18. Вх. Хар-ки транзистора в схеме с оэ. Их зав-ть от напряжения к и температуры.

Вх хар-ки: .

Первая входная характеристика (зав-ть 1 на рис. 3а ) представлена для случая, когда напряжение коллектор-эмиттер равно нулю Uкэ = 0(Короткое замыкание К с Э) . В этом случае открывается не только ЭП, но и КП, транзистор работает в режиме насыщения и ток базы равен сумме общего тока эмиттера и общего тока коллектора и возрастает более резко при увеличении напряжения:

Вх хар-ка транзистора при начинается из начала координат, при увеличении по модулю напряжения база-эмиттер ток базы изменяется по экспоненциальному закону и напоминает прямую ветвь ВАХ двух параллельно включенныхpn-переходов.

При подаче на Kотрицательного напряжения, превышающего напряжениеUбэ , КП закрывается и токIк изменяет свое направление. В этом случае транзистор работает в активном усилительном режиме, ток К определяется выражением:Iк =αIэ +Iко, а ток базы=(1−α)Iэ −Iко и возрастает с ростомзначительно медленнее; вх. хар-ка смещается вправо (зав-сть 2 рис.3а при= - 1 В). ПриU_БЭ=0 значение тока базы “-“ и опр-ся величиной неуправляемого тока КП, так как первое слагаемое выражения равно нулю (т.A на зависимости рис.3а). При подаче напряжения база-эмиттер не равным нулю эмиттер начинает инжектировать дырки в базу и появляется положительная составляющая тока базы, которая называется током рекомбинационных потерь базы. При некотором напряжении база-эмиттер ток рекомбинационных потерь базы компенсирует неуправляемый ток коллекторного перехода и суммарный ток базы равен нулю (т.B на рис.3а). На участке BC рис.3а ток рекомбинационных потерь базы превышает неуправляемый ток коллекторного перехода и общий ток базы быстро нарастает.

Дальнейшее увеличение напряжения коллектор-эмиттер (зав-сть 3 на рис. 3а при = -5 В) приводит к незначительному смещению входной хар-ки вправо, ибо с ростом напряженияUкэ вследствие эффекта модуляции толщины базы происходит увеличение коэффициента α и уменьшение тока базы. (|Uк|↑ при |Uэб|=const=>|Uкб|↑=>W↓=>α↑=>(1-α)Iэ↓)

Вх. хар-ки транзистора, снятые при различных температурах, пересекаются в области малых положительных токов базы (рис.3б). Пересечение характеристик объясняется тем, что ток базы имеет “+” и “-“ компоненты, каждая из которых увеличивается при увеличении температуры.

1. При малых значениях напряжения Б-Э вх. хар-ка смещается вниз вследствие роста тока Iко при увеличении Т, который возрастает экспоненциально. При этом точка пересечения вх. хар-ки транзистора оси напряжений Б-Э происходит правее характеристики, снятой при меньшей температуре (рис.3б).

2. Это происходит по двум причинам: во-первых, с ростом Т экспоненциально увеличивается неуправляемый ток КП и для его компенсации требуется большее значение тока рекомбинационных потерь Б; во-вторых, увеличение Т окр. среды ведет к возрастанию коэффициента передачи по току транзистора в схеме включения с общей базой, а это приводит к уменьшению тока рекомбинационных потерь базы.

3. В области больших токов базы входная характеристика смещается влево, так как рост температуры приводит к уменьшению высоты потенциального барьера, росту тока Iэ , а, следовательно, и тока