
книги из ГПНТБ / Миловзоров, В. П. Электромагнитные устройства автоматики учебник
.pdf
|
|
|
|
|
|
Таблица 12.1 |
||
|
|
|
|
|
Величины |
|
|
|
1 Элемент |
Состав |
|
Экспериментальные |
|
Вычисленные |
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
ортоферрнта |
Bs, |
J s , |
|
Поле |
Толщи |
‘а, |
ow- іо-г |
|
|
2г, мкм |
|||||||
|
|
смещения, |
на h, |
|||||
|
|
стл |
а/см |
|
а/см |
мкм |
М К М |
дж/см9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Иттрий |
Y |
1,05 |
84 |
76 |
26,5 |
76 |
63 |
1.8 |
Редкоземель- |
|
|
|
|
|
|
|
|
иые элементы: |
La |
0,83 |
66 |
— |
Не имеется |
— |
|
|
Лантан |
|
|||||||
Празеодим |
Pr |
0,71 |
' 57 |
— |
Не имеется |
— |
1,1- |
|
Неодим |
Nd |
0,62 |
49 |
190 |
2,5 |
51 |
112 |
|
Самарий |
Sm |
0,84 |
67 |
153 |
2,4 |
28 |
73 |
1,3 |
Европий |
Eu |
0,83 |
66 |
140 |
8,4 |
51 |
94 |
1,6 |
Гадолиний |
Gd |
0,94 |
75 |
94 |
12,8 |
61 |
73 |
1,7 |
Тербий |
Tb |
1,37 |
109 |
43 |
41,0 |
66 |
36 |
1.7 |
Диспрозий |
Dy |
1,28 |
102 |
51 |
40,5 |
40 |
43 |
1,8 |
Гольмий |
Ho |
0,91 |
73 |
115 |
9,6 |
53 |
84 |
1,7 |
Эрбий |
Er |
0,81 |
65 |
153 |
6,4 |
51 |
99 |
1.6 |
Тулий |
Tm |
1,40 |
112 |
58 |
2,95 |
58 |
48 |
2,4 |
Иттербий |
Yb |
1,43 |
114 |
97 |
33,0 |
76 |
76 |
3,9 |
Лютеций |
Lu |
1,19 |
95 |
190 |
8,4 |
51 |
109 |
3,9 |
ч. |
^т 0,6^Г0.4 |
0,83 |
66 |
25 |
26,5 |
46 |
20 |
0,35 |
|
Smu85 J büi15 |
1,08 |
86 |
19 |
49,0 |
51 |
10 |
0,30 |
§ 12.9. ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИМИ ДОМЕНАМИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ МАГНИТНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ
Для применения монокристаллических доменных магнитных эле ментов в регистрах сдвига, запоминающих устройствах и логических схемах необходимо иметь возможность перемещать цилиндрические домены на дискретные расстояния из одного положения в другое за заданные промежутки времени и фиксировать их в этих положениях.
Перемещение доменов можно осуществить, если создать разность напряженностей магнитного поля ДН между диаметрально располо женными точками домена (рис. 12.20, а). Доказано, что перемещение домена будет происходить только в случае, если эта разность достаточна для преодоления коэрцитивное™ границы домена Ііс и связана с ней неравенством
А Н < 8 Н с/п. |
(12.23) |
При этом скорость перемещения домена пропорциональна разно сти АН.
Домен перемещается в сторону меньшей напряженности; согласно рис. 12.18 его размер увеличивается и определяется точкой 2 устойчи вого равновесия, соответствующей значению напряженности в каждой точке пластинки.
Пределы изменения напряженности ограничиваются, с одной сто роны критической напряженностью, а с другой стороны наименьшей
300
Рис. 12.22. Конфигурация токопроводящих контуров для двумерного перемещения цилиндрических доменов (размеры проводников идентичны приведенным на рис. 12.20)
Рис. 12.23. Процесс образования домёнов с использованием токопроводящих контуров:
а — положение начального домена; б — подготовка к образованию; в *—
начало образования; |
г —образование |
и управляемое отталкивание; |
д — распространение; |
і — исходный |
домен; 2 — ток подготовки; 3 — |
ток деления; 4 — ток возврата в исходное положение; 5, 6 — ток рас пределения