А.,

Селин

Ю.

И.,

Цуриков

А.

А Н

СССР,

Неорг. материалы, 7,

1061

(1971).

442

Литература

697.

Kotze

I.

A.,

Kuhlmann-Wilsdorf

D.,

P h i l .

Mag., 23, 1133 (1971).

R a d i a l correlation

function

of

metallic

melts

calculated

from structural

models

of

the

l i q u i d state.

698.

M.

Cutler,

P h i l .

Mag.,

24,

401

(1971).

A

molecular

bonding theory

for l i q u i d T l —

Те

alloys.

I I . T h e r m a l

equi­

l i b r i u m

of

broken

Те —

Те

londs.

•699.

Morris

V.

J . , P h i l . Mag., 24,

1221

(1971).

E l e c t r i c a l

and thermoelectrical

measurements

on

the

l i q u i d

I n —

I n 2 S 3

700.

p a r t i a l

system.

P., J o u r n .

P h y s . C: Solid State

P h y s . ,

Paasch

G.,

Schwerdtner

A.,

Trepte

5,

2991

(1972).

701.

R e s i s t i v i t y of l i q u i d Mg — S n .

ФТТ,

Регелъ

A.

P.,

Андреев

А.

А.,

Казанджан

Б.

И.,

Мамадалиев

М.,

13,

2702

(1971).

702.

Эффект Холла в жидком полупроводнике

S b 2 S e 3 .

ФТТ, 13,

Регелъ

А.

Р., Андреев А. А., Мамадалиев

М,,

Мелех

Б.

Т.,

3345

(1971).

703.

Эффект Холла в жидком селениде германия.

Регелъ

А.

Р.,

Андреев

А.

А.,

Мамадалиев

М.,

Смирнов

И. А.,

Шадри-

чев Е.

В.,

ФТП, 4 , 7 , 1277 (1970).

Исследование кинетических явлений в жидкостях с электронной

704.

проводимостью

неметаллического

характера.

P h y s .

Status

S o l i d i , 5,

Регелъ

А.

Р.,

Смирнов

И.

А.,

Шадричев

Е.

В.,

13

(1971).

T h e r m a l conductivity

of

salt,

metal,

and semiconducting

melts.

705.

Roth

L . M.,

P h y s . R e v . Letters, 28,

1570 (1972).

Tight - binding model of electronic states

in a l i q u i d

metal .

706.

Singh

M.,

Verma

G. S.,

P h y s . Status Solidi

(b) 48,

K 1 9 (1971).

E l e c t r i c a l

resistivity and thermoelectric

power

of

l i q u i d

metals

using

S h a w ' s

modified

Heine - Abarenkov

model

potential.

707 .

Hodkinson

R.

J . , P h i l . Mag., 23,

673

(1971).

Structure

and

conductivity

mechanisms

i n

some

l i q u i d

semiconductors.

К

главе 4

708.

Bottger,

# . ,

P h y s . Status

Solidi

(b) 51, 139 (1972).

O n the localisation of

vibrational

states

i n a disordered

solid .

709.

Богомолове.

H.,

Кудинов

E. К.,

МирлинД.

B~., Фирсов

IO. А.,

ФТТ, 9,

2077

(1967).

О поляронном механизме поглощения света в кристаллах рутила.

710.

Брыксин

В.

В.,

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ, 10,

2600

(1968).

О времени релаксации для поляронов малого радиуса.

711.

Брыксин

В. В.,

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ,

14,

3599 (1972).

Подвижность поляронов малого радиуса в сильном электрическом поле.

712 .

Волженский

Д.

С,

Пашковский

М.

В.,

ФТТ, И ,

1168

(1969).

Механизм

проводимости

пятиокиси

ванадия

( У 2 О Б ) .

713.

Губанов

А.

И.,

ЖЭТФ, 31, 462

(1956).

Рассеяние

электронов в жидкости на тепловых

колебаниях.

714.

