Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Rep_2005_3.doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
23.02.2015
Размер:
2.62 Mб
Скачать

10. Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро (фгуп эзан)

  1. Многофункциональный мультиплексор ENE-04

Закончена разработка и начато производство нового плезиохронного мультиплексора ENE-04 с широкими возможностями управления, большой матрицей перекрестных соединений, различными интерфейсными модулями, резервированием путей и каналов. Мультиплексор ENE-04 по многим техническим превосходит хорошо зарекомендовавшее себя оборудование предыдущих серий ENE-6012, ENE-6062 и других западных аналогов и полностью соответствует современным требованиям, предъявляемым к телекоммуникационному оборудованию. Доступная и интуитивно понятная система управления позволяет быстро проводить настройку мультиплексора и обеспечивает возможность работы SNPC (стандартной управляющей программы). Расширение и замена модулей могут проводиться без замены программного обеспечения.

Мультиплексор сертификацию ЦНИИС и полностью совместим с международными стандартами, при этом он является полностью отечественной разработкой и, следовательно, может поставляться в российские силовые ведомства и стратегические организации.

Многофункциональный мультиплексор ENE-04

  1. Оборудование прецизионного травления и осаждения тонких пленок

Завершено изготовление автоматизированной установки прецизионного плазмохимического травления тонких пленок, разработанной совместно с Институтом проблем технологии микроэлектроники РАН и российской научной компанией ООО ЭпиЛаб.

В установке используется СВЧ плазма в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР). ЭЦР оборудование обладает рядом уникальных свойств, выделяющих его из ряда стандартного плазмохимического технологического оборудования:

 низкая энергия частиц, взаимодействующих с образцом (~20 эВ против сотен эВ в другом плазменном оборудовании), что снижает количество повреждений и дефектов обрабатываемых структур;

 высокая плотность плазмы (~1013/см3 против ~1012/см3), высокая степень обеспечивает большое количество активных частиц в камере;

 низкое давление в рабочем объеме (0,1–20 мторр против 0,1–10 торр), длина свободного пробега частиц порядка размера камеры, что исключает протекание реакций в объеме;

 удаленность плазмы от образца, что снижает степень повреждения структуры;

 возможность анизотропного травления с применением ВЧ смещения;

 применение ЭЦР источника в качестве поставщика атомарного азота позволяет уйти от использования аммиака при приготовлении содержащих азот структур типа III–V и нитрида кремния;

Оборудование травления позволяет проводить процессы деликатной обработки тонкопленочных структур, создавать объекты микромеханики с характерным размером менее 100 нм.

Оборудование осаждения, построенное по аналогичному принципу, позволяет проводить низкотемпературные процессы осаждения поликристаллических пленок нитрида кремния и нитридов третьей группы при создании устройств микроэлектроники и микромеханики.

В настоящее время ведутся опытно-конструкторские работы по созданию ЭЦР оборудования для эпитаксиального осаждения слоев широкозонных полупроводников типа АIIIВV.

Установка плазмохимического травления тонких пленок

  1. Модульные конструкции

Развивая собственную номенклатуру изделий базовых несущих конструкций Евромеханика 19” (стандарт МЭК 60297), серийно выпускаемых на протяжении нескольких лет, в 2005 году были завершены опытно-конструкторские работы по разработке конструкторской документации и проведена подготовка производства для серийного изготовления блоков с электромагнитной защитой для магистрально-модульных систем Сompact PCI и VME64.

Освоено изготовление двух новых типов прессованных алюминиевых профилей, новых пластмассовых направляющих с контактирующими пружинами для снятия электростатического заряда с печатной платы и лицевой панели модуля.

Блоки Сompact PCI были внедрены в вычислительных комплексах «Эльбрус 90 – микро» ВК26, ВК33, ВК34, поставленных российским заказчикам в 2005 году.

  1. Технологии и оборудование для производства профилированных кристаллов сапфира

Р

4. Отчет РАН в 2005 г. Основные…

азработана технология получения кристаллов сапфира сложной геометрии в форме, близкой к готовому изделию. Технология позволяет получать полые кристаллы с программируемой формой боковой поверхности, что значительно снижает затраты на механическую обработку. Метод также обеспечивает чрезвычайно высокие скорости роста кристалла.

В настоящий момент технология позволяет выращивать из расплава полые кристаллы с заданной формой боковой поверхности с поперечным размером до 110 мм и высотой до 200 мм. Для производства таких кристаллов была разработана и изготовлена установка роста кристаллов «Кристаллизационный центр», обеспечивающая 5 степеней свободы перемещения кристалла и формообразователя.

Специально разработанный уникальный программно-технический комплекс обеспечивает координацию работы приводов для получения изделия заданного профиля, автоматически поддерживает оптимальные параметры процесса кристаллизации.

Прототипы изделий успешно прошли испытания механических свойств и пропускания в инфракрасном диапазоне на предмет использования в аэрокосмической промышленности.

Разработано оборудование и технология для получения монокристаллов сапфира в виде окна шириной 300 мм длиной до 500 мм и толщиной 8 мм. В ходе предварительных испытаний установки получены первые образцы сапфировых лент шириной 300 мм. Изделия такого рода применяются в устройствах военной и аэрокосмической промышленности.

Не имеющая мировых аналогов автоматизированная установка позволяет проводить автоматическое прецизионное многоканальное управление температурой теплового узла. Успешная реализация проекта позволила ФГУП ЭЗАН стать одной из трех компаний в мире производящей монокристаллы сапфира такого размера.

  1. Программные и технические средства для построения автоматизированных систем управления технологических процессов

По заданию ОАО «РЖД» выполнена разработка контроллера для системы единого центрального диспетчерского управления (ЕЦДУ) и его сопряжение с существующей системой графика исполненного движения (ГИД) «Урал». Контроллеры ЕЦДУ, установленные в настоящее время и использующие выделенные телефонные линии, не позволяют использовать современные системы связи Западно-Сибирской железной дороги.

Схема связей

По данной теме выполнена разработка многоканального контроллера, обеспечивающего контроль до 768 дискретных сигналов и передачу информации по протоколам TCP/IP в центральный комплекс системы ЕЦДУ. Контроллер имеет возможность дублирования источника питания и микропроцессорного модуля, поддерживает возможность замены модулей без выключения питания.

Решена задача интеграции с системой ГИД «Урал».

Контроллер ЕЦДУ

В

4*

настоящее время, готовится опытно-промышленная эксплуатация такой системы на Западно-Сибирской железной дороге. Проведены испытания контроллера на электромагнитную совместимость и электробезопасность, получен сертификат соответствия ГОССТАНДАРТА России.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]