Губанов

А.

И.,

ЖТФ,

27,

3

(1957).

Электропроводность, теплопроводность, термо-э. д. с , постоянная Хол ­

ла и постоянная Нернста для

аморфных

тел

с

электронной

проводи­

715 .

мостью.

ФТТ,

7,

2755

(1965).

Дмитриева

Л. В.,

Иоффе

В. А.,

Патрина

И.

Б.,

О

связи между электропроводностью и состоянием ионов

V 4

+ в кристал­

716.

лах

V 2

0 5 .

P h y s . R e v . Letters, 28,

813

(1972).

Emin

D.,

Seager

С. H.,

Quinn

R. К.,

Small - polaron

hopping

motion

i n

some

chalcogenido

glasses.

Литература

443

7 1 7 .

Иоффе

В.

А.,

Патрина

И.

В.,

P h y s .

Status

Solidi,

40,

389 (1970).

Comparison of the small - polaron

theory

w i t h

the

experimental

data of

7 1 8 .

current

transport i n

V2O5.

ЖЭТФ,

49,

867

(1965).

Кудиное

E.

К.,

Фирсов

Ю.

А.,

Стохастические аспекты теории малой подвижности.

7 1 9 .

Кудиное

Е.

К.,

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ, 8, 666 (1966).

Некоторые соотношения в кинетике и их стохастическая интерпретация.

720 .

Ланг

И. Г.,

Фирсов

10.

А.,

ЖЭТФ,

43,

1843

(1962).

Кинетическая теория полупроводников с малой подвижностью.

721 .

Мирошниченко

О. Я.,

Климашевский

Л.

М.,

Изв. А Н

СССР, Неорг.

материалы, 6, 1893 (1970).

Стекло

из

пятиокиси

ванадия.

722 .

Патрина

И.

В.,

Иоффе

В. А.,

ФТТ, 6, 3227 (1964).

Электрические

свойства

пятиокиси

ванадия.

7 2 3 .

Пекар

С. И.,

ЖЭТФ,

16, 341

(1946).

Локальные

квантовые

состояния

электрона

в идеальном ионном кри­

724 .

сталле.

«Исследования

по

электронной

теории

кристаллов»,

Пекар

С.

И.,

ГИТТЛ,

М. — Л . ,

1951.

725 .

Takeno

Sh.,

Goda М.,

Progr.

Theor.

P h y s . ,

47,

790

(1972).

A theory of phonon-like exitation

i n

non-crystalline

solids and

liquids .

726.

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ,

10, 1950

(1968).

О форме кривой поглощения при взаимодействии света с поляронами

малого

радиуса.

727.

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ, 10, 3027 (1968).

Об эффекте Холла в поляронных полупроводниках.

728 .

Фирсов

Ю. А.,

в

сб. «Поляроны»,

изд-во

«Наука»

(1973).

Поляроны малого радиуса. Явления переноса.

729 .

Fulde

P.,

Wagner

Я . ,

P h y s . R e v . Letters,

27,

1280

(1971).

Low-temperature

specific heat and thermal conductivity of

non - crystalline

solids.

К

главе 5

730 .

Adler

D.,

Brooks

H.,

P h y s . R e v . 155,

826

(1967).

731 .

Theory

of semiconductor-to-metal

transitions.

ЖЭТФ,

61, 705

(1971).

Андреев

В. П., Аронов А. Г.,

Чудновский

Ф. А.,

Фазовый переход полупроводник — металл в сильном электрическом

поле в

V 2 0 3 .

732.

Андреев

В. Я . , Аронов А. Г.,

Чудновский

Ф. А.,

ФТТ,

12,

1557

(1970).

Фазовый переход в электрическом поле в V 2 O s

и эффект

переключения.

733.

Аронов

А. Г., Кудиное Е. К.,

ЖЭТФ, 55, 1344 (1968).

Фазовый переход при сильном электрон-фононном взаимодействии.

734.

Бакланов

Е.

В.,

Чаплик

А.

В.,

ФТТ,

7, 2768 (1965).

Диэлектрическая

постоянная

в

двухзонной

модели

полуметалла.

735.

В бег

К.

W., P h y s .

Status

Solidi

(а),

5,

753

(1971).

Second-order phase transition

to

a high

conductivity

state i n

semicon ­

736.

ducting

glasses.

ЖЭТФ, 62,

820

(1972).

Бразовский

С. А.,

О фазовом переходе полуметалл — диэлектрик в магнитном поле.

737.

Брандт

Я . Б.,

Чудинов

С. М.,

Письма в ЖЭТФ, 13, 146 (1971).

Образование фазы экситонного диэлектрика в магнитном поле при пере­

ходе

металл —

полупроводник.

738 .

БулаевскийЛ.

Я . , Xомский Д.

И.,

ФТТ,

9, 1070

(1967).

Фазовый

переход

диэлектрик — металл

в

антиферромагнетиках.

739 .

Валиев

К.

А.,

Копаев

10. В.,

Мокеров

В.

Г.,

Раков А.

В.,

ЖЭТФ, 60,

2175

(1971).

444

Литература

Электронная

структура н фазовые переходы в низких окислах ванадия

в электрическом

поле.

740. Wilson

J . A.,

Pitt

G. D.,

P h i l . Mag., 23,

1297

(1971).

741.

Metal-insulator

transition

i n

N i S 2 .

P h y s . R e v .

Gossard

A.

C,

Menth

A.,

Warren

W.

W.,

Jr.,

Remeika J . P.,

B 3 ,

3993

(1971).

Metal-insulator transitions

of V 2

0 3 :

magnetic

susceptibility

and nuclear -

742.

magnetic-resonance studies.

ЖЭТФ, 48, 1184 (1965).

Козлов

H.

А.,

Максимов

Л.

А.,

О фазовом

переходе

металл — диэлектрик. Двухвалентный

кристалл.

743.

КопаевЮ.

В.,

ФТТ, 8, 223 (1966); 12, 3 (1969).

О

фазовых

переходах

полуметалл —

диэлектрик.

О возможности существования двух критических температур

при фазо­

вом

переходе

полуметалл — полупроводник.

745.

Копаев

Ю. В.,

Тимеров Р.,

ФТТ, 13, 122 (1971).

Влияние примесных состояний на фазовый переход полуметалл —

полу­

746.

проводник.

P h y s . R e v . Letters, 25, 376

(1970).

MattisD.

С., Longer

W. D.,

Role

of

phonons

and band

structure i n

metal-insulator

phase

t r a n s i t i o n .

747.

Rice

Т. M., McWhanD.

В.,

I B M J o u r n . R e s . and Develop.,

14, 251

(1970)..

Metal-insulator

transition i n transition

metal oxides.

748.

Foldy

L . L . , P h y s .

R e v . , B 3 ,

3472 (1971).

Phase transition i n a

Wigner

lattice.

749.

Friedman

L . , Mott N.

F.,

J o u r n . Non - Crystalline Solids,

7,

103

(1972).

T h e

H a l l effect

near

the metal-insulator

transition .

751.

Chakraverty

В.

К.,

Chechosl. Journ . P h y s . ,

В21, 343 (1971).

Insulator - metal

transition in thin films of

ferrite

F e 3 0 4 .

752.

Чаплин А.

В.,

ЖЭТФ, 62, 746 (1972).

О возможности

кристаллизации носителей

заряда

в инверсных слоях

низкой плотности.

753.

R e v . Mod.

P h y s . ,

40,

673

(1968).

754.

R e v . Mod.

P h y s . ,

41,

924

(1968).

758.

Gerhardts

R.

R.,

S o l i d State

Communs . , 10, 107

(1972).

Note to the H a l l effect of

an

electron

gas

w i t h

random i n p u r i t y scatte ­

759.

ring .

J o u r n . P h y s . C : S o l i d

State

P h y s . , 5,

43 (1972).

Jones

R.,

Theory of i m p u r i t y

band

hopping

conduction.

760.

Касаманян

3.

А.,

ФТП,

3,

1709 (1968).

К

вопросу

о

влиянии примеси

на

энергетический спектр электронов

в

полупроводниках.

761.

Stem

F.,

P h y s .

R e v . , ВЗ, 3559

(1971).

Optical

absorption

edge

of

compensated

germanium .

Литература

445

762.

Шкловский

Б.

Я . , ФТП, 6, 1197 (1972); 2335

(1972).

763.

Шкловский

Б.

И., Эфрос А. Л., ФТП, 4, 305

(1970).

767 .

Эфрос

А.

Л.,

Галъперн

Ю.

С,

Шкловский Б. И.,

Proc . I n t . Conf.

P h y s .

Semicond . ,

Warsaw,

1972,

p.

126.

L o w

temperature

conductivity

of

strongly

compensated

semiconductors.

К главе 7

7 6 8 .

Bagley

В.

G.,

Solid

State

Communs . , 8, 345 (1970).

The

field

dependent

mobility

of

localized

electron

carriers.

7 6 9 .

Berglund

C.

N.,

Klein

N.,

Proc .

I E E E ,

59,

1099

(1971).

T h e r m a l

effects

on switching of solid films from an insulating to a

condu-

770 .

ctive

stftte

P h y s . Status

Solidi,

A l ,

K 2 1

(1970).

Boer

K.

W.,

R e m a r k s to the Ovshinsky

effect.

7 7 1 .

Boer

K.

W.,

P h y s . Status Solidi

(a), 3,

1007

(1970).

Ideal - real

semiconducting

glass

and

low-high

conductivity

transition .

772 .

Boer

K.

W.,

P h y s . Status

Solidi (a), 4,

571

(1971).

E l e c t r o - t h e r m a l

effects

i n

ovonics.

773.

Boer

K.

W.,

P h y s . Status

Solidi

(a), 10, K 3 1 (1972).

Ovshinsky

switching

and

duble

injection.

774 .

Борисова

3.

У., в сб. «Химическая

связь в кристаллах»,

изд-во «Наука

и техника», Минск, 1969 г., стр. 462.

стеклообразных

полупроводников.

775 .

Dbhler

G.,

P h y s .

Status S o l i d i ,

A l , 125 (1970).

O n

the switching

initiation in ovonics.

776.

Dorr

R.

C., Kannervurf

C. R.,

Journ . Non - Crystalline Solids, 6,

113

(1971).

Switching

effects

i n A s 1 4 T l 1 4 S b 5

S e l e

T e 2 i .

777.

Fida M.,

Hamada

A.,

J a p . J o u r n . A p p l . P h y s . , 10, 224

(1971).

E l e c t r i c a l

switching

i n mobility-gap

materials.

778 .

Коломиец

Б.

Т.,

Лебедев

Э.

А.,

Журнал

радиотехн. и

электрон., 8,

2097

(1963).

Вольтамперная

характеристика

точечного контакта

со стеклообразным

полупроводником.

779 .

Lee

S. Я . , Grundy Р.

/ . ,

J o u r n .

Non - Crystalline Solids, И , 192 (1972).

T h e r m a l

and non-thermal

processes

i n

threshold

switching.

780.

Lucas

I.,

Journ . Non - Crystalline

Solids, 6, 136 (1971).

Interpretation of the switching effect

i n amorphous semiconductors as a re­

781 .

combination

instability .

J o u r n . P h y s . D : A p p l . P h y s . , 4,

1401

(1971).

McMillan

P.

W.,

NesvadbaP.,

A c r i t i c a l

evaluation

of a thermal mechanism of

switching .

446

Литература

782.

Оксмап

Я.

А.,

Сизова

Г.

А.,

ФТТ, 2,

1817

(1968).

О прыжковой проводимости, измеряемой на переменном токе.

783.

Рывкин

С. М.,

ЖЭТФ, 15,

632 (1972).

О механизме переключения в аморфных полупроводниках.

784.

Silver

М.,

Dy

К.

S.,

Huang

I. L . , P h y s . R e v . Letters, 27, 21 (1971).

Monte

Carlo

calculation of the transient photocurrent

i n l o w - c a r r i e r - m o b i ­

785.

l i t y materials.

A p p l .

P h y s .

Feinleib

J . , de Neujville

/.,

Moss

S.

C, Ovshinsky

S. C,

Letters,

18,

254

(1971).

R a p i d reversible light-induced crystallization of amorphous

semiconductors .

786.

Phillips

J . C,

Comments

S o l i d State

P h y s . ,

3, 105

(1970).

Switching

i n amorphous

semiconductors.

787.

Fox S. J . , Locklar

H.

C,

J o u r n .

B u l l .

Amer .

P h y s . S o c ,

16, 500

(1971).

E l e c t r i c

field

dependent mobility

i n amorphous and crystalline materials .

Mikroskopische Untersuchungen an Festkorperschaltern aus halbleitendenu

789.

G l a s .

Д . ,

J . 5 . ,

P r o c .

I E E E ,

58, 1852

(1970).

Haden

С.

Stone

J . L . , binder

B u l k switching

of

an

amorphous

semiconductor.

790.

Chan

Yu.,

Jayadevaiah

T.

S.,

P h y s .

Status

S o l i d i

(b),

49, K 1 2 9

(1972).

Screening

effects

on Poole

— F r e n k e l

conductivity

i n

amorphous

s o l i d s .

791.

Sheng

W.

W.,

Westgate

C.

R.,

Solid State Communs . , 9, 387

(1971).

On the preswitching

phenomena

i n

semiconducting

glasses.

К

гласе 8

792.

Аветикян

Г.

А.,

Байдаков

Л.

А.,

Горюнова

Н.

А.,

Коузова

Н.

И.г

Ж П Х ,

42,

2345

(1969).

Магнитные свойства CdGeAs2 в стеклообразном и кристаллическом состо­

яниях.

793. Акимченко И. П., Иванов В. С ,

Борщевский

А.

С,

ФТП, 7, 425 (1973).

Спектры

электроотражения

кристаллического

и

стеклообразного»

C d G e A s 2 .

794. Аксенов

В. В., Петров В. М.,

Харахорин

Ф.

Ф.,

Невестин А Н СССР,

Неорг. материалы,

8,

1152

(1972).

Фотоэлектрические

свойства

стеклообразных

полупроводников;

C d S i K G e 1 _ ; t A s 2 .

795. Аксенов

В. В., Петров

В.

М., Харахорин

Ф. Ф.,

ЮрушкинБ.

И.,

Изве­

стия

А Н

СССР,

Неорг. материалы,

6,

826

(1970).

Полупроводниковые

свойства

стекол

системы

C d G e A s 2 —

C d S n A s 2 .

797.

Переключающее устройство на основе стеклообразного

C d G e A s 2 .

Барышев

В.

Г.,

Болтовец

Н.

С,

Борщевский

А.

С,

Горюнова

И.

А.Т

Орешкин

П.

Т.,

ФТП, 4,

372

(1970).

Особенности

В А Х

аморфных

слоев на основе тройных систем.

798.

Барышев

В.

Г.,

Верейкин

Е.

В.,

Орешкин

П.

Т.,

ФТП, 5, 77 (1971).

Явления

переключения

на

поверхности

стеклообразного

C d G e A s 2 .

799.

Болтовец

Н.

С ,

Борщевский

А.

С.,

Митюрев

В.

К.,

Османов

Э. 0.Т

Taxmapeea

Н.

К.,

Известия А Н СССР, Неорг